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林方婷

作品数:34 被引量:17H指数:1
供职机构:华东师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市科委纳米专项基金黑龙江省教育厅科学技术研究项目更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 25篇专利
  • 7篇期刊文章
  • 2篇学位论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 7篇一般工业技术
  • 7篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 10篇调制
  • 10篇调制器
  • 9篇太赫兹
  • 8篇石墨
  • 7篇微结构
  • 6篇石墨烯
  • 5篇太赫兹波
  • 4篇亚毫米波
  • 4篇品质因子
  • 4篇钛酸
  • 4篇钛酸锶
  • 4篇铌锌酸铅
  • 4篇赫兹
  • 4篇超材料
  • 3篇丝网印刷
  • 3篇陶瓷
  • 3篇陶瓷片
  • 3篇条带
  • 3篇钛酸铅
  • 3篇锆钛酸铅

机构

  • 29篇华东师范大学
  • 4篇上海师范大学
  • 1篇教育部
  • 1篇中国科学院
  • 1篇齐齐哈尔大学

作者

  • 34篇林方婷
  • 16篇石旺舟
  • 16篇刘锋
  • 6篇刘爱云
  • 4篇王鹏
  • 4篇张浩
  • 3篇马学鸣
  • 3篇刘峰
  • 2篇汪青
  • 2篇李岩
  • 2篇李娜
  • 1篇孙为民
  • 1篇刘艳芬
  • 1篇王林
  • 1篇刘晓华
  • 1篇刘晓军
  • 1篇李尧
  • 1篇陈刚
  • 1篇张正健
  • 1篇李传青

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇华东师范大学...
  • 1篇上海师范大学...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇磁性材料及器...

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2023
  • 5篇2022
  • 4篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2010
  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
34 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Mn掺杂CuCrO_2纳米粉体的室温铁磁性(英文)
2015年
利用固相反应与球磨相结合的方法,制备了(Cu1-xMnx)Cr O2(0≤x≤6 at%)和Cu(Cr1-yMny)O2(0≤y≤6at%)两个系列的纳米粉体.结果表明,所有样品都具有3R-Cu Cr O2铜铁矿单相结构.晶格膨胀说明Mn离子已分别固溶到(Cu1-xMnx)Cr O2的Cu亚晶格中和Cu(Cr1-yMny)O2的Cr亚晶格中,这在X射线光电子能谱的分析中得到了进一步的证实.B位Mn掺杂样品具有室温铁磁性,磁性源于Cr3+-Mn3+离子对间以空穴为媒介的双交换相互作用.Cu MO2(M=Cr,Mn)铜铁矿纳米粉体的饱和磁化强度比文献值高出约一个数量级,并随着Mn含量的增大而逐渐减小,主要受到3个因素的共同影响:M-M离子对数目、M-M离子间距及空穴浓度.
邓林艳林方婷张正健
关键词:稀磁半导体微结构磁性能
用于亚毫米波接收机标定的波束映射系统及标定方法
本发明涉及一种用于亚毫米波接收机标定的波束映射系统及标定方法,包括:信号源,用于产生供亚毫米波接收机接收的信号,所述信号源由热负载和冷负载组成;斩波器,设于所述热负载和冷负载之间并进行切换;导轨滑台,所述信号源安装在所述...
曹铎刘锋张毅闻林方婷何晓勇石旺舟
一种基于石墨烯‑金属复合微结构的THz调制器及其制备
本发明涉及一种基于石墨烯‑金属复合微结构的THz调制器及其制备,所述的THz调制器包括:聚合物柔性衬底层;掺杂半导体外延层;Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>绝缘‑有源区结构复合层:生长在掺杂半导体外...
何晓勇刘锋林方婷
磁掺杂BaTiO<,3>的交换机制及磁性薄膜的制备研究
同时具备磁有序和电有序的多铁性材料在器件方面蕴藏着广阔的应用前景。过渡金属掺杂BaTiO3有望获得铁磁性而形成新型的多铁性材料体系,但是关于磁性起源问题至今仍存在争议。基于这一现状,本论文第一部分围绕Fe掺杂BaTiO3...
林方婷
关键词:磁性薄膜
文献传递
一种具有高电致应变的铌锌酸铅-锆钛酸铅基压电陶瓷材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种具有高电致应变的铌锌酸铅-锆钛酸铅基压电陶瓷,所述的铌锌酸铅-锆钛酸铅基压电陶瓷的组成成分为(xPb(Al<Sub>0.5</Sub>Nb<Sub>0.5</Sub>)O<Sub>3</Sub>-(0.2...
刘爱云卫琳琳金成超姚其荣韩海龙王鹏李岩林方婷石旺舟
文献传递
一种基于锑化铟条带微结构太赫兹调制器及其制备方法
本发明涉及一种基于锑化铟(InSb)条带微结构太赫兹调制器及其制备方法,调制器包括Si衬底,生长在Si衬底上的绝缘层,生长在绝缘层上的基于锑化铟的条带型微结构层,该条带型微结构层为铜‑锑化铟混合条带型微结构或锑化铟‑锑化...
何晓勇石陈煜燚张浩刘峰林方婷肖桂娜
文献传递
一种基于三维狄拉克半金属椭圆纤维的太赫兹波混合模式波导结构
本发明涉及一种基于三维狄拉克半金属椭圆纤维的太赫兹波混合模式波导结构,该结构包括硅介质底层(1)、样品槽(2)、椭圆三维狄拉克半金属纤维(4)和背电极掺杂硅层(6);所述的样品槽(2)位于硅介质底层(1)上方,所述的椭圆...
何晓勇王光清成艳曹铎林方婷刘锋
一种基于锑化铟条带微结构太赫兹调制器及其制备方法
本发明涉及一种基于锑化铟(InSb)条带微结构太赫兹调制器及其制备方法,调制器包括Si衬底,生长在Si衬底上的绝缘层,生长在绝缘层上的基于锑化铟的条带型微结构层,该条带型微结构层为铜‑锑化铟混合条带型微结构或锑化铟‑锑化...
何晓勇石陈煜燚张浩刘峰林方婷肖桂娜
退火处理对YMnO3薄膜的结构和荧光性能的影响
2008年
室温下,采用脉冲激光沉积方法在Si(100)衬底上制备了YMnO3薄膜,并对其进行了不同温度的退火处理。采用X射线衍射和荧光光谱分析方法对薄膜的结构和荧光特性进行了研究。结果表明:通过退火处理,可以得到正交相和六方相共存的多晶态YMnO3薄膜,并且随着退火温度的升高,两相的比例发生变化,由正交相为主转变为六方相为主。YMnO3薄膜样品的荧光发射峰集中在波长430~620nm范围内,可能是由Mn3+离子从5T2到5E之间的能级跃迁所引起的。其荧光强度随着退火温度的升高逐渐增强,但峰位基本保持不变,说明薄膜结构的改变对Mn3+离子的能级跃迁几率有明显的影响,对能级位置的影响不大;而且荧光光谱还显示在同一薄膜中各个荧光峰的相对强度随着退火温度的变化不大。
李娜林方婷马学鸣石旺舟
关键词:荧光性能脉冲激光沉积
一种基于钛酸锶球壳结构的可调太赫兹波超材料吸收器
本发明涉及一种基于钛酸锶球壳结构的可调太赫兹波超材料吸收器,该吸收器包括:钛酸锶衬底层(1);背电极掺杂Si层(2),生长在钛酸锶衬底层(1)表面;石墨烯‑SiO<Sub>2</Sub>有源区,位于背电极掺杂Si层(2)...
何晓勇冷晋曹铎林方婷刘锋
文献传递
共4页<1234>
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