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林鸿生

作品数:32 被引量:63H指数:5
供职机构:中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金安徽省自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程理学电子电信更多>>

文献类型

  • 32篇中文期刊文章

领域

  • 24篇电气工程
  • 5篇理学
  • 4篇电子电信

主题

  • 24篇电池
  • 21篇太阳能电池
  • 13篇太阳能
  • 8篇A-SI
  • 7篇异质结
  • 6篇叠层
  • 5篇太阳电池
  • 5篇A-SI:H
  • 5篇H
  • 5篇POLY-S...
  • 4篇叠层太阳能电...
  • 4篇异质结太阳能...
  • 4篇平衡态
  • 4篇空间电荷效应
  • 4篇硅太阳能电池
  • 4篇
  • 4篇C-SI
  • 3篇载流子
  • 3篇热平衡态
  • 3篇非晶硅

机构

  • 32篇中国科学技术...
  • 2篇中国华晶电子...

作者

  • 32篇林鸿生
  • 9篇段开敏
  • 6篇马雷
  • 4篇林罡
  • 2篇陈备
  • 1篇林臻
  • 1篇陈浩
  • 1篇付竹西

传媒

  • 5篇中国科学技术...
  • 5篇固体电子学研...
  • 4篇半导体技术
  • 4篇太阳能学报
  • 4篇光电子技术
  • 2篇Journa...
  • 2篇大学物理
  • 2篇电子器件
  • 1篇光电子.激光
  • 1篇北京大学学报...
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇2003
  • 5篇2002
  • 3篇2001
  • 3篇2000
  • 2篇1999
  • 7篇1998
  • 4篇1997
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 1篇1993
  • 1篇1990
  • 1篇1989
32 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
CdTe p-i-n薄膜太阳能电池热平衡态数值分析
1998年
通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对热平衡态P(ZnTe)/i(CdTe)/n(CdS)薄膜太阳能电池进行计算机数值模拟。结果表明,P(ZnTe)/i(CdTe)/n(CdS)的能带结构有利于光生载流子传输与收集,CdTe中高内建场提高了光生载流子通过有源区的输运能力,对CdT。进行适量P型掺杂还能提高其电池的短波收集效率。
林鸿生
关键词:薄膜太阳能电池
能态密度及其在解释半导体物理问题中的应用
1998年
通过对半导体杂质饱和电离、灰锡(α-Sn)半导体特性以及Gunn效应等的解释,指出能态密度在研究半导体物理现象中的重要应用.
林鸿生
关键词:能态密度半导体物理
a-Si/CIS叠层太阳能电池的光诱导性能衰退和稳定性分析被引量:2
2002年
基于pin结构a Si∶H太阳能电池中的空间电荷效应 ,讨论a Si/CIS叠层太阳能电池的稳定性。结果表明 ,光生空穴俘获造成的a Si∶H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si∶H薄膜中电场强度。在光照射下 ,空间电荷效应不会给a Si/CIS叠层结构中的a Si∶H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,因而没有发生a Si/CIS叠层太阳能电池顶电池 (p i na Si∶H)的光诱导性能衰退 ,a Si/CIS叠层结构太阳能电池具有较高的光稳定性。
林鸿生马雷
关键词:硅太阳能电池
n-ZnO/p-Si异质结J-V特性的实验研究被引量:5
2001年
本文首次报道 n-Zn O/p-Si异质结 J-V特性实验测量的初步结果——经退火处理的异质结反向饱和电流密度比未经退火的减少一个数量级 ,表明退火改善 Zn O/Si晶格界面结构 ,提高了 n-Zn
林鸿生马雷付竹西
关键词:异质结退火处理氧化锌半导体材料
载流子表观扩散长度与偏置光强关系的计算机模拟——a-Si∶H表面光生电压(SPV)实验的若干分析
1993年
在均匀连续分布的隙态密度假设下,用指数势垒模型来描述a-Si:H的表面势垒,在此基础上理论计算拟合了实验上观测到的载流子表观扩散长度与偏置光强度的依赖关系,改善了Moore的有关SPV实验的解释。
林鸿生
关键词:载流子
晶体管发射极电流集边效应理论研究的新进展被引量:2
2001年
介绍了晶体管基区电位微分方程精确解的研究结果 ,与方程近似解相比 ,它能定量阐释发射极电流集边效应及相关参量 ,也为功率晶体管设计提供更确切的理论依据。
林鸿生石林初
关键词:发射极电流集边效应晶体管
a-Si:HSchotky 势垒结构太阳能电池中的载流子俘获效应a-Si:H太阳能电池稳定性研究
1997年
基于实验结果,应用Scharfeter-Gummel解法数值求解Poisson方程,对经高强度光辐照过的a-SiHSchotky势垒结构太阳能电池进行计算机数值分析。计算结果与实验一致并且进一步指明,随着光辐照发生的载流子俘获造成的a-SiH中空间电荷净增加或减少都会使电池内部电场分布发生变化和准中性区(低场“死层”)的出现,从而导致载流子收集长度的减少。这是a-SiHSchotky势垒结构太阳能电池光致性能衰退的重要原因。于是。
林鸿生
关键词:载流子太阳能电池
a-SiC/c-Si异质结太阳能电池设计分析被引量:9
2002年
通过应用 Scharfetter- Gum mel解法数值求解 Poisson方程 ,对热平衡态 a- Si C/ c- Si异质结太阳能电池进行计算机数值模拟 ,详细分析不同制备条件下 a- Si C/ c- Si异质结太阳能电池的能带结构和电池中电场强度分布 ,指出采用更薄 p+ ( a- Si C∶ H)薄膜和在 pn异质结嵌入 i( a- Si∶ H)缓冲薄层设计能有效增强光生载流子的传输与收集 ,从而提高 a- Si C/ c- Si异质结太阳能电池的性能 ,而高强度光照射下模拟计算表明 ,a- Si C/ c-
林鸿生段开敏马雷
关键词:异质结太阳能电池
异质结硅太阳能电池a-Si:H薄膜的研究被引量:6
2002年
通过应用 Scharfetter- Gummel数值求解 Poisson方程 ,对热平衡态 p+(a- Si:H) / n(c- Si)异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析。结果指出 ,采用更薄 p+(a- Si:H)薄膜设计能有效增强光生载流子的传输与收集 ,从而提高 a- Si/ c- Si异质结太阳能电池的性能。同时 ,还讨论了 p+(a- Si:H)薄膜中 p型掺杂浓度对光生载流子传输与收集的影响。高强度光照射下模拟 ,计算表明 ,a- Si/ c-
林鸿生段开敏马雷
关键词:异质结硅太阳能电池A-SI:H薄膜
a-Si/poly-Si叠层太阳电池稳定性的数值模拟分析
2003年
通过应用Scharfetter Gummel解法数值求解Poisson方程 ,对热平衡态a Si/ poli Si叠层太阳电池的光稳定性进行计算机数值模拟 ,详细分析光照射前后a Si/ poli Si叠层太阳电池中电场强度分布 ,指出在光照射下 ,光生空穴俘获造成的a Si:H中正空间电荷密度增加改变了电池内部的电场分布 ,普遍抬高a Si:H薄膜中的电场强度 ,没有给a Si/ poli Si叠层结构中的a Si:H薄膜带来准中性区 (低场“死层”) ,不会发生a Si/poli Si叠层太阳电池的光诱导性能衰退 ,因而a Si/ poli Si叠层结构太阳电池具有较高的稳定性。
林鸿生段开敏
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