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梁军

作品数:7 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 7篇中文专利

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇石墨
  • 4篇纳米
  • 3篇电极
  • 3篇石墨烯
  • 3篇层数
  • 2篇电学性能
  • 2篇镀膜技术
  • 2篇多孔
  • 2篇多孔结构
  • 2篇铜纳米线
  • 2篇热电转换
  • 2篇紫外波段
  • 2篇碲化镉
  • 2篇碲化镉薄膜
  • 2篇纳米多孔
  • 2篇纳米多孔结构
  • 2篇纳米线
  • 2篇孔结构
  • 2篇宽带
  • 2篇复合导电

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇梁军
  • 7篇黄富强
  • 5篇林天全
  • 4篇李德增
  • 3篇毕辉

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
一种石墨烯/铜纳米线复合导电材料与制备方法
本发明提供一种复合导电材料,所述复合导电材料为石墨烯/铜纳米线复合导电材料,包括:石墨烯、铜纳米线和粘接剂;其中铜纳米线占石墨烯重量的重量分数为1%-99%,所述粘接剂占石墨烯/铜纳米线总重量的重量分数为1%-50%;所...
黄富强毕辉梁军林天全
文献传递
一种复合宽带减反增透薄膜及其制备方法
本发明涉及一种复合宽带减反增透薄膜及其制备方法,特征在于采用溶胶-凝胶技术,以醋酸锌(Zn(CH<Sub>3</Sub>COO)<Sub>2</Sub>·2H<Sub>2</Sub>O)和正硅酸四乙酯为前驱体,分别形成Z...
黄富强李德增梁军
碲化镉薄膜太阳能电池结构中的背接触电极及制备方法
本发明涉及一种CdTe薄膜太阳能电池结构中的背接触电极,依次包括透明导电玻璃层、窗口层、吸光层、阻挡层,其特征在于在阻插层背面制备石墨烯薄膜层作为背接触电极。所述的石墨烯层的厚度为0.1μm-1mm。所述的背接触电极制备...
黄富强梁军李德增林天全
碲化镉薄膜太阳能电池结构中的背接触电极及制备方法
本发明涉及一种CdTe薄膜太阳能电池结构中的背接触电极,依次包括透明导电玻璃层、窗口层、吸光层、阻挡层,其特征在于在阻插层背面制备石墨烯薄膜层作为背接触电极。所述的石墨烯层的厚度为0.1μm-1mm。所述的背接触电极制备...
黄富强梁军李德增林天全
文献传递
一种复合宽带减反增透薄膜及其制备方法
本发明涉及一种复合宽带减反增透薄膜及其制备方法,特征在于采用溶胶-凝胶技术,以醋酸锌(Zn(CH<Sub>3</Sub>COO)<Sub>2</Sub>·2H<Sub>2</Sub>O)和正硅酸四乙酯为前驱体,分别形成Z...
黄富强李德增梁军
文献传递
三维网络结构的石墨烯基背电极材料及其制备方法
本发明属于纳米复合材料领域,具体涉及一种新型的三维网络结构石墨烯基背电极材料及其制备方法。特征在于本发明所述制备方法采用具有三维连续孔结构的金属模板作为催化剂,利用化学气相沉积法生长石墨烯,石墨烯层数为1-20,采用刻蚀...
黄富强毕辉梁军林天全
文献传递
一种石墨烯/铜纳米线复合导电材料与制备方法
本发明提供一种复合导电材料,所述复合导电材料为石墨烯/铜纳米线复合导电材料,包括:石墨烯、铜纳米线和粘接剂;其中铜纳米线占石墨烯重量的重量分数为1%-99%,所述粘接剂占石墨烯/铜纳米线总重量的重量分数为1%-50%;所...
黄富强毕辉梁军林天全
共1页<1>
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