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武伟

作品数：84 被引量：14H指数：2
供职机构：北京工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术金属学及工艺理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 73篇专利
  • 7篇会议论文
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇自动化与计算...
  • 5篇金属学及工艺
  • 3篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇交通运输工程
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程

主题

  • 60篇封装
  • 47篇芯片
  • 39篇塑封
  • 36篇芯片载体
  • 21篇引线
  • 20篇引线框
  • 20篇引线框架
  • 20篇封装器件
  • 15篇电镀
  • 14篇布线
  • 12篇金属
  • 12篇焊层
  • 12篇封装可靠性
  • 11篇焊球
  • 10篇镀铜
  • 10篇引脚
  • 10篇引脚封装
  • 10篇晶圆
  • 10篇QFN
  • 9篇面阵

机构

  • 84篇北京工业大学
  • 1篇复旦大学
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 84篇武伟
  • 83篇秦飞
  • 73篇安彤
  • 58篇刘程艳
  • 53篇夏国峰
  • 49篇朱文辉
  • 8篇史戈
  • 7篇陈思
  • 6篇黄传实
  • 5篇于大全
  • 4篇万里兮
  • 1篇仲伟旭
  • 1篇王珺
  • 1篇宇慧平
  • 1篇高察
  • 1篇陈沛
  • 1篇项敏
  • 1篇王旭明

传媒

  • 1篇金属学报
  • 1篇北京工业大学...
  • 1篇工程力学
  • 1篇北京力学会第...

年份

  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 7篇2016
  • 17篇2015
  • 4篇2014
  • 33篇2013
  • 15篇2012
  • 4篇2011
共 84 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
纳米压痕法确定TSV-Cu的应力-应变关系被引量：4
2014年
为得到硅通孔电镀填充铜(TSV-Cu)的力学性能,对TSV-Cu进行了Berkovich纳米压痕实验.基于Oliver-Pharr算法和连续刚度法确定TSV-Cu的弹性模量和硬度分别为155.47 GPa和2.47 GPa;采用有限元数值模拟对纳米压痕加载过程进行反演分析,通过对比最大模拟载荷与最大实验载荷,确定TSV-Cu的特征应力和特征应变;由量纲函数确定的应变强化指数为0.4892;将上述实验结果代入幂强化模型中,确定TSV-Cu的屈服强度为47.91 MPa.最终确定了TSV-Cu的幂函数型弹塑性应力-应变关系.
秦飞项敏武伟
关键词：纳米压痕弹性模量屈服强度
一种先进四边扁平无引脚封装及制造方法
本发明公开了一种先进四边扁平无引脚封装及制造方法。本先进四边扁平无引脚封装包括芯片载体，引脚，金属材料层，IC芯片，绝缘填充材料，粘贴材料，金属导线和塑封材料。芯片载体具有凹槽结构和用于接地的引脚，多个引脚在封装件结构中...
秦飞夏国峰安彤武伟刘程艳朱文辉
一种再布线热增强型AAQFN封装器件
本实用新型公开了一种再布线热增强型AAQFN封装器件。在再布线热增强型AAQFN封装器件中，IC芯片通过焊接材料倒装焊接在第一金属材料层上，通过将IC芯片背面裸露在外部环境中或者在IC芯片上方配置散热片以提升封装器件的散...
秦飞夏国峰安彤刘程艳武伟朱文辉
文献传递
一种再布线FCQFN封装器件
本实用新型公开了一种再布线FCQFN封装器件。该器件包括：芯片载体配置于封装器件的中央部位；多个引脚配置于芯片载体四周，围绕芯片载体呈多圈排列；绝缘填充材料配置于芯片载体与引脚之间，以及引脚与引脚之间；第一金属材料层通过...
秦飞夏国峰安彤刘程艳武伟朱文辉
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一种CMOS图像传感器封装结构及其制造方法
一种CMOS图像传感器封装结构及其制造方法，属传感器领域。光学交互区位于硅衬底正面第一表面的中央，在光学交互区的上方形成有金属互连层，微镜头阵列放置在金属互联层上方，金属互联层外侧有第一保护层；在第一表面制作未穿透硅衬底...
秦飞武伟安彤刘程艳陈思夏国峰朱文辉
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一种半导体封装中封装系统结构
本实用新型公开了一种半导体封装中封装系统结构。本半导体封装中封装系统结构包括引线框架、第一金属材料层、第二金属材料层、具有凸点的IC芯片、引线键合的IC芯片、绝缘填充材料、粘贴材料和塑封材料。引线框架包括芯片载体和多个围...
秦飞夏国峰安彤刘程艳武伟朱文辉
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三维芯片集成技术中硅通孔(TSV)的力学行为与结构完整性研究
随着半导体技术的发展，传统的平面2D互连面临越来越严峻的挑战，新型三维3D集成逐渐成为关注的热点，而硅通孔（Through-Sclicon Via，TSV）技术由于具备更出色的电性能、更高的封装密度等诸多优点，被认为是3...
武伟
关键词：纳米压痕
一种再布线QFN封装器件
本实用新型公开了一种再布线QFN封装器件。该器件包括：芯片载体配置于封装器件的中央部位；多个引脚配置于芯片载体四周，围绕芯片载体呈多圈排列；绝缘填充材料配置于芯片载体与引脚之间，以及引脚与引脚之间；IC芯片通过粘贴材料配...
秦飞夏国峰安彤刘程艳武伟朱文辉
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晶圆级含硅通孔的半导体封装方法
本发明公开了一种晶圆级含硅通孔的半导体封装方法，属于半导体封装领域。封装方法主要包含以下步骤：1，在盖板正面上制作有空腔结构；2，将盖板正面通过键合机同晶圆正面进行键合；3，通过研磨机对晶圆背面进行研磨，并进行去应力等离...
秦飞武伟安彤肖智轶
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一种面阵引脚排列四边扁平无引脚封装及制造方法
本发明公开了一种面阵引脚排列四边扁平无引脚封装及制造方法。本封装包括芯片载体，引脚，金属材料层，IC芯片，绝缘填充材料，粘贴材料，金属导线和塑封材料。芯片载体具有凹槽结构和用于接地的引脚，多个引脚在封装件结构中呈面阵排列...
秦飞夏国峰安彤武伟刘程艳朱文辉
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