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殷胜东

作品数:7 被引量:10H指数:3
供职机构:重庆师范大学物理与电子工程学院更多>>
发文基金:重庆市教委科研基金更多>>
相关领域:理学自动化与计算机技术电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇溅射
  • 6篇ZAO薄膜
  • 6篇磁控
  • 6篇磁控溅射
  • 3篇直流反应磁控...
  • 3篇反应磁控溅射
  • 2篇电学性能
  • 2篇数对
  • 2篇溅射制备
  • 2篇光电
  • 2篇光电性
  • 2篇光电性能
  • 2篇光学
  • 2篇光学性
  • 2篇光学性能
  • 2篇ZNO
  • 2篇ZNO:AL
  • 2篇磁控溅射制备
  • 1篇导电薄膜
  • 1篇电导

机构

  • 7篇重庆师范大学
  • 2篇平顶山学院

作者

  • 7篇殷胜东
  • 5篇马勇
  • 2篇靳铁良
  • 1篇殷霖
  • 1篇籍勇亮
  • 1篇王楠

传媒

  • 1篇内蒙古师范大...
  • 1篇材料导报
  • 1篇山西师范大学...
  • 1篇淮北煤炭师范...
  • 1篇云南民族大学...
  • 1篇中国材料科技...

年份

  • 3篇2007
  • 4篇2006
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
磁控溅射制备参数对ZnO:Al电学性能的影响被引量:1
2006年
ZnO:Al(ZAO)透明导电薄膜是一种n型半导体,有高的载离子浓度和大的光学禁带宽度,具有优异的电学和光学性能,有极广的应用前景.本文介绍了ZAO薄膜的广泛用途和今后研究的趋势,并着重分析了磁控溅射制备参数对电学性能的影响.
殷胜东马勇籍勇亮
关键词:ZAO薄膜电学性能磁控溅射
ZAO透明导电薄膜的制备及性质被引量:3
2006年
ZAO(ZnO:Al)透明导电薄膜是一种具有高的载离子浓度和宽禁带的半导体氧化物,电学和光学性能优异。极具应用前景。本文介绍了ZAO薄膜的制备现状、特性、磁控溅射参数对其电学和光学性质的影响以及今后研究的方向。
殷胜东马勇
关键词:ZAO薄膜电学性能光学性能磁控溅射
透明导电薄膜ZnO∶Al的组织结构分析
2006年
Zno∶Al(ZAO)透明导电薄膜具有高的载离子浓度和大的光学禁带宽度,因而具有优异的电学和光学性能,极具应用价值.本文研究了ZAO薄膜的微观组织结构、化学成分、及其应用前景.
殷胜东马勇王楠
关键词:ZAO薄膜化学成份
薄膜厚度对ZAO透明导电膜性能的影响被引量:3
2007年
采用直流反应磁控溅射法,用Al含量为2%的Zn/Al合金靶材,室温下在玻璃衬底上制备了ZAO透明导电薄膜样品.在其他参数不变的情况下,由不同溅射时间得到不同的薄膜厚度,研究了薄膜的结构性质、光学和电学性质随薄膜厚度的变化关系.制备的ZnO:Al薄膜具有(002)面的单一择优取向的多晶六角纤锌矿结构,电阻率为5.1×10-4Ω.cm,平均透射率达到88%.
靳铁良殷胜东
关键词:直流反应磁控溅射ZAO薄膜厚度光电性能
ZnO:Al薄膜的制备及其性质的研究
ZAO透明导电薄膜由于自身优良的光学和电学性质而备受人们青睐。与传统的ITO导电膜相比,ZAO导电膜具有如下一些突出的优点:原材料在自然界中的储量丰富、易于制造、成本低廉、无毒、热稳定性和化学稳定性好。因此,具有广阔的应...
殷胜东
关键词:直流反应磁控溅射微观结构光电性能
文献传递
气流场强度对直流磁控溅射ZAO薄膜性能的影响被引量:3
2007年
用含2%Al的Zn/Al合金靶材,在不同气流场强度下使用直流反应磁控溅射法在玻璃衬底上制备了ZAO(ZnO∶Al)透明导电薄膜样品。定义气流场强度等于总气流量除以总气压。结果表明:气流场强度的大小对ZAO薄膜的表面形貌和电导率有较大影响,对可见光的透射率影响不大。在Ar气压强为0.3Pa,流量为22sccm,O2气压强为0.08Pa,流量为10sccm,气流场强度约为84sccm/Pa时制备ZAO薄膜的最低电阻率为4.2×10-4Ω.cm,可见光透射率为90%。
殷胜东马勇靳铁良
关键词:ZAO薄膜直流反应磁控溅射电导率透射率
磁控溅射制备参数对ZnO∶Al光学性能的影响被引量:3
2006年
ZnO∶A l(ZAO)透明导电薄膜是一种n型半导体,有高的载离子浓度和大的光学禁带宽度,具有优异的电学和光学性能,有极广的应用前景.着重分析了磁控溅射制备参数对光学性能的影响.
殷胜东马勇殷霖
关键词:ZAO薄膜光学性能磁控溅射
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