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毛旭

作品数：24 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信理学机械工程自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇机械工程
  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇圆片
  • 7篇衰减器
  • 7篇可变光衰减器
  • 7篇键合
  • 7篇光衰减器
  • 4篇圆片级
  • 4篇式微
  • 4篇消色差
  • 4篇光孔
  • 3篇纳米
  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 2篇等离激元
  • 2篇低温键合
  • 2篇电池
  • 2篇电流
  • 2篇电子设备
  • 2篇电阻
  • 2篇电阻加热
  • 2篇淀积

机构

  • 24篇中国科学院

作者

  • 24篇毛旭
  • 23篇杨富华
  • 12篇杨晋玲
  • 9篇王晓东
  • 7篇魏伟伟
  • 5篇赵永梅
  • 4篇申超
  • 3篇杨香
  • 2篇王晓晖
  • 2篇颜伟
  • 2篇方志强
  • 2篇刘孔
  • 2篇李兆峰
  • 1篇白云霞
  • 1篇朱银芳
  • 1篇刘雯
  • 1篇黄亚军
  • 1篇季安
  • 1篇朱汇

年份

  • 2篇2024
  • 9篇2023
  • 4篇2015
  • 4篇2014
  • 4篇2012
  • 1篇2011
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法
本发明公开了一种基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法，通过选用富锡Sn合金成分Sn＝54％-71％，设计金锡厚度分别小于2.1μm和0.7μm，在一定压强、温度和时间内进行了金锡合金键合，形成了以具有高维氏硬度的AuSn...
毛旭杨晋玲杨富华
文献传递
表面等离激元激光器微腔
本公开提供一种表面等离激元激光器微腔，包括：半导体纳米线、多个金属椭球和半导体基板；其中，多个金属椭球以一维阵列形式排布在半导体基板表面，每个金属椭球半埋设于半导体基板中，半导体纳米线覆盖在多个金属椭球上且包覆每个金属椭...
彭轩然刘晶康亚茹李兆峰颜伟刘孔王晓晖毛旭杨富华
阵列型微机电可变光衰减器
本发明提供了一种阵列型微机电可变光衰减器。该阵列型微机电可变光衰减器通过使用固定遮光板与可动遮光块相结合的方法，有效低控制了光的散射和光束尺寸，实现了良好的光衰减性能。
毛旭吕兴东魏伟伟杨晋玲杨富华
文献传递
可变光衰减器阵列结构和电子设备
本公开提供了一种可变光衰减器阵列结构和电子设备。其中，该可变光衰减器阵列结构包括遮光结构和透镜结构。遮光结构接收入射光束的入射，用将入射光束转换成衰减光束；透镜结构位于遮光结构下方，用于将衰减光束转换为消色差聚焦光束，其...
毛旭赵永梅王晓东杨富华
一种挡光式微机电可变光衰减器的制作方法
本发明公开了一种挡光式微机电可变光衰减器的制作方法。该方法在微纳加工工艺的基础上，采用体硅加工技术制作可变光衰减器的固定挡光板和活动挡光板，通过在固定挡光板、活动挡光板上淀积挡光材料，起到对光束的遮挡限制作用；固定挡光板...
毛旭魏伟伟吕兴东杨晋玲杨富华
文献传递
基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置
本发明公开了一种基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置，该系统包括真空腔室、支架平台、键合装置、电流源和真空泵组，其中：真空腔室，用于提供键合所需的真空或惰性气氛；键合装置，位于真空腔室内部的支架平台上，用于对待键合...
毛旭方志强杨晋玲杨富华
文献传递
一种挡光式微机电可变光衰减器
本发明公开了一种挡光式微机电可变光衰减器，其包括：输入输出光纤、固定遮光板、可动MEMS器件、磁场产生装置和驱动电路；固定遮光板中心具有通光孔，驱动电路和固定遮光板的下表面与可动MEMS器件的上表面对准键合，可动MEMS...
毛旭吕兴东魏伟伟杨晋玲杨富华
文献传递
一维纳米颗粒链等离激元激光器微腔
本公开提供一种一维纳米颗粒链等离激元激光器微腔，包括：金属基板，为单晶金属制成；多个介质块，设置于所述金属基板表面，所述多个介质块高度相同且沿直线排列构成纳米颗粒链结构；通过改变所述多个介质块的设置参数以提高增益。
刘晶康亚茹彭轩然李兆峰颜伟刘孔王晓晖毛旭杨富华
全介质X字形凹槽超表面陷光结构GaAs基薄膜电池及其制备方法
本公开是一种全介质X字形凹槽超表面陷光结构的GaAs基薄膜电池及其制备方法。该全介质X字形凹槽超表面陷光结构的GaAs基薄膜电池包括：GaAs衬底，用于起支撑作用；GaAs活性层，形成于所述GaAs衬底上，用于作为薄膜电...
毛旭魏博余钢杨富华王晓东
基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法
本发明公开了一种基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法，通过选用富锡Sn合金成分Sn＝54％-71％，设计金锡厚度分别小于2.1μm和0.7μm，在一定压强、温度和时间内进行了金锡合金键合，形成了以具有高维氏硬度的AuSn...
毛旭杨晋玲杨富华
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