淳于宝珠
- 作品数：11 被引量：12H指数：2
- 供职机构：山东大学化学与化工学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学轻工技术与工程更多>>
- 晶态和非晶态氧化铁薄膜电极电化学和光电化学特性的比较
- 1995年
- 本文比较了利用CVD技术生长的a—Fe_2O_3和α—Fe_2O_3薄膜电极的电化学和光电化学特性.实验表明:在1MKOH电解液中,α—Fe_2O_3薄膜电极具有较大的阳极电流,较稳定的光电位和较大的光电流.二者都显示出n型半导体特性.a—Fe_2O_3的导带边缘能级较高.光照时,光生载流子的效率更高,但却易于复合.
- 张为灿淳于宝珠陈金庚
- 关键词：CVD薄膜电极光电流
- MOCVD法制备薄膜型SnO_2气敏元件被引量：1
- 1995年
- 本文报道了MOCV D技术制备的SnO_2薄膜型气敏元件。这种方法沉积的3nO_2薄膜耐酸碱性强,膜厚易控制,具有负温阻特性。测定了不同温度和不同气体条件下元件的特性,发现该元件对乙醇、丙酮气体具有较高的灵敏度,响应时间快;而对氢气、乙烯、煤气、液化石油气等不敏感,因而具有一定的选泽性。元件的稳定性较好。
- 赵世勇魏培海刘俊福淳于宝珠
- 关键词：MOCVD法气敏元件二氧化锡半导体薄膜
- 二氧化碳在P^+/P-Si半导体电极上光电化学还原的研究
- 1992年
- 1870年,Royer使用Zn电极将CO2还原为HCOOH。近年来,人们对CO2在几十种金属电极上的电化学还原进行了深入的研究。但普遍存在的问题是CO2在金属电极上还原的过电位较大,导致耗电较多。而半导体电极能吸收光能降低CO2还原的过电位,所以人们对CO2在半导体电极上的光电还原进行了探讨,使用的光阴极材料有P-GaP,P-GaAs,P-InP,P-CdTe。半导体Si的禁带宽度Eg=1.12eV,
- 淳于宝珠刘俊福
- 关键词：二氧化碳光阴极
- OH^-接枝的有机硅高分子膜湿敏元件
- 1996年
- 本文用OH^-接枝有机硅高分子聚合物,制备出了高分子湿敏元件。元件在15％—100％RH范围内,电阻变化达5个数量级,吸湿响应时间为1—2分钟,脱湿响应时间为10秒左右。元件的耐水性特别好。
- 赵世勇淳于宝珠
- 关键词：湿敏元件有机硅高聚物高分子膜
- MOCVD—SnO_2薄膜对Si太阳能电池性能的影响被引量：1
- 1994年
- 用MOCVD法在α-Si太阳能电池上沉积SnO_2薄膜作为减反射层,约80nm厚的SnO_2薄膜可相对提高电池转换效率34%.
- 赵世勇刘俊福淳于宝珠
- 关键词：太阳能电池
- 掺杂聚乙烯咔唑的电化学行为
- 淳于宝珠魏立平刘俊福
- 关键词：膜电极聚乙烯咔唑电化学分析
- 掺杂对MOCVD—SnO_2薄膜气敏性能的影响被引量：2
- 1996年
- 本文在小瓷管上用MOCVD技术沉积SnO_2气敏薄膜,研究了Pd、Th掺杂对该SnO_2元件气敏性能的影响。掺杂Pd使元件对乙醇、汽油的灵敏度均增大,而掺杂Th则仅提高了对乙醇的灵敏度,对汽油的灵敏度反有所降低。因此有希望开发为不受汽油干扰的乙醇敏感元件。
- 赵世勇刘俊福张为灿淳于宝珠
- 关键词：掺杂气体传感器传感器二氧化锡
- 三甲胺气敏元件的研制被引量：5
- 1997年
- 本文用MOCVD技术在小瓷管表面沉积SnO_2薄膜,通过氢气退火处理,制备了可用于鱼品鲜度检测的三甲胺气敏元件。该元件对三甲胺有较高的灵敏度,响应时间快,工作温度低;对NH_5却不敏感,具有一定的选择性。另外,元件的长期稳定性也较好。
- 赵世勇刘俊福淳于宝珠
- 关键词：三甲胺气敏元件二氧化锡薄膜鱼品
- Sn掺杂对MOCVD—Fe_2O_3薄膜型气敏元件的影响
- 1996年
- 本文以四甲基锡为掺杂源,用MOCVD技术在小瓷管上沉积了Sn掺杂的Fe_2O_3薄膜。Sn的掺杂保持了Fe_2O_3薄膜原有的气敏规律和快速响应特性,却使元件的电阻碍以降低。同时抑制了薄膜中颗粒的生长,提高了元件的长期稳定性。
- 赵世勇张为灿魏培海刘俊福淳于宝珠
- 关键词：MOCVD掺杂气体传感器气敏元件
- CO_2在TiO_2薄膜修饰p/p^+-Si电极上的光电化学还原被引量：2
- 1996年
- ＣＯ_２在ＴｉＯ_２薄膜修饰ｐ／ｐ~＋－Ｓｉ电极上的光电化学还原魏培海，祁学永淳于宝珠（山东教育学院化学系济南２５００１３）（山东大学化学系济南）关键词二氧化碳，ＴｉＯ_２薄膜，光电化学，ｐ／Ｐ~＋－Ｓｉ电极在半导体电极表面实现ＣＯ２的光电化学还原，可获?..
- 魏培海祁学永淳于宝珠
- 关键词：光电化学氧化钛
