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焦丽颖

作品数:15 被引量:8H指数:2
供职机构:清华大学理学院化学系更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学化学工程一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 8篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇理学
  • 2篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 9篇碳纳米管
  • 9篇纳米
  • 9篇纳米管
  • 7篇单壁
  • 7篇单壁碳纳米管
  • 5篇电子器件
  • 4篇原子
  • 4篇原子晶体
  • 4篇晶体
  • 2篇电路
  • 2篇电路设计
  • 2篇掩模
  • 2篇掩膜
  • 2篇原貌
  • 2篇阵列
  • 2篇阵列结构
  • 2篇碳管
  • 2篇碳纳米管薄膜
  • 2篇图形化
  • 2篇气相沉积

机构

  • 9篇北京大学
  • 6篇清华大学
  • 1篇北京化工大学

作者

  • 15篇焦丽颖
  • 8篇刘忠范
  • 6篇张锦
  • 4篇张莹莹
  • 4篇现晓军
  • 2篇张依
  • 2篇章国明
  • 2篇范犇
  • 2篇吴迪
  • 1篇刘丽娜
  • 1篇王靖慧

传媒

  • 2篇科学通报
  • 1篇物理化学学报

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 4篇2008
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
单层二硫化钼的相态选择合成被引量:1
2019年
在漫长的自然进化与选择过程中,大自然不仅造就了丰富多彩的物质种类,也造就了多样的物质结构.结构决定性质及功能是物质世界中的一条朴素规律.以二硫化钼(MoS2)为例,它在自然界中以辉钼矿的形式存在,从外表上来看,二硫化钼和石墨很像,以其低摩擦系数和坚固性常被用作固体润滑剂.二硫化钼是一种典型的层状化合物,当热力学稳定的2H相以单层形式存在时,其呈现出优异的半导体性能,在电子器件、光电器件、催化.
刘丽娜焦丽颖
关键词:二硫化钼
第四主族金属硫族化合物二维材料研究进展被引量:2
2017年
第四主族金属硫族化合物具有丰富的晶体结构与组成.理论计算预测这类材料的二维晶体具有优异的热电、铁电、压电等性能.但是,目前这类材料的二维结构与性质研究的实验工作尚未系统展开.本文以这类材料二维结构与性质的关联性为切入点,系统展示了这类材料二维结构的合成进展,总结了其二维尺度上的独特性质,并对这类材料的发展前景及挑战进行了展望.
王靖慧焦丽颖
TiSe_2二维原子晶体的化学稳定性研究
二维过渡金属硫族化合物是一个蕴含着丰富物理内涵的新型材料家族。这类材料的能带结构与物理性质呈现出显著的层数效应,而层数对其化学稳定性及化学反应活性的影响尚无系统研究。我们以TiSe2这一电荷密度波材料作为切入点,系统地研...
孙丽妃焦丽颖
关键词:化学稳定性
文献传递
单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法
本发明提供一种单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法,属于纳电子器件技术领域。该方法包括:(1)在SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底上构建多个凸起和/或凹陷的微纳结构;(2)在衬底的一端采用微接触印刷法沉积催化剂,利用...
刘忠范焦丽颖现晓军张莹莹张锦
文献传递
过渡金属硫族化合物二维原子晶体的结构控制合成与物性调控
二维过渡金属硫族化合物(TMDCS)具有丰富的元素组成与材料特性,在纳电子器件领域及新型光电器件领域具有重要的应用前景。我们围绕着二维过渡金属硫族化合物的结构控制合成与物性调控开展了系列工作:建立了多种气相合成方法实现了...
焦丽颖
二硫化钼二维原子晶体化学掺杂研究进展被引量:5
2016年
以二硫化钼(MoS_2)为代表的半导体二维过渡金属硫族化合物(TMDCs)具有优异的光电特性,在新型电子器件领域展示出广阔的应用前景。二维MoS_2的性能调控与功能协同是实现其在电子器件领域实用化的关键。化学掺杂是调控二维MoS_2的性能并丰富其材料特性最为直接而有效的方法之一。本文重点介绍了基于表面电荷转移、面内取代以及层间插层策略的掺杂方法,讨论了各种掺杂方法的基本原理、最新进展以及局限性,最后展望了二维MoS_2掺杂研究面临的挑战与发展方向。
邢垒焦丽颖
关键词:化学掺杂插层
单壁碳纳米管电子器件的制备方法研究
单壁碳纳米管(SWNTs)完美的一维结构赋予了它优异的电学性能。基于单壁碳纳米管的一系列高性能原型器件展示了碳纳米管在未来纳电子器件领域广阔的应用前景。然而,碳纳米管器件的实用化还面临诸多挑战,如器件加工、手性控制以及器...
焦丽颖
关键词:单壁碳纳米管纳米压印技术
控制转移单壁碳纳米管阵列结构的方法
本发明提供一种控制转移单壁碳纳米管阵列结构的方法,属于纳米结构制备和加工技术领域。该方法包括:(1)在生长基底上制备单壁碳纳米管阵列结构;(2)在其制有单壁碳纳米管阵列结构的生长基底表面旋涂一层聚酯溶液,置于烘箱中烘烤除...
范犇焦丽颖刘忠范张锦张依
文献传递
单壁碳纳米管器件集成方法
本发明提供一种单壁碳纳米管器件集成方法,属于纳电子器件技术领域。该方法包括:(1)超长单壁碳纳米管阵列排布在异质基底上;(2)异质基底调控单壁碳纳米管的能带结构,沿管轴方向将碳纳米管进行切割,形成n型纳米管段、p型纳米管...
刘忠范焦丽颖现晓军张莹莹张锦
文献传递
单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法
本发明提供一种单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法,属于纳电子器件技术领域。该方法包括:(1)在SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底上构建多个凸起和/或凹陷的微纳结构;(2)在衬底的一端采用微接触印刷法沉积催化剂,利用...
刘忠范焦丽颖现晓军张莹莹张锦
文献传递
共2页<12>
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