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王建涛

作品数:10 被引量:8H指数:2
供职机构:中国科学院理化技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金全球变化研究国家重大科学研究计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术自动化与计算机技术文化科学电气工程更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇文化科学

主题

  • 10篇纳米
  • 5篇纳米线
  • 5篇硅纳米线
  • 4篇升温速率
  • 4篇无机纳米
  • 4篇线阵列
  • 3篇气相沉积
  • 3篇纳米材料
  • 3篇金属
  • 3篇金属催化剂
  • 3篇化学气相
  • 3篇化学气相沉积
  • 3篇
  • 3篇催化
  • 3篇催化剂
  • 2篇氧化性
  • 2篇阵列
  • 2篇蒸发温度
  • 2篇碳包覆
  • 2篇气相

机构

  • 10篇中国科学院
  • 2篇中国科学院研...

作者

  • 10篇王建涛
  • 8篇张晓宏
  • 7篇王辉
  • 5篇欧雪梅
  • 2篇李述汤
  • 2篇师文生
  • 2篇佘广为
  • 2篇赵文超
  • 1篇陈欢
  • 1篇杨坤

传媒

  • 3篇影像科学与光...
  • 1篇物理化学学报

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 2篇2013
  • 5篇2011
  • 1篇2009
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
芘分子共价修饰的硅纳米线制备及其发光性能表征被引量:1
2011年
将功能分子共价链接于硅纳米线表面,是发展硅纳米线性能,获得新的硅纳米线器件材料的重要手段.但是对硅纳米线表面的修饰却存在产生不可控制的表面氧化层的缺点,因此有必要发展一种温和的新方法.本文通过羟基(—OH)与硅纳米线表面Si—H键反应生成Si—O—C键,从而在硅纳米线表面引入功能分子.并通过芘醇分子在硅纳米线表面的固定化,证明了这一方法能够温和地实现对硅纳米线表面的共价键修饰.
赵文超王建涛王辉张晓宏
关键词:硅纳米线表面修饰
在金属衬底上定向生长一维无机纳米线阵列的方法
本发明公开了一种在金属衬底上大面积制备一维无机纳米线阵列的方法。该方法方法,包括如下步骤:1)将前驱体置于容器中,并将其放入真空管式炉的高温区;取金属衬底置于容器中,并将其放入所述真空管式炉中的低温区,距离高温区中心大概...
张晓宏王建涛王辉欧雪梅李述汤
VLS过程中压强控制合成一维无机纳米锥状结构材料的方法
本发明公开了一种制备一维无机纳米锥状结构材料的方法。该方法包括如下步骤:1)将前驱物和金属催化剂混合后置于容器中,并将其放入真空管式炉的高温区,将衬底置于低温区,使炉腔内呈无氧状态,然后通入非氧化性保护气体使所述炉腔内的...
张晓宏王辉王建涛欧雪梅
文献传递
硅纳米线阵列电极作为细胞色素c传感器的研究被引量:5
2009年
利用化学刻蚀法由p型硅片制备了硅纳米线阵列,经过表面去氧化层处理后,制备了检测蛋白质细胞色素c的电化学传感器.实验表明,硅纳米线阵列电极对细胞色素c有良好的电化学响应,并且在低浓度条件下具备线性响应的特点.根据与未经表面处理的硅纳米线阵列电极的实验结果相对比,提出了细胞色素c所具备的羧基末端与硅纳米线阵列电极表面的Si-H相互作用从而改善传感性能的检测机理.
杨坤陈欢赵文超王建涛王辉张晓宏
关键词:电化学传感器细胞色素C
一种碳包覆微纳层次结构硅负极材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种碳包覆微纳层次结构硅负极材料及其制备方法和应用,所述碳包覆微纳层次结构硅负极材料包括微纳层次结构硅颗粒和包裹在所述微纳层次结构硅颗粒外层的无定型碳层;其中所述微纳层次结构硅颗粒包括一个硅核和呈辐射状分布在...
佘广为璩方沐师文生王建涛
文献传递
以低熔点金属为催化剂的CVD方法制备硅及硅氧化物纳米材料
2011年
一维硅纳米材料由于具有优越的电子学、光学特性以及能够与传统的硅基工业相兼容等特点,使其控制制备倍受科研工作者的关注.在众多一维硅纳米材料的控制合成方法中,经典的气相-液相-固相(VLS)机制下的催化剂诱导生长是一种极为重要的控制合成方法.在VLS机制中,金属催化剂是影响一维纳米结构生长的最重要的因素之一,
王建涛张晓宏
关键词:金属催化剂纳米材料CVD一维纳米结构
一种碳包覆微纳层次结构硅负极材料及其制备方法和应用
本发明公开了一种碳包覆微纳层次结构硅负极材料及其制备方法和应用,所述碳包覆微纳层次结构硅负极材料包括微纳层次结构硅颗粒和包裹在所述微纳层次结构硅颗粒外层的无定型碳层;其中所述微纳层次结构硅颗粒包括一个硅核和呈辐射状分布在...
佘广为璩方沐师文生王建涛
具有超疏水表面的硅/二氧化硅层次结构薄膜被引量:2
2011年
目前报道的硅基材料的超疏水表面主要是通过制备粗糙微观结构, 并在其表面修饰表面能相对较低的有机物两个步骤来实现的, 在户外等实际环境中应用时存在由于表面修饰有机物的降解而逐渐失去超疏水性的问题. 本工作以液态金属锡作为生长衬底, 通过化学气相沉积(CVD)法制备了一种具有超疏水性能的硅基薄膜结构. 利用扫描电镜(SEM), 透射电镜(TEM)以及X射线衍射(XRD)等手段对产物的表面形貌和组成结构进行分析发现, 薄膜表面由竖直生长的硅/二氧化硅(Si/SiO2)核壳层次结构组成. 采用Cassie理论模型对其超疏水性能的产生提出了可能的解释. 发现构成薄膜表面的Si/SiO2层次结构单元的形貌是影响超疏水性能的重要因素. 相对于以前报道的硅基材料的超疏水表面, 这种新结构的超疏水性能不依赖于表面化学修饰, 有望拓宽硅基材料的应用环境.
王建涛张晓宏王辉欧雪梅
关键词:超疏水核壳结构硅纳米线化学气相沉积
在金属衬底上定向生长一维无机纳米线阵列的方法
本发明公开了一种在金属衬底上大面积制备一维无机纳米线阵列的方法。该方法方法,包括如下步骤:1)将前驱体置于容器中,并将其放入真空管式炉的高温区;取金属衬底置于容器中,并将其放入所述真空管式炉中的低温区,距离高温区中心大概...
张晓宏王建涛王辉欧雪梅李述汤
文献传递
VLS过程中压强控制合成一维无机纳米锥状结构材料的方法
本发明公开了一种制备一维无机纳米锥状结构材料的方法。该方法包括如下步骤:1)将前驱物和金属催化剂混合后置于容器中,并将其放入真空管式炉的高温区,将衬底置于低温区,使炉腔内呈无氧状态,然后通入非氧化性保护气体使所述炉腔内的...
张晓宏王辉王建涛欧雪梅
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