王琪珑
- 作品数：69 被引量：67H指数：5
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山东省科技攻关计划高等学校骨干教师资助计划更多>>
- 相关领域：化学工程理学一般工业技术电气工程更多>>
- 水热合成氮化硼过程中二次氮源加入温度对物相的影响
- 2007年
- 立方氮化硼是一种具有很高应用价值的超硬材料,但目前合成立方氮化硼需要十分苛刻的条件,严重限制了它的应用范围。为了在温和条件下合成立方氮化硼,我们提出了水热选相原位合成方法,并对主要的影响因素进行了研究。本文中,我们探讨了水热合成立方氮化硼过程中,二次氮源的加入温度对产物中物相种类及其含量的影响。结果表明:随着二次氮源加入温度的升高,样品中立方氮化硼的含量逐渐增加,当该温度达到300℃时,可以得到单相立方氮化硼。比较反常的是,当二次氮源的加入温度为260℃时,立方氮化硼的含量却反常地减少。为了解释这个现象,我们提出了一个物相转变势垒的初步模型,并对有关实验现象进行了初步分析。
- 李凯廉刚姜海辉赵显王琪珑崔得良陶绪堂
- 关键词：立方氮化硼水热合成
- 一种超长寿命室温磷光材料及其制备方法与应用
- 本发明提供了一种超长寿命室温磷光材料的制备方法，包括步骤：将硼源和氮源加入水中，搅拌均匀，得到混合液，将所得混合液置于反应釜中进行水热反应；反应完成后，自然冷却至室温，将所得的反应液进行加热处理，得到超长寿命室温磷光材料...
- 廉刚韩生会崔得良王琪珑
- 文献传递
- 一种用于调控高压气体压力的多模式智能控制系统
- 本实用新型涉及一种用于调控高压气体压力的多模式智能控制系统，属于化工设备技术领域，包括高压气瓶、调压阀门、时间控制器、主控电动阀、恒压控制器和信号切换开关。本系统同时引入了压力和时间两个控制变量，可以使高压气体的压力按照...
- 廉刚肖风龙崔馨航崔得良王琪珑
- 一种制备超薄壳层氮化硼纳米空心球的方法
- 本发明涉及一种制备超薄壳层壳层氮化硼纳米空心球的方法。该方法包括将氟硼酸铵、叠氮化钠和硫粉按质量比为1.02：(1～4)：(0.16～1.28)混合合均匀压制成块，然后装入反应釜并密封，在250～350℃下反应2～12小...
- 廉刚司海滨崔得良王琪珑
- 文献传递
- 一种具有绿色荧光的碳氧共掺杂氮化硼量子点及其制备方法与应用
- 本发明提供了一种具有绿色荧光的碳氧共掺杂氮化硼量子点及其制备方法与应用。其制备方法包括步骤：将硼酸、氮源和碳源加入去离子水中，经超声、干燥得到混合物；将所得混合物煅烧，之后经洗涤、干燥、研磨得到碳氧共掺杂氮化硼粉末；将所...
- 廉刚张旭韩生会崔得良王琪珑
- 水热法合成氮化硼晶体过程中的关键影响因素被引量：5
- 2004年
- 在水热条件下成功合成了氮化硼晶体 ,为了优化实验条件 ,本文对实验过程中的影响因素进行了研究 ,包括反应温度、反应原料的种类、配比以及反应时间。通过对XRD和TEM测试结果的分析可以知道 ,当反应原料摩尔配比N2 H4·H2 O∶H3 BO3 ∶NaN3 ∶NH4Cl为 1∶1∶3∶1时 ,在 4 0 0℃下反应 4 8h是水热法制备氮化硼晶体的最佳实验条件。
- 于美燕李凯郝霄鹏赖泽峰王琪珑崔得良
- 关键词：水热法氮化硼合成技术XRD反应温度
- 一种多功能机械高压原位拉曼测试池及其应用
- 一种多功能机械高压原位拉曼测试池，包括外高压筒，在所述外高压筒内、且沿径向由内而外嵌套有压杆部和导向筒部；在所述导向筒部的前端设置有窗口片；所述导向筒部的末端延伸设置在所述外高压筒的外部、且与所述外高压筒的末端通过紧固件...
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- 文献传递
- 一种合成立方氮化硼的低温固态反应方法
- 一种合成立方氮化硼的低温固态反应方法。将硼源、氮源和物相诱导剂按比例混合均匀后，装入密封的热压反应釜中，在100～600MPa压制成块状后停止加压。将热压反应釜加热到200～450℃后，再加压到50～650MPa恒温反应...
- 廉刚张晓崔得良王琪珑
- Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米晶体表面对氮分子的吸附作用被引量：2
- 2002年
- 研究了Ⅲ Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化状态对它们表面活性的影响 ,并比较了具有不同阳离子的纳米晶体对氮分子吸附能力的差异 ,对这些现象进行了解释 ;用XPS、红外光谱等测试手段对样品进行了性质表征。结果表明 :当Ⅲ Ⅴ族半导体纳米晶表面氧化严重时 ,其表面活性明显降低 ;含Ga的Ⅲ Ⅴ族半导体纳米晶对氮分子的吸附作用明显强于含In的纳米晶。这是因为Ga能够与氮分子形成较强的配位键 。
- 王立民刘振刚董守义于美燕郝霄鹏崔得良徐现刚王琪珑
- 关键词：半导体纳米晶体氮分子活化配位键
- 一种高等静压生长有机‑无机复合半导体晶体的方法
- 本发明涉及一种高等静压生长有机‑无机复合半导体晶体的方法，包括步骤如下：将有机‑无机复合半导体粉体与少量溶剂混合均匀，然后密封置于高等静压下，加热到60～350℃恒温6～720小时进行晶体生长，得到有机‑无机复合半导体晶...
- 崔得良刘阳赵天宇刘陟廉刚赵丹宋思德王琪珑
- 文献传递
