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甘正浩

作品数:4 被引量:4H指数:1
供职机构:南洋理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇一般工业技术

主题

  • 3篇铝基
  • 3篇SIO
  • 2篇气相沉积
  • 2篇铝表面
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 1篇显微结构
  • 1篇膜层
  • 1篇结合力
  • 1篇SIOX薄膜
  • 1篇AP
  • 1篇APCVD
  • 1篇CVD
  • 1篇常压化学气相...
  • 1篇X

机构

  • 4篇南洋理工大学
  • 4篇浙江大学

作者

  • 4篇甘正浩
  • 4篇沃银花
  • 4篇张际亮
  • 4篇郦剑
  • 2篇王幼文
  • 1篇沈复初
  • 1篇徐亚伯

传媒

  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇浙江大学学报...
  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
铝基APCVD沉积SiO_x膜层的光学性能研究被引量:1
2005年
采用低温常压化学气相沉积(APCVD)的方法在铝基底上制备硅氧化物陶瓷膜层.采用XPS、XRD、HRTEM、UV-VAS和NIRS等技术分析膜层的成分、结构组织和形貌特征,并测试了膜层的光学吸收性能.研究结果表明,SiOx中的硅氧原子比为1∶1.60~1∶1.75,硅氧化物陶瓷膜层大部分为非晶态组织,包含少量局部有序区域.SiOx陶瓷膜层沉积在铝基上后具有很高的紫外-可见光吸收率和较高的近红外光吸收率,产生机制是硅氧化物陶瓷膜层中氧空位存在局域电子态,电子吸收能量产生能级跃迁.
张际亮沃银花郦剑甘正浩徐亚伯
关键词:显微结构
铝表面SiO_X薄膜结合性能与机理研究被引量:1
2006年
应用化学气相沉积(CVD)方法在铝表面形成SiOX陶瓷涂层,通过弯曲实验研究了涂层与基体的结合性能。利用扫描电子显微镜(SEM)观察了弯曲部位的表面形貌,弯曲过程表述为表面凹坑与内部孔洞联合长大,形成长条裂纹状沟槽或突脊,最后裂纹长大直至断裂。研究表明,基底与膜层结合良好,形成高结合力的原因是铝基底与表面SiO膜层间过渡层中的AlO与SiO键合能很高,键合稳定。
张际亮郦剑沃银花王幼文甘正浩
关键词:铝基SIOX薄膜结合力
铝基SiOx膜层滑动磨损及其机理研究
2005年
本文采用低温常压CVD方法制备铝基SiOx陶瓷膜层。以黄铜为对磨材料 ,使用销 -盘式磨损试验机对比研究纯铝表面与SiOx膜层的滑动磨损性能 ,通过SEM分析磨损的表面形貌并分析其磨损机理。结果表明纯铝表面发生粘着磨损 ,存在大量塑性变形和折叠 ,导致片状脱落 ,磨损率高 ;SiOx薄膜硬度较高 ,存在孔隙 ,表面发生塑性变形、崩塌和磨粒磨损 ;因薄膜孔隙具有储存润滑剂 (水 )的作用 ,磨损率明显低于对比纯铝样品 ;随沉积时间增加 ,SiOx膜层变厚 ,承载能力提高 ,磨损量减小。
张际亮沃银花郦剑甘正浩
铝表面化学气相沉积SiO_x膜层的显微结构和性能被引量:4
2004年
采用低温常压化学气相沉积(CVD)方法在铝基底上制备了硅氧化物陶瓷膜层。使用SEM、XPS、AFM、XRD、HRTEM和UV VIS等技术分析了膜层的形貌、成分和组织结构特征,测试了膜层的孔隙率、光学和显微力学性能。结果表明:硅氧化物SiOx陶瓷膜层在铝基表面以气相反应沉积硅氧化物颗粒—颗粒嵌镶堆垛—融合长大的方式生成,大部分膜层为非晶态区域,其中包含少量局部有序区域,SiOx中的硅氧原子比为1∶1.60~1∶1.75,膜层疏松多孔,具有很高的紫外可见光吸收率,膜层与基底具有很好的结合性。
张际亮郦剑沃银花王幼文沈复初甘正浩
关键词:铝基
共1页<1>
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