田招兵
- 作品数：9 被引量：10H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程航空宇航科学技术更多>>
- 波长扩展InGaAs探测器的量子效率优化被引量：1
- 2008年
- 通过建立双异质结型InGaAs探测器光响应的理论模型,分别对正面和背面进光时InP基波长扩展In0.8Ga0.2As/In0.79Al0.21AsPIN探测器结构参数与光响应特性的关系进行了研究,模拟结果与采用GSMBE方法研制器件的实测数据吻合较好。此外,还提出了两种改良的背照射InGaAs探测器结构,并对其光响应特性进行了模拟计算,还基于模拟结果对器件结构参数进行了优化设计。
- 田招兵顾溢张晓钧张永刚
- 关键词：INGAAS光伏探测器量子效率
- 波长扩展InGaAs探测器及阵列宽带缓冲层和窗口层及制作方法
- 本发明涉及一种用于波长扩展InGaAs光电探测器及其阵列的宽禁带透明缓冲层及窗口层及制作方法，包括采用禁带宽度大于波长扩展InGaAs材料且适合采用分子束外延方法生长又方便控制的含铝三元或四元系材料体系、可有效避免失配位...
- 张永刚顾溢田招兵
- 文献传递
- 气态源分子束外延8元In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP光伏探测器阵列被引量：4
- 2006年
- 采用气态源分子束外延(GSMBE)生长技术结合常规半导体工艺制成了正进光台面型8元In0.53Ga0.47As/InP光伏探测器阵列,并对其特性进行了测量,结果表明GSMBE生长的材料具有很好的均匀性。探测器阵列在室温下具有良好的性能,在-10 mV反偏下探测器的暗电流约173 pA,单元间的相对标准差为1.3%;器件的峰值探测率为4.7×1011cm.Hz1/2/W,单元间的相对标准差为0.9%。
- 田招兵张永刚李爱珍顾溢
- 关键词：光伏探测器焦平面阵列INGAAS近红外
- 面向航天遥感应用的短波红外InGaAs光电探测器外延材料
- 张永刚顾溢李爱珍王凯李成李好斯白音李耀耀田招兵郝国强方祥曹远迎周立刘克辉李存才胡建
- 短波红外(1-3μm)波段因其高透过、高衬度等突出特点成为航天遥感的重要波段，也是物质检测等应用的优选波段。中国科学院上海微系统与信息研究所信息功能材料国家重点实验室针对该方面迫切需求以及及国际上对航天产品严格封锁禁运的...
- 关键词：
- 关键词：光电探测器航天遥感
- InGaAs/InAlAs异质结的H_3PO_4/H_2O_2系的湿法腐蚀被引量：1
- 2008年
- 采用了H3PO4/H2O2系化学腐蚀液对GSMBE外延的InGaAs/InP和InA lAs/InP材料湿法腐蚀特性进行了研究,研究了不同浓度和配比对于腐蚀速率和形貌影响。结果表明该腐蚀液体系具有良好的均匀性,腐蚀速率随浓度呈指数关系,表面形貌基本不受浓度影响。在增加腐蚀液中双氧水含量时,腐蚀速率先增大后减小,表面形貌良好;增加磷酸浓度腐蚀速率亦有增大趋势,表面出现尖锥状小丘。并对腐蚀液配比变化对腐蚀特性影响及腐蚀机理进行了讨论分析。
- 田招兵张永刚李爱珍顾溢
- 关键词：INGAAS/INALAS湿法腐蚀异质结
- InP基短波红外InGaAs探测器及其物理研究
- 本学位论文针对面向空间遥感应用的InP基短波红外InGaAs探测器阵列器件的要求，通过对器件结构参数的优化设计和工艺的优化研究，研制出了一系列适合空间遥感用的InP基晶格匹配和波长扩展的InGaAs探测器及其小规模阵列，...
- 田招兵
- 关键词：INGA
- InP基In_(0.53)Ga_(0.47)As光电探测器的量子效率优化(英文)被引量：3
- 2008年
- 建立了不同结构的InP基PIN型In0.53Ga0.47As探测器光响应的物理模型.通过引入收集效率函数,模拟计算了探测器量子效率和光响应.采用该模型分别研究了正面进光和背面进光情况下典型的In0.53Ga0.047As/InP PIN探测器的结构参数对器件量子效率的影响.在此基础上提出了两种改进的背照射InGaAs/InP探测器结构,并讨论了其结构参数的优化.
- 田招兵顾溢张永刚
- 关键词：短波红外INGAAS量子效率
- InGaAs/InP光伏探测器阵列钝化工艺及均匀性研究被引量：2
- 2008年
- 通过对气态源分子束外延结合常规器件工艺研制的晶格匹配InGaAs/InP光伏型探测器阵列光响应和暗电流特性的表征和比较,研究了聚酰亚胺和氮化硅两种钝化工艺对阵列器件性能和均匀性的影响,并对两种不同钝化膜阵列器件后续封装的可靠性进行了比较和分析。实验结果表明,气态源分子束外延材料具有良好的均匀性;氮化硅钝化器件总体性能上优于聚酰亚胺钝化器件。引线封装实验显示,SiN钝化膜有较好的抗冲击和热稳定性,具有更好的工艺相容性。
- 田招兵张永刚顾溢祝向荣郑燕兰
- 关键词：INGAAS光伏探测器焦平面阵列钝化气态源分子束外延
- 波长扩展InGaAs探测器及阵列宽带缓冲层和窗口层及制作方法
- 本发明涉及一种用于波长扩展InGaAs光电探测器及其阵列的宽禁带透明缓冲层及窗口层及制作方法，包括采用禁带宽度大于波长扩展InGaAs材料且适合采用分子束外延方法生长又方便控制的含铝三元或四元系材料体系、可有效避免失配位...
- 张永刚顾溢田招兵
- 文献传递
