程文超
- 作品数：11 被引量：13H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- δ掺杂硅n-i-p-i结构多量子阱吸收边的漂移被引量：1
- 1999年
- 本文报告了在δ掺杂硅ｎ－ｉ－ｐ－ｉ结构多量子阱中使用光电流技术观测到吸收边的场驱动蓝移，它不同于在ＧａＡｓ和ＧｅＳｉ超晶格中观察到的结果．这个新现象能够被载流子注入引起有效带隙的展宽所解释．基于有效质量近似，计算了自洽势和有效带隙随额外载流子浓度的变化，理论结果证实了实验结果的正确性．
- 程文超夏建白郑文硕黄醒良金载元林三镐瑞恩庆李亨宰
- 关键词：硅掺杂多量子阱吸收边漂移
- InP δ掺杂的输运特性被引量：1
- 1989年
- 测量了用MOCVD技术制造的InP δ掺杂样品的磁输运特性,量子化Hall效应和高电场下的热电子效应.得到了该样品的载流子分布,子能带结构,杂质传播宽度和电子迁移率等基本物理参数,观察到填充因子v=2的量子Hall平台和负微分电阻现象,建立和证实了δ掺杂样品的热电子传输模型.
- 程文超A.Zrenner叶秋怡F.Koch
- 关键词：掺杂
- GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结的热电子磁声子共振测量
- 1990年
- 在4.2K,我们测量了GaAs-Al_xGa_(1-x)As异质结的二维热电子的磁声子共振。高电场下,SdH振荡消失以后,在二维系统中,除清楚地观察到LO声子振荡外,还观察到X点双TA声子振荡。
- 程文超李月霞梁基本
- 关键词：GAAS-ALGAAS异质结
- 氢化非晶硅氧薄膜微结构被引量：2
- 2002年
- 以Raman散射、X射线电子能谱和红外吸收光谱细致研究了PECVD法250℃衬底温度下制备的氢化非晶硅氧（a-SiOx:H）薄膜的微结构及键构型.研究表明,在0.525≤x≤1.58的氧含量范围内,a-SiOx:H薄膜成分和结构不是均一的,依赖于局域键构型氧化程度的不同,大致存在着5种在一定程度上相互分离的结构组分,即Si,SiO（:H）,SiO（:H）,SiO2（:H）和SiO2.其中的Si相以非氢化的非晶硅（a-Si）颗粒形式存在,随氧含量x的增加其尺度持续减小但始终存在.提出一种多壳层模型来描述a-SiOx:H薄膜的结构,认为a-SiOx:H薄膜中a-Si颗粒依次为Si2O（:H）,SiO（:H）,Si2O3（:H）和SiO2壳层所包围.随薄膜氧含量x的增加,各壳层厚度相应变化但各自的化学构成基本保持不变.
- 王永谦廖显伯刁宏伟陈长勇张世斌徐艳月陈维德孔光临程文超李国华
- 关键词：微结构PECVD法发光机制
- GaAs－Al_xGa_（1－x）As异质结中二维热电子的负磁阻效应
- 1994年
- 在ＧａＡｓ－ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ异质结中，我们观察到二维热电子的负磁阻效应，随着电场强度的增加，负磁阻效应增强，对我们的样品而言，Δσ／σ（０）的幅度可达２０％以上．一个简单的理论分析表明：实验结果能够被弱磁场中的电子能量弛豫率的增加导致二维热电子的磁冷却所解释．
- 程文超朱景兵李月霞宋爱民郑厚植
- 关键词：异质结负阻效应热电子
- GaAs/AlAs脊形量子线的光学研究被引量：1
- 1998年
- 利用分子束外延技术，在ＧａＡｓ两个（１１３）晶面的脊形交接处制备了量子线．在低温ＰＬ谱上，观测到量子线的发光峰．通过微区、变温和偏振的发光测量，证实了量子限制效应和一维量子线在上述结构中的存在．
- 程文超张子平李国华牛智川徐仲英
- 关键词：砷化镓砷化铝分子束外延
- δ掺杂GaAs超晶格的辐射跃迁
- 1999年
- 低温下观察了弱耦合δ掺杂ＧａＡｓ超晶格的辐射复合发光．实验结果表明：除观察到基态的复合发光外，还观察到激发态的复合发光．基于有效质量近似理论，计算了能带结构和发光光谱，理论结果与实验结果符合得很好．
- 程文超夏建白李国华谭平恒郑厚植
- 关键词：Δ掺杂超晶格辐射跃迁砷化镓MBE
- 氢化非晶氧化硅薄膜的微结构及光致发光的研究被引量：1
- 1998年
- 采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)技术制备了一组氧含量不同的氢化非晶氧化硅 (a SiOx∶H)薄膜 ,室温下在 5 5 0～ 90 0nm的波长范围内观察到了两个强的发光带 :一个是由峰位在 6 70nm( 1 85eV)左右的主峰和峰位在 835nm( 1 46eV)的伴峰组成的包络 ,另一个只能在氮气氛中 1 1 70℃退火后的样品中观测到 ,峰位大约在 85 0nm .通过对红外谱和微区Raman谱的分析 ,认为这两个发光带可能分别与存在于薄膜中的a Si原子团和Si纳米晶粒有关 .
- 马智训廖显伯程文超岳国珍王永谦何杰孔光临
- 关键词：光致发光非晶态氧化硅微结构
- SiO_x∶H(0<x<2)薄膜光致发光的退火行为研究被引量：6
- 1998年
- 采用退火后处理的方法，使ＳｉＯｘ∶Ｈ（０＜ｘ＜２）形成纳米硅与二氧化硅的镶嵌结构．利用红外透射谱、Ｒａｍａｎ谱和光致发光谱，系统地研究了不同退火温度对薄膜微结构及室温光致发光谱的影响．发现发光谱均由两个Ｇａｕｓｓ线组成，其中主峰随着退火温度的升高而红移，而位于８３５ｎｍ的伴峰不变．指出退火前在７２０—６１０ｎｍ的波长范围内强的主峰可能来源于膜中的非晶硅原子团，随退火温度的升高主峰的红移是由于非晶硅原子团的长大．而伴峰可能来自硅过剩或氧欠缺引入的某种发光缺陷．１１７０℃退火后在８５０ｎｍ附近出现强的谱带与纳米硅的析出有关，支持了量子限制效应发光模型．
- 马智训廖显伯何杰程文超岳国珍王永谦刁宏伟孔光临
- 关键词：纳米硅氧化硅光致发光退火
- GaAs/AlGaAs量子点阵的制备及其荧光特性
- 1998年
- 采用电子束曝光和反应离子刻蚀的工艺，将ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ量子阱外延材料制成量子点阵，其光荧光谱显示出蓝移，并且蓝移量随着量子点直径尺寸的减少而增大．
- 王杏华李国华李承芳李月霞程文超宋爱民刘剑王志明
- 关键词：荧光特性砷化镓铝镓砷
