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章安辉

作品数:16 被引量:15H指数:2
供职机构:中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术金属学及工艺机械工程更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 8篇电子电信
  • 4篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 6篇单晶
  • 4篇碳化硅
  • 4篇SIC
  • 3篇碳化硅单晶
  • 3篇硅单晶
  • 2篇弹簧
  • 2篇弹簧钢
  • 2篇断裂失效分析
  • 2篇砷化镓
  • 2篇SIC单晶
  • 2篇V
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化硅
  • 1篇钝化层
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇扫描电镜
  • 1篇扫描电子显微...
  • 1篇砷化镓表面
  • 1篇砷化镓单晶

机构

  • 8篇中国电子科技...
  • 5篇中国电子科技...
  • 2篇西安电子科技...
  • 1篇天津大学
  • 1篇天津市教育招...

作者

  • 14篇章安辉
  • 4篇王香泉
  • 3篇冯玢
  • 3篇丁丽
  • 3篇严如岳
  • 3篇洪颖
  • 3篇郝建民
  • 3篇刘立娜
  • 2篇李劼
  • 2篇李雨辰
  • 2篇马农农
  • 2篇李宝珠
  • 2篇王泽
  • 1篇曹全喜
  • 1篇何友琴
  • 1篇周智惠
  • 1篇何秀坤
  • 1篇周智慧
  • 1篇蔺娴
  • 1篇周智慧

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 3篇现代仪器
  • 1篇电子科技
  • 1篇分析仪器
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇科技信息
  • 1篇第七次华北五...

年份

  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2008
  • 2篇2006
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
用体式显微镜研究SiC单晶中的微管缺陷
2009年
用拉曼光谱、X射线双晶衍射仪以及体式显微镜,对升华法生长的6H-SiC单晶品质、SiC单晶中的微管缺陷进行表征。通过对SiC单晶腐蚀前后的微管数目比较发现,微管尺寸和其所形成的腐蚀坑大小并不是呈线性关系,腐蚀前后用体式显微镜观察到的微管数目大致相等。从实验数据发现,微管的尺寸有最小值,这给SiC微管密度分布,提供了一种无损检测方法。
李劼章安辉何秀坤曹全喜秦涛
关键词:微管SIC计数
紫外光激发下砷化镓表面特性研究
任殿胜马农农李雨辰何友琴章安辉
研究了砷化镓晶片在自然氧化条件下的表面特性,探讨了自然氧化层形成的反应机理和动力学过程,开展了紫外光激发下砷化镓表面氧化反应的研究,通过与砷化镓晶片表面的自然氧化层特性的对比,弄清了紫外光激发下氧化反应的机理,建立了反应...
关键词:
关键词:紫外光砷化镓
弹簧钩断裂失效分析被引量:3
2012年
弹簧在使用过程中,要承受交变应力的作用,故而对材料疲劳强度有着很高的要求。不当的热处理和加工工艺会严重降低弹簧的疲劳强度,从而使弹簧过早地产生疲劳断裂失效。本文使用扫描电子显微镜对弹簧断口进行观察分析,找出断裂原因,为改进工艺提供依据。
章安辉王泽林华
关键词:弹簧钢扫描电子显微镜
碳化硅单晶微管道缺陷研究
SiC晶体被称为第三代宽禁带半导体材料,具有宽带隙,高击穿电场,高饱和电子漂移速度和高导热性,是制作高温度,高功率,高频率和低损耗器件的良好材料。微管道是目前影响SiC晶体材料质量重要缺陷,因此SiC晶体微管道的测量和表...
章安辉
关键词:碳化硅单晶晶体生长密度测量
文献传递
弹簧钩断裂失效分析
弹簧在使用过程中,要承受交变应力的作用,故而对材料疲劳强度有着很高的要求.不当的热处理和加工工艺会严重降低弹簧的疲劳强度,从而使弹簧过早地产生疲劳断裂失效.
章安辉王泽
关键词:弹簧钢金相组织
文献传递
碳化硅单晶微管道缺陷测试研究被引量:2
2011年
本文着重研究了SiC晶体微管道测量的两种方法,即KOH腐蚀法和不腐蚀测试法,并对方法及其测量结果进行比较分析,实现对SiC单晶微管道缺陷这一表征SiC单晶质量的重要参数的快速准确的测量。
章安辉李劼
关键词:SIC微管道伯格斯矢量
无氧铜密封件漏气原因的金相显微分析被引量:2
2010年
用于电真空器件密封用的无氧铜在使用中漏气,利用金相显微技术对不同氧含量的无氧铜进行对比分析,发现:无氧铜中氧含量偏高,出现"氢病",造成微裂纹,导致无氧铜在使用过程中出现漏气。
丁丽章安辉李宝珠周智惠刘立娜
关键词:无氧铜微裂纹
大尺寸砷化镓单晶结构的缺陷检测方法
大尺寸砷化镓单晶结构的缺陷检测方法,包括研磨,抛光:机械抛光或化学抛光,采用化学抛光液配方为硫酸∶双氧水∶水=3∶1∶1;位错腐蚀,将氢氧化钾放在银坩埚内加热,使氢氧化钾熔化加热至澄清状态时即放入晶片试样进行腐蚀,然后取...
周智慧章安辉王香泉
文献传递
Si_3N_4钝化层质量分析研究被引量:1
2009年
采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)、二次离子质谱仪(SIMS)等多种微分析手段对失效器件芯片表面生成物产生原因进行了分析,同时结合器件制备工艺和器件可靠性实验分析了Si3N4钝化层质量与工艺的关系。通过大量分析实验,确定了器件失效的重要原因是Si3N4钝化层存在缺陷而导致器件因表面漏电而失效。实验结果表明,将Si3N4钝化层中SiOx含量控制在10%以下,器件管壳内水分控制在1%以下,器件经过1 000 h电老化后芯片表面无生成物产生。
丁丽严如岳何秀坤李宝珠李雨辰何友琴马农农章安辉刘立娜
关键词:氮化硅钝化层生成物
掺V6H-SiC单晶生长表面V析出相研究
2011年
采用扫描电镜(SEM)和光学显微镜(OM)观察物理气相传输(PVT)法生长掺V6H-SiC单晶新鲜表面时,发现具有特定形状的析出相,经SEM能谱(EDX)测试确定析出相的主要成分是V,推断其在单晶生长结束后的降温过程中产生。通过对V析出相的进一步研究发现其在数量、尺寸以及方向上都与单晶生长中心具有一定的关系,具有特定的分布规律,任何一个视场,析出相的取向只有两种,且数量相当,这一结果说明结晶动力学对V的掺入具有一定的影响;当结晶温度较高时,这种影响不明显,但随着结晶区温度的降低,影响加剧,从而出现析出相,且析出相的结晶行为完全受晶体表面形貌的制约。
洪颖郝建民冯玢王香泉章安辉
关键词:6H-SIC
共2页<12>
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