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胡伟

作品数：2 被引量：9H指数：2
供职机构：复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇CMOS
  • 1篇低噪
  • 1篇低噪声
  • 1篇低噪声放大器
  • 1篇电路
  • 1篇噪声系数
  • 1篇增益
  • 1篇射频
  • 1篇射频电路
  • 1篇阻抗匹配
  • 1篇线性度
  • 1篇功率增益
  • 1篇放大器
  • 1篇高线性
  • 1篇高线性度
  • 1篇CMOS_R...
  • 1篇CMOS低噪...

机构

  • 2篇复旦大学

作者

  • 2篇胡伟
  • 2篇张振勇
  • 2篇杨莲兴
  • 1篇陈金福
  • 1篇赵勇

传媒

  • 2篇半导体技术

年份

  • 2篇2002
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
一个950MHz CMOS低噪声放大器的设计被引量：5
2002年
介绍了一个采用0.18mm 1.8V RF CMOS工艺,适合 GSM接收器,中心频率为950MHz的低噪声放大器(LNA)的设计过程,并给出了spectreRF的模拟结果。在935～960MHz频带内,LNA功率增益大于16dB,阻抗匹配系数S11小于-18dB,噪声系数(NF)小于2.7dB,IIP3为-3.06dBm,1dB压缩点为-10.955dBm,功耗小于20mW。
张振勇胡伟赵勇杨莲兴
关键词：低噪声放大器噪声系数功率增益阻抗匹配CMOS
采用0.18μm CMOS RF模型的高线性度降频混频电路的设计被引量：4
2002年
介绍了降频混频电路的电路结构及其工作原理, 并且着重分析了一种高线性度的实现方法。电路采用了0.18μm CMOS RF模型, 通过仿真,得出了令人满意的结果.
胡伟陈金福张振勇杨莲兴
关键词：高线性度CMOS射频电路
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共1页<1>
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