胡大治
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：南京大学物理学院固体微结构物理国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- Ge_2Sb_2Te_5薄膜相变的内耗
- 2010年
- 采用脉冲激光沉积法在Si衬底制备了Ge2Sb2Te5合金薄膜,利用双端夹持音频簧振动技术在kHz范围内研究其由相变所引起的内耗谱,并通过电阻率测量加以验证.结果表明:在Ge2Sb2Te5薄膜的非晶相到立方相、立方相到六方相转变的温度范围内,出现了与相变有关的内耗峰P1和P2,其峰位置与升温速率有关且满足Kissinger关系;内耗峰P1和P2的相变激活能分别为(1.91±0.19)和(3.38±0.33)eV.
- 胡大治薛若时吕笑梅朱劲松
- 关键词：GE2SB2TE5薄膜相变内耗
- Ge2Sb2Te5薄膜相变的内耗
- 采用脉冲激光沉积法在Si衬底制备了Ge2Sb2Te5合金薄膜,利用双端夹持音频簧振动技术在kHz范围内研究其由相变所引起的内耗谱,并通过电阻率测量加以验证.结果表明:在Ge2Sb2Te5薄膜的非晶相到立方相、立方相到六方...
- 胡大治薛若时吕笑梅朱劲松
- 关键词：GE2SB2TE5薄膜相变内耗
- 文献传递
- 淀积气压对脉冲激光淀积La掺杂钛酸铅薄膜介电性能的影响被引量：1
- 2004年
- 利用脉冲激光淀积法在Pt Ti SiO2 Si衬底上制备了 2 8mol%La掺杂钛酸铅薄膜 .采用不同的淀积氧气压 ,并分析了其对薄膜微观结构和介电性能的影响 .结果表明 ,在 2Pa左右的气压下淀积的薄膜具有好的结晶度和介电系数 .在频率为 10kHz时 2 8mol%La掺杂钛酸铅薄膜的介电系数达 85 2 ,并且保持了较低的损耗 .同时制备了其他La掺杂浓度的PbTiO3薄膜 ,发现它们也有类似的特点 .
- 胡大治沈明荣
- 关键词：LA掺杂PBTIO3脉冲激光钛酸铅SIO2介电系数
