胡海龙
- 作品数：8 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 相关领域：化学工程更多>>
- 烧结助剂种类对Si_3N_4/SiC陶瓷力学与摩擦性能的影响（英文）被引量：2
- 2014年
- 分别以Y2O3-Al2O3(YA)和Y2O3-MgO(YM)为烧结助剂,采用气压烧结工艺制备了Si3N4/SiC陶瓷,研究了两种不同的烧结助剂对陶瓷的力学和摩擦性能的影响。研究结果表明:添加不同种类的烧结助剂对制备陶瓷的相对密度、抗弯强度、断裂韧性、硬度、摩擦系数和磨损率影响很大;与添加烧结助剂YM相比较,添加烧结助剂YA的Si3N4/SiC陶瓷在烧结过程中表现出了更好的烧结性能,得到的陶瓷样品最终显示了更好的力学和摩擦性能,尤其是SiC添加量为20wt%的Si3N4/SiC陶瓷。这主要归因于烧结助剂YA的添加使Si3N4/SiC陶瓷呈现出了更高的相对密度,获得的晶粒长径比更小。
- 胡海龙曾宇平左开慧夏咏锋姚冬旭
- 关键词：SI3N4SIC陶瓷烧结助剂抗弯强度
- 利用多晶Si切割废料制备氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷的方法
- 本发明公开了一种利用多晶Si切割废料制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>与SiC复相多孔陶瓷的方法，以多晶Si切割废料为原料，添加烧结助剂，机械球磨混合均匀成浆料；将浆料进行干燥、过筛、干压成型，并...
- 胡海龙曾宇平左开慧夏咏锋姚东旭孙庆波
- 文献传递
- 一种采用反应烧结工艺制备氮化硅-碳化硅复合陶瓷材料的方法
- 本发明公开了一种采用反应烧结工艺制备氮化硅-碳化硅复合陶瓷材料的方法，所述方法包括浆料的制备、素坯的干压成型及对成型后坯体进行反应烧结和后烧结处理。利用本发明制备方法制得的氮化硅-碳化硅复合陶瓷材料的最大体密度可达2.9...
- 胡海龙曾宇平左开慧夏咏锋姚东旭孙庆波
- 文献传递
- 利用多晶Si切割废料制备氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷的方法
- 本发明公开了一种利用多晶Si切割废料制备Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>与SiC复相多孔陶瓷的方法，以多晶Si切割废料为原料，添加烧结助剂，机械球磨混合均匀成浆料；将浆料进行干燥、过筛、干压成型，并...
- 胡海龙曾宇平左开慧夏咏锋姚东旭孙庆波
- 文献传递
- 一种采用反应烧结工艺制备氮化硅-碳化硅复合陶瓷材料的方法
- 本发明公开了一种采用反应烧结工艺制备氮化硅-碳化硅复合陶瓷材料的方法，所述方法包括浆料的制备、素坯的干压成型及对成型后坯体进行反应烧结和后烧结处理。利用本发明制备方法制得的氮化硅-碳化硅复合陶瓷材料的最大体密度可达2.9...
- 胡海龙曾宇平左开慧夏咏锋姚东旭孙庆波
- 文献传递
- 氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法
- 本发明公开了一种Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>与SiC复相多孔陶瓷，其氮化率高于85%，孔隙率为30～60%。其制备方法为：①以Si和SiC为原料，添加烧结助剂，球磨混合均匀成浆料；②将浆料进行干...
- 胡海龙曾宇平左开慧夏咏锋姚东旭孙庆波
- 文献传递
- 反应烧结制备Si3N4/SiC复相陶瓷及其力学性能研究被引量：7
- 2014年
- 以两种不同配比Y2O3/Al2O3(A,2:3;B,3:1,总量15 wt%)为烧结助剂,通过添加不同质量分数的SiC粉体,反应烧结制备了高强度的氮化硅/碳化硅复相陶瓷。并对材料的相组成、相对密度、显微结构和力学性能进行了分析。结果表明:在1700℃保温2 h情况下,烧结助剂A与B对应的样品中α-Si3N4相全部转化为β-Si3N4;添加5wt%SiC,烧结助剂A对应样品的相对密度达到最大值94.8%,且抗弯强度为521.8 MPa,相对于不添加SiC样品的抗弯强度(338.7 MPa)提高了约54.1%。SiC能有效改善氮化硅基陶瓷力学性能,且Si3N4/SiC复相陶瓷断裂以沿晶断裂方式为主。
- 胡海龙姚冬旭夏咏锋左开慧曾宇平
- 关键词：SI3N4烧结助剂
- 氮化硅与碳化硅复相多孔陶瓷及其制备方法
- 本发明公开了一种Si<Sub>3</Sub>N<Sub>4</Sub>与SiC复相多孔陶瓷，其氮化率高于85%，孔隙率为30～60%。其制备方法为：①以Si和SiC为原料，添加烧结助剂，球磨混合均匀成浆料；②将浆料进行干...
- 胡海龙曾宇平左开慧夏咏锋姚东旭孙庆波
- 文献传递
