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莫庆伟

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇量子
  • 2篇量子点
  • 1篇电子显微镜
  • 1篇砷化铟
  • 1篇透射
  • 1篇退火
  • 1篇热退火
  • 1篇显微镜
  • 1篇量子点材料
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇TEM
  • 1篇INAS/G...

机构

  • 2篇中国科学院
  • 1篇北京科技大学

作者

  • 2篇莫庆伟
  • 2篇范缇文
  • 1篇王占国
  • 1篇白元强

传媒

  • 1篇北京科技大学...
  • 1篇第五届全国分...

年份

  • 2篇1999
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
热退火InAs/GaAs量子点材料中砷沉淀的研究
射击电子显微镜和Raman散射谱对InAs/GaAs量子点材料在退火过程中微观结构的行为进行了研究，实验结果表明五周期的InAs/GaAs量子点材料在砷压下，经700℃，60分钟退火后，其GaAs盖层的表面上出现了岛状沉...
范缇文莫庆伟王占国
关键词：INAS/GAAS量子点材料
分子束外延InAs量子点材料的透射电子显微镜研究
1999年
报道了利用分子束外延技术在（001）GaAs衬底上生长的单层及多层InAs量子点材料的透射电子显微镜（TEM）研究结果，并对量子点的结构特性进行了讨论．结果表明：多层量子点呈现明显的垂直成串排列趋势；随着InAs量子点层数的增加，量子点的密度下降，其尺寸随层数的增加趋向均匀．在试验条件下，5层量子点材料的InAs量子点厚度和GaAs隔离层的厚度的选择都比较合理，其生长过程中的应变场更有利于自组织量子的形成．
白元强莫庆伟范缇文
关键词：分子束外延量子点电子显微镜TEM砷化铟
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共1页<1>
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