赵特秀
- 作品数：25 被引量：80H指数：4
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 射频溅射Pd薄膜的电阻率研究被引量：4
- 1990年
- 本文研究了溅射Pd薄膜的电阻率与膜厚关系和不同溅射功率下Pd薄膜电阻率,结果表明,电阻率与膜厚的关系与现有的薄膜电阻率尺寸效应的理论基本相符,存在的差异主要是由溅射对衬底温度影响而引起的,并显示玻璃衬底上生长膜也有择优取向,溅射功率的变化对电阻率有一定的影响,进一步讨论溅射过程中衬底温度变化的问题,得出膜电阻率随衬底温度变化的定量关系式。
- 施一生赵特秀刘洪图王晓平
- 关键词：射频溅射PD电阻率
- 磁控溅射MO薄膜电阻率的原位研究被引量：7
- 1993年
- 研究了磁控溅射Mo薄膜的电阻率与薄膜厚度的关系。对Mo薄膜的电阻率进行了原位测量,得到电阻率与薄膜厚度的实验曲线。经拟合计算得到Mo薄膜电阻率与薄膜厚度关系的理论曲线。将实验曲线与理论曲线比较,结果显示在薄膜厚度较大时,电阻率与薄膜厚度的关系与Fuchs-Sondheimer(F-S)理论基本符合,如果计入晶粒尺寸对电阻率的贡献则完全符合F-S理论。并得到Mo薄膜尚未形成连续性薄膜前的导电机制为热电子发射机制的结论。
- 季航赵特秀王晓平董翊
- 关键词：钼电阻率磁控溅射原位
- 光学声子色散关系对多孔硅喇曼谱的影响被引量：3
- 1995年
- 测量了多孔硅的喇曼光谱，观察到谱峰有明显的红移和非对称性展宽效应．用微晶模型对此现象进行了解释：认为谱峰的这种变化不完全是由尺寸的空间限制效应和多孔硅的应变造成的，更主要的是多孔硅的色散关系发生了变化．采用不同的色散关系对谱峰进行了拟合，发现色散关系对喇曼谱的拟合有较大的影响．
- 王晓平赵特秀刘磁辉朱弘刘宏图
- 关键词：多孔硅色散散射谱光学声子
- Au、Al/a-Si:H热退火行为研究被引量：1
- 1989年
- 本文借助改进的干涉增强喇曼散射技术、AES分析和高温金相显微镜在位观察研究了Au、Al/a-Si∶H系统的真空热退火行为.发现受金属复盖的a-Si∶H的晶化温度和其激活能均比未复盖的a-Si∶H要低得多;a-Si∶H上的Al-Si互溶温度也比C-Si上的低,并且该互溶作用在350℃退火后加剧;Al诱导的a-Si∶H晶化后,在表面上有一连续的低阻Si(Al)析出层,它可Al/a-Si∶H的肖特基结转为欧姆结.
- 金澍刘洪图赵特秀吴志强沈波许振嘉
- 关键词：非晶硅金属诱导晶化热退火
- 多孔硅层晶格畸变的X射线双晶衍射研究
- 1993年
- 利用X射线双晶衍射方法,对从同一Si(111)基片上切割的两块样品,在不同电解电流密度下,腐蚀形成的多孔硅层相对于基体硅的晶格畸变进行了分析。这两块样品晶格的畸变明显不同。其中电流密度较小的样品畸变较大,其多孔硅层对于基体硅在垂直和平行于晶体表面的方向上,晶格有不同程度的膨胀,搁置一段时间后,两者晶格渐渐匹配,但存在着弯曲。两者的(111)晶面取向亦有偏差。电流密度较大时多孔硅层较厚,其双晶反射强度很低,且弥散地迭加在基体硅反射峰上。
- 何贤昶吴自勤赵特秀吕智慧王晓平孙国喜
- 关键词：多孔硅晶格畸变X射线衍射
- 氯在GaAs(110)表面的吸附
- 1989年
- 测量了吸附不同量的氯后GaAs(110)表面UPS谱及功函数的变化。结果表明随氯吸附量的增加,其功函数变大。提出功函数的改变主要由电离能的变化而引起。
- 徐彭寿赵特秀季明荣吴建新刘先明
- 关键词：氯
- Pd/a-Si:H界面的光电子能谱研究
- 1989年
- 本文利用光电子能谱(XPS、UPS)技术研究了Pd淀积层与离子注入制备的a-Si∶H层组成的系统.本工作分析了Pd/a-Si∶H的界面键合状态及组分分布的变化对价带谱与芯能级谱的影响,并与Pd/C-Si系统的结果进行了比较.结果表明:Pd/a-Si∶H界面具有与Pd/C-Si界面相似的电子结构;但是,Pd原子在a-Si∶H中具有较大的扩散速率,因此,处于更富Si的环境中。
- 赵特秀沈波刘洪图季明荣吴建新许振嘉
- 关键词：半导体非晶硅硅化物
- Ｐｄ／Ｗ／Ｓｉ（Ⅲ）双层膜的界面反应研究
- 赵特秀刘洪图施一生
- 关键词：集成电路化学反应
- Pd/a-Si:H界面反应研究
- 1990年
- 本文使用IERS(干涉增强喇曼散射),TEM和SIMS等方法研究了Pd/a-Si:H界面反应的热退火行为,发现Pd/a-Si:H界面在室温下形成非晶互混层;经160℃退火,形成晶态Pd_2Si相,比Pd/c-Si界面反应温度低;经500℃退火,未与Pd反应的非晶硅出现晶化现象。本文还观察了界面反应过程中氢的行为,发现由于界面反应,导致a-Si:H中的氢在较低温度下就开始释放。
- 沈波赵特秀刘洪图吴志强金澍许振嘉
- 关键词：硅化物喇曼散射TEM法
- Pd/c-Si界面反应研究被引量：1
- 1990年
- 运用X 射线衍射(XRD)、Anger 电子能谱(AES)等方法研究了不同晶面取向的Si 衬底对Pd 硅化物薄膜形成的影响:在Si(111)衬底上,形成外延生长的Pd_2Si;在Si(100)衬底上,Pd_2Si 为择优取向的多晶.实验结果表明,在这两种Si 衬底上,Pd 硅化物有不同的形成温度和相转变温度.文中讨论了退火温度对Pd_2Si 的结构、组分和电阻率的影响,并应用热力学规律及界面作用过程解释了实验结果.
- 沈波施一生赵特秀许振嘉
- 关键词：金属硅化物PDSI
