车俊
- 作品数：19 被引量：61H指数：5
- 供职机构：西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划陕西省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学电子电信更多>>
- ZnSe/SiO_2复合薄膜光学常数与荧光光谱的研究被引量：6
- 2006年
- 采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术,制备了ZnSe/SiO_2复合薄膜.X射线衍射分析表明薄膜中ZnSe晶体呈立方闪锌矿结构.X射线荧光分析结果显示薄膜中Zn与Se摩尔比为1∶1·01—1∶1·19.利用场发射扫描电子显微镜观察了复合薄膜的表面形貌,结果表明复合薄膜表面既存在尺寸约为400nm的ZnSe晶粒,也存在尺寸小于100nm的nSe晶粒.利用椭偏仪测量了薄膜椭偏角Ψ,Δ与波长λ的关系,采用Maxwell-Garnett有效介质理论对薄膜的光学常数、厚度、气孔率、ZnSe的浓度进行了数据拟合.利用荧光光谱分析了薄膜的光致发光,结果表明在波长为395nm的激发光下,487nm的发射峰对应着闪锌矿型ZnSe的带边发射,同时也观测到薄膜中ZnSe晶体增强的自由激子发射及伴随着ZnSe晶体缺陷而产生的辐射发光.
- 姜海青姚熹车俊汪敏强
- 关键词：光学性质荧光光谱
- PMS-PZT压电陶瓷的制备及性能研究被引量：9
- 2004年
- 采用传统陶瓷工艺制备了PMS-PZT三元系压电陶瓷,分析了其粉体和陶瓷样品的相结构组成,测试结果表明在预烧粉体中随着PMS含量的增加,焦绿石相也增加,在所有陶瓷样品中均为100%的钙钛矿结构;研究了室温下PMS含量对相对介电常数er、介质损耗tgd、居里温度tC、机电耦合系数kp、机械品质因数Qm和压电常数d33的影响,实验表明随着PMS含量的增加,材料逐渐变硬,er、tC、kp和d33逐渐减少,tgd和Qm逐渐增加。
- 李庆杜红亮裴志斌车俊屈绍波
- 关键词：无机非金属材料介电性能压电性能
- 声程差与应力强度因子的关系被引量：2
- 2001年
- 基于弹性状态下力对材料声折射率及试件厚度的影响，推导了含裂纹的试件受力前后，超声纵波经其前后表面反射及透射时声程的变化，得到了应力强度因子与声程差的关系，为通过声程差的变化确定裂尖应力强度因子打下了基础．
- 张忠平毕玉泉刘志毅杨尊袍车俊
- 关键词：应力强度因子
- 高能球磨制备ZnSe纳米晶粉体被引量：4
- 2006年
- 介绍了一种采用高能球磨方法制备ZnSe纳米晶粉体的新方法。通过实验获得了最佳球磨工艺参数。ZnSe粉体的XRD分析表明,在氮气保护下,球磨60 min即可获得纯立方闪锌矿结构,避免了ZnO相的出现。晶粒的尺寸用Scherrer公式计算为5 nm,用TEM直接观察的尺寸为10 nm左右。同时电子衍射分析也证明了所获得的纳米ZnSe粉体为立方闪锌矿结构。
- 车俊姚熹姜海青汪敏强
- 关键词：高能球磨ZNSETEM
- 3英寸PIN-PMN-PT单晶的生长及介电压电性能研究
- 采用籽晶诱导的坩埚下降法研究了3英寸PIN-PMN-PT弛豫铁电单晶的生长工艺。搭建了适于生长3英寸弛豫铁电单晶的单晶生长炉,获得了理想的炉温温场分布。通过优化单晶生长工艺参数,成功生长出具有[110]取向长度为80mm...
- 李振荣徐卓车俊万玉慧李飞王领航范世(马岂)姚熹
- 文献传递
- 非铅基压电陶瓷体系的研究及进展被引量：6
- 2004年
- 说明了铅基压电陶瓷与环境保护的不协调性以及锆钛酸铅 (Pb(Zr,Ti)O3 )系列材料的不足。系统地总结了目前已有的和研究中的非铅基压电陶瓷体系 ,介绍了各体系展开的研究工作 ,归纳了成功的经验。详细论述了钛酸铋钠 ((Na0 .5Bi0 .5)TiO3 )为基的系列无铅压电陶瓷材料体系和铋层结构材料 ,并针对这两个体系阐述了在各自的研究中有待进一步解决的问题。
- 陈建华裴志斌车俊屈绍波杜红亮
- 关键词：无铅陶瓷压电陶瓷钛酸铋钠
- 一种大功率压电陶瓷变压器材料研究被引量：6
- 2004年
- 采用传统陶瓷工艺制备了Pb(Ni1/2W1/2)O3-Pb(Mn1/3Sb2/3)O3-Pb(Ti1/2Zr1/2)O3(PNW-PMS-PZT)四元系压电陶瓷。分析了粉体和陶瓷的相结构组成,结果表明烧结温度的提高和PZT含量的增加有助于钙钛矿相的生成,同时发现PZT的含量在0.91～0.93附近有准同型相界存在。研究了室温下烧结温度和PMS含量对相对介电常数εr,机电耦合系数kp,机械品质因数Qm和压电常数d33的影响,实验表明在室温下随着PMS含量的增加εr、kp、d33逐渐减小,Qm增加;随着烧结温度的提高,kp、d33增大。制得了室温下εr为1959,d33为390pC/N,kp为0.614,Qm为1349的大功率压电陶瓷变压器压电材料。
- 杜红亮裴志斌车俊王翠香屈绍波陈建华
- 关键词：电子技术
- 弛豫型铁电单晶原料的制备方法
- 本发明公开了一种弛豫型铁电单晶原料的制备方法，针对铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)、铌锌酸铅-钛酸铅(PZN-PT)、铌铟酸铅-钛酸铅(PIN-PT)、铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅(PIN-PMN-PT)及其掺杂改性的弛豫...
- 徐卓车俊李振荣王富贵
- 文献传递
- PNW-PMS-PZT压电陶瓷准同型相界的压电性能研究被引量：14
- 2005年
- 采用传统陶瓷工艺制备了PNW—PMS—PZT四元系压电陶瓷,分析了陶瓷样品的相结构组成,结果表明,所有陶瓷样品的相结构为纯钙钛矿相结构;研究了室温下PMS含量,PNW 含量和Zr/Ti的变化对准同型相界的影响规律,实验表明随着PMS、PNW含量和Zr/Ti的增加,材料体系逐渐由四方相向三方相过渡,获得了处于准同型相界附近的材料组成:PMS 的含量在5—6mol%、PNW的含量在2—3mol%、PZT的含量在91—93mol%、Zr/Ti的变化靠近50/50,同时具有高的机电性能.
- 裴志斌杜红亮车俊魏晓勇屈绍波
- 关键词：准同型相界四方相
- ZnSe纳米晶粉体及ZnSe/PMMA复合材料的制备工艺与性能研究
- 车俊
