邓果
- 作品数：16 被引量：72H指数：7
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- 自发辐射因子对外光反馈下VCSELs非线性行为的影响被引量：4
- 2004年
- 利用构建在SIMULINK平台下垂直腔面发射激光器(VCSELs)动态仿真模型,研究了自发辐射因子对多次外光反馈下VCSEs非线性行为的影响。结果表明,随外腔长(外腔反射率)增加,VCSELs顺次(逆次)经历混沌、多周期、倍周期和单周期区域;进一步得出,增大自发辐射因子可抑制系统的非线性行为,提高器件稳定性。
- 李孝峰潘炜罗斌邓果赵峥
- 关键词：垂直腔面发射激光器VCSELS自发辐射因子仿真模型
- 深度调制下VCSELs典型结构参数的研究被引量：11
- 2003年
- 通过构建垂直腔表面发射半导体激光器(VCSELs)的动态仿真模型,研究了有源层孔径和厚度对VCSELs大信号深度调制特性的影响。仿真结果表明,在大信号调制下,较小的有源层孔径和厚度对系统的非线性效应显现出更好的抑制能力,而且具有更高的调制带宽;合理地控制有源层孔径和厚度可以抑制系统的非线性行为,提高调制带宽。
- 邓果潘炜罗斌
- 关键词：VCSELS结构参数有源层
- VCSELs与EELs多模弛豫振荡的研究被引量：2
- 2004年
- 根据多模速率方程 ,利用MATLAB提供的SIMULINK软件包对垂直腔面发射激光器 (VCSELs)和边发射激光器 (EELs)多模弛豫振荡进行了研究。结果表明 ,与单模情况相比 ,多模时EELs弛豫振荡频率增大、弛豫和延迟时间缩短 ,而VCSELs动态特性变化不大。与此同时 ,在得出VCSELs的单模工作、高速调制以及提高偏置电流或自发辐射因子可改善两类器件动态特性等结论外还看到 ,VCSELs边模抑制比 (SMSR)随偏置电流变化率高于EELs;自发辐射因子增大时 ,边模强度同比例增大、主模强度减小 ,利用微腔效应有效控制自发辐射因子可以优化VCSELs的单模特性。
- 李孝峰潘炜罗斌赵峥邓果
- 关键词：垂直腔面发射激光器弛豫振荡边模抑制比自发辐射因子
- VCSELs高阶分岔及混沌行为的参数控制被引量：16
- 2004年
- 基于自发辐射在微腔激光器中的独特性 ,利用参数开关调制控制混沌的理论和技术 ,对VCSELs实施高频大信号深度调制和混沌控制的数值模拟 .结果表明 ,提高自发辐射因子可抑制VCSELs的非线性行为 ,通过对自发辐射因子的开关调制 ,可把系统由混沌状态控制到平衡态和nP周期轨道 ,同时给出了VCSELS各种稳定周期态、分岔数。
- 潘炜张晓霞罗斌邓果李孝峰张伟利陈建国
- 关键词：VCSELS自发辐射因子分岔混沌
- VCSOA中光双稳环宽控制的理论分析被引量：6
- 2005年
- 基于法布里 珀罗(F P)腔光束干涉理论,建立垂直腔半导体光放大器 (VCSOA)的双稳模型。针对近期实验参数,仿真研究了透射模式下VCSOA的双稳特性,找到实现双稳环宽控制的 3种基本途径,即适当增大偏置电流、保持偏置与阈值比不变情况下提高顶端面反射率、减小初始相位失谐量都会使双稳环宽变宽。
- 邓果潘炜罗斌严云富李孝峰赵峥
- 关键词：垂直腔半导体光放大器双稳态光开关
- 多次外光反馈下垂直腔面发射激光器非线性动态特性理论研究被引量：16
- 2004年
- 在SIMULINK平台下建立了垂直腔面发射激光器(VCSEL)动态仿真模型,利用该模型对多次外光反馈下垂直腔面发射激光器的非线性行为进行了研究。结果表明,短外腔时,光子密度随外腔长呈周期为半激射波长的余弦关系;长外腔时,随外腔长增加,垂直腔面发射激光器依次经历混沌、多周期、倍周期和单周期区域,增大外腔反射率时同样存在这些非线性区域,但出现顺序相反。进一步得出:考虑单次反馈时由于忽略了占有较多能量的高次反馈导致上述非线性效应偏弱;增大自发辐射因子或减小线性展宽因子可抑制系统的非线性行为。
- 李孝峰潘炜罗斌邓果赵峥
- 关键词：激光技术垂直腔面发射激光器混沌
- 垂直腔面发射激光器非线性动态行为的仿真研究
- 垂直腔表面发射激光器(VCSEL)以其独特的结构和良好的特性,如圆形出光,发散角小便于与光纤耦合;体积小,表面出射易于二维阵列集成;光学谐振腔短容易实现单纵模工作等优点,成为光通信、光互连、光计算、光信息处理等领域的理想...
- 邓果
- 关键词：垂直腔面发射激光器孔径自发辐射因子调制混沌
- 文献传递
- 垂直腔半导体光放大器的增益特性数值分析被引量：4
- 2004年
- 结合垂直腔半导体光放大器(VCSOAs)的竖直微型腔结构带来的特性,在反射工作模式情况下,分析了VCSOAs的增益特性。通过数值求解激光器单模速率方程,给出了增益、饱和输出功率随泵浦光功率、出射腔面反射率的变化,分析了其功率动态范围。得出了提高腔面反射率能使增益得到增长,以及强泵浦光功率能起到平坦增益,增大增益的作用的结论。总结了VCSOAs设计中的一些规律,以作实际应用中参考。
- 赵峥潘炜罗斌邓果王勇
- 关键词：激光器垂直腔半导体光放大器增益饱和增益特性
- 垂直腔面发射激光器DBR结构参数的优化设计被引量：3
- 2004年
- 采用光学传递矩阵法 ,研究了生长偏差对分布布拉格反射 (DBR)结构反射特性的影响 ,并探讨了两种DBR结构改进方案。结果表明 ,周期厚度偏差将使DBR反射谱发生较大偏移 ,在相位匹配条件下减小高折射层厚度可以降低DBR吸收损耗、提高反射率 。
- 李孝峰潘炜罗斌邓果赵峥
- 关键词：垂直腔面发射激光器DBR分布布拉格反射边模抑制比
- 外光反馈下VCSELs噪声灵敏性的理论研究被引量：6
- 2004年
- 从速率方程出发,仿真得到VCSELs在不同腔体结构、自发辐射因子和线宽限制因子情况下,相对强度噪声随外光反馈水平的变化规律。结果表明:减小电流孔径或线宽增强因子可以降低VCSELs对外光反馈的灵敏性,改变自发辐射因子对此影响不大。而传统边发射激光器不属于微腔结构,对外光反馈的抑制能力较弱。
- 张伟利潘炜罗斌邓果
- 关键词：光反馈自发辐射因子相对强度噪声边发射灵敏性
