郑广
- 作品数：44 被引量：85H指数：4
- 供职机构：江汉大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省杰出青年人才基金湖北省科技计划项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>
- 一种光电检测装置
- 本实用新型公开了一种光电检测装置，属于原子频标领域。所述光电检测装置包括频率转换模块、相位差采集模块、积分电路、模数转换模块、以及数据处理模块，频率转换模块与相位差采集模块连接，相位差采集模块与积分电路连接，积分电路与模...
- 付云飞郑广
- 文献传递
- 高压下矿物材料原子分子结构的动力学研究
- 郑广何开华王清波王希成陈琦丽
- 关键词：矿物材料原子结构动力学性质
- 高压下闪锌矿InN光电性质的密度泛函研究(英文)
- 2012年
- 采用密度泛函理论,计算了闪锌矿型InN在压力下的结构、力学性质和光学性质,结果显示,随着压强的增大晶格常数减小。给出了零压下C11、C12、B、Cs、C44的值及至70GPa压力下弹性常数随压强的变化关系。结果表明,C11、C12、B随压强增大而增大,Cs、C44随压强增大而减小,计算结果与现有实验和理论结果符合较好。在价带区,InN的分态密度(PDOS)有两个带,且在费米面附近密度很小,显示其倾向于形成稳定结构并且导电性较差。对闪锌矿型InN在高压下的光学性质研究发现,导带电子向高能方向偏移,而价带电子向低能方向偏移,结果导致能带间隙增大,光吸收谱在压力的作用发生了"蓝移"。研究结果对认识高压下闪锌矿型InN的结构、电学及光学性质具有重要意义。
- 王希成郭建云郑广何开华陈琦丽王清波陈敬中
- 关键词：光电性质密度泛函理论
- 简易合成MgCo_(2)O_(4)纳米线及其电化学性能研究
- 2024年
- 通过水热路径引入表面活性剂十二烷基磺酸钠在泡沫镍上成功合成出比表面积较大、超薄多孔的MgCo_(2)O_(4)纳米线。研究表明,MgCo_(2)O_(4)纳米线展示出紧密交织透明的网格状结构且在5 A/g的电流密度下,比电容高达2128 F/g。在40 A/g的情况下循环6000周次后,比电容保持了原始容量的98.4%。将该纳米线和活性炭分别作为正极和负极组装成非对称超级电容器,其比电容可达65.32 F/g且在功率密度为338.95 W/kg下能量密度可达20.41 Wh/kg。上述结果表明该非对称超级电容器是一个较好的储能装置,在实际应用中拥有良好的潜力。
- 倪航胡谭伟唐梦凡丁悦田玉朱小龙郑广
- 关键词：十二烷基磺酸钠比电容循环性能
- 一种ZnO纳米棒/p‑GaN薄膜异质结及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种采用GaN量子点作为ZnO的形核层来制备ZnO纳米棒/p‑GaN薄膜异质结的方法。首先采用金属有机化学气相沉积技术在蓝宝石沉底上生长p‑GaN薄膜，再在薄膜上生长GaN量子点样品，然后采用水热法在量子点表...
- 田玉奇志强朱小龙郑广
- 文献传递
- Mg,Sr掺杂CaF_2电子结构及光学性质的第一性原理研究
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理方法对纯CaF2晶体和Mg、Sr掺杂CaF2体系的晶体结构、电学以及光学性质进行了详细的对比研究,结果表明:与纯CaF2晶体相比,掺杂体系的带隙变窄且形成新的态密度峰,费米面附近出现F与Mg、Sr原子间轨道杂化加强现象.另外,掺杂体系仅表现出介电性质,其对紫外光的吸收强度大大减弱,而Ca7SrF16掺杂体系在25.44eV处产生新的小吸收峰.CaF2晶体掺入Mg、Sr原子后,体系在紫外光区的消光系数减小且对紫外光的透过率增大.此外,掺杂体系的反射谱峰和损失函数峰均发生红移且峰值显著降低.
- 彭玉峰彭芳郑广翟聪聪
- 关键词：密度泛函理论电子结构光学性质掺杂
- 一种防眩光板
- 本实用新型公开了一种防眩光板，属于材料工程技术领域。所述防眩光板包括透明基板，所述防眩光板还包括覆盖在所述透明基板上的连接层及覆盖在所述连接层上的散射层，所述连接层为二氧化硅层，所述散射层为二氧化硅和氧化锌复合涂层。防眩...
- 田玉朱小龙郑广
- 文献传递
- 双氮原子掺入二氧化钛电子结构的第一原理研究被引量：4
- 2010年
- 采用基于第一性原理的平面波超软赝势方法计算研究了双N原子掺入金红石相TiO_2的几何结构和电子结构.通过比较三种可能的掺杂方式的总能发现,两个氮原子占据两个相邻的B原子位置时具有最稳定的结构.电子结构分析表明,双N原子掺杂TiO_2出现了杂质能级,三种结构的能带间隙均减小,其中杂质原子最近邻占位时,带隙最小,随着两个杂质原子的距离增大,带隙会逐渐变大.
- 曾中良郑广何开华陈琦丽喻力
- 关键词：N掺杂第一性原理
- Al,Mg掺杂GaN电子结构及光学性质的第一性原理研究被引量：33
- 2008年
- 基于密度泛函理论,采用广义梯度近似方法,计算了Al,Mg掺杂的闪锌矿型GaN的电子结构和光学性质,分析了其电子态分布与结构的关系,给出了掺杂前后GaN体系的介电函数和复折射率函数.计算结果表明掺有Mg的GaN晶体空穴浓度增大,会明显提高材料的电导率,而Al掺杂GaN晶体的载流子浓度不变,只是光学带隙变宽;通过分析掺杂前后GaN晶体的介电函数和复折射率函数,解释了体系的发光机理,为GaN材料光电性能的进一步开发与应用提供了理论依据.通过比较可知,所得出的计算结果与现有文献符合得很好.
- 郭建云郑广何开华陈敬中
- 关键词：电子结构光学性质掺杂
- 基于引力频移的授时装置
- 本实用新型公开了一种基于引力频移的授时装置，属于时间频率比对领域。所述装置包括：本地参考源、本地接收机、异地参考源和异地接收机，所述本地接收机和异地接收机分别用于与所述北斗卫星系统无线连接，所述本地接收机和异地接收机之间...
- 郑广
- 文献传递
