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一种具有可见光响应能力核壳结构光催化材料及制备方法: 本发明涉及一种具有可见光响应能力核壳结构光催化材料及制备方法。所述材料以ZnO的棒状单晶体为核，包覆V2O5多晶壳层。其制备方法包括：采用热蒸发方法，以ZnO粉末和石墨粉为原料...; 尹海宏宋长青王志亮陈云施敏张雪锋黄静郭兴龙; 文献传递

基于接近式开关的用于数据安全传输的存储器及方法: 本发明提供的特殊的可移动存储器，使得需要保护的内网计算机、特定的计算机中的数据信息，只能被复制出来，而外部的任何计算机的数据，无论是纯粹的无执行功能的数据，还是可执行的代码，任何数据都无法转移至本发明提供的特殊的可移动存...; 尹海宏周宇祥赵晨媛邵海宝邓洪海朱海峰黄静陈云许鹏马青兰朱友华郭兴龙

基于红外伪随机验证序列的可移动安全存储器: 一种可移动安全存储器，包括红外信号接收与处理模块，主控芯片包括单向数据传输控制器；红外信号接收与处理模块与主控芯片中的单向数据传输控制器连接，预定计算机的可移动安全存储器USB接口处设置有与红外信号接收与处理模块配套的红...; 王志亮龚俊帅许鹏邵海宝邓洪海朱海峰郭兴龙

江苏培养具有国际视野高素质人才的建议: 本文提出了江苏人才国际化研究的理论意义及重要性和必要性，其次对江苏高素质人才培养的现状进行分析研究，指出江苏现有人才培养的不足之处并提出几项改进的措施。; 郭兴龙; 关键词：高素质人才

一种利用混合光实现光学制冷的设备: 本发明提供了一种利用混合光实现光学制冷的设备，光学制冷设备主要包含光收集装置、光色散装置和光学制冷固体材料分布装置。本发明的有益效果为：本发明可对混合光进行收集并将其在角度和接受平面上充分色散开来，进而在其色散开来的接受...; 许瑞林张雪锋秦琳郭兴龙陈建新; 文献传递

一种含MEMS开关的可重构匹配网络匹配器: 本发明涉一种含MEMS开关的可重构匹配网络匹配器，包括六个MEMS桥单元、地线、信号线以及六个偏压垫，所述第地线、信号线依次平行设置于衬底上，所述六个MEMS桥单元依次垂直于所述两地线排列于衬底上，所述每个MEMS桥单元...; 郭兴龙黄静蒋华王志亮尹海宏施敏朱友华

一种感应PN结隧穿场效应晶体管: 2015年; 提出了一种在源区形成感应PN结的隧穿场效应晶体管,利用Silvaco TCAD对器件的工作原理进行了验证,并仿真分析了器件的静态电学特性以及动态特性。结果表明,这种结构的TFET具有低的亚阈值斜率(51mV/dec.)、高的开态电流(5.88μA/μm)、高的开/关态电流比(ION/IOFF为107)以及低至9ps的本征延迟时间,表明利用该结构的TFET器件有望构成高速低功耗逻辑单元。; 张雪锋王国军顾春德郭兴龙

一种具有可见光响应能力核壳结构光催化材料及制备方法: 本发明涉及一种具有可见光响应能力核壳结构光催化材料及制备方法。所述材料以ZnO的棒状单晶体为核，包覆V2O5多晶壳层。其制备方法包括：采用热蒸发方法，以ZnO粉末和石墨粉为原料...; 尹海宏宋长青王志亮陈云施敏张雪锋黄静郭兴龙; 文献传递

硅基氮化镓微机械谐振器研究: 2022年; GaN不仅具有与硅媲美的较高声速,而且也有与氮化铝相当(AlN)的大压电系数,所以是制作MEMS谐振器的有力备选材料.研究设计了一款硅基压电氮化镓(GaN)MEMS谐振器.利用GaN中的二维电子气(2DEG)可作为开关嵌入电极的特性,通过GaN压电材料实现由电极、压电薄膜、电极组成薄膜微机械谐振器.工作时在两个电极之间的压电薄膜内产生厚度剪切振动模式,压电薄膜内部就形成了振荡,通过压电效应的正交应力(σx和σy)能够提供相关的应力场从而增加机电共振.使用微机电系统技术和平面加工工艺对谐振器进行了制作,GaN谐振单元物理尺寸90μm^(2).采用了无需加载功率对于谐振器无损伤的XeF2气体释放硅基底(111)形成了GaN谐振器,这样能够减少谐振器的粗糙度、较小残余应力,避免杂质和缺陷造成的散射.测试表明,谐振频率为12.56 MHz,谐振腔的品质因数为3600.; 郭兴龙张玲玲王九山; 关键词：氮化镓二维电子气

基于高迁移率晶体管的氮化镓微机械谐振器: 2022年; 文章设计了一款基于氮化镓(GaN)的微机械谐振器。该器件采用氮化镓具有较高的声速和优异的压电系数性质及其二维电子气(two-dimensional electron gas,2DEG)作为可开关嵌入电极,通过压电材料薄膜内正交应力(σ_(x)和σ_(y))产生厚度剪切振动模式实现增强器件振荡特性;采用平面和微机械工艺进行流片,详细说明了器件工艺过程,特别是肖特基和欧姆接触工艺,得到了尺寸为70μm×100μm谐振单元物理。该器件由电极、压电薄膜、电极组成高迁移率晶体管(high electron mobility transition,HEMT)结构,使得谐振器增加了机电共振效果。测试结果表明器件的谐振频率为26.3 MHz,品质因数为2620。通过实验对器件施加不同的栅极电压,在AlGaN/GaN界面上由于自发极化和压电极化而能够产生较大电荷密度和较高速的电子迁移率的二维电子气层。实验结果表明:HEMT的栅极电压引起的沟道的2DEG对谐振器的机电转换特性具有一定的影响,提高了谐振器的性能。该研究对于谐振器的研制具有一定的指导意义。; 郭兴龙朱友华葛梅李毅邓洪海; 关键词：氮化镓微机械谐振器二维电子气

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