郭海峰
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：内蒙古工业大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：博士科研启动基金更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术更多>>
- SmartPro DCS系统在盐硝联产中的应用及其故障处理
- 2009年
- 介绍SmartPro DCS系统的软硬件配置及其在盐硝联产中的方案设计与实现。实际运行证明,SmartPro DCS系统具有强大的控制功能和较高的可靠性,很好地实现了盐硝联产操作、监视、自动控制功能,并经过日常管理和维护,该套系统得到稳定运行。
- 郭海峰黄浩
- 关键词：硬件组态
- 外电场下应变量子阱中电子与空穴的本征态被引量：2
- 2010年
- 考虑自发与压电极化引起的内建电场,自由电子-空穴气屏蔽效应和外加电场,基于常微分数值计算,自洽求解电子与空穴的薛定谔方程和泊松方程以获得基态能级。以典型的GaN/A lxGa1-xN纤锌矿氮化物应变量子阱为例,通过数值求解,得到电子与空穴的本征基态能和相应本征波函数。计算结果表明:沿量子阱生长方向所施加的外加电场将抵消阱中内建电场的作用,阱结构的弯曲程度略显平缓,使电子(空穴)本征波函数逆(顺)着外电场方向移动,且均向阱中心移动,波峰峰值增加,隧穿几率减小;在固定外电场情况下,电子与空穴基态能级随阱宽的增加而减小,随掺杂组分的增加而增加,表明外加电场对内建电场有所削弱以及量子限制作用对电子(空穴)基态能有显著的影响。
- 郭海峰哈斯花朱俊
- 关键词：定态薛定谔方程内建电场本征态
- 应变GaN/Al_xGa_(1-x)N量子阱中电子的跃迁能量被引量：1
- 2011年
- 考虑电场及隧穿效应的影响,基于常微分数值计算方法,并利用量子阱系统边界条件自洽求解薛定谔方程和泊松方程,获得电子本征态。以典型的GaN/AlxGa1-xN量子阱为例,计算了势阱中电子的本征能级和带内跃迁能。结果表明,电子在量子阱中的能量是量子化的,内建电场促使能级间距增大;调节阱宽及组分可以获得不同能级并改变跃迁能。
- 郭海峰哈斯花朱俊
- 关键词：定态薛定谔方程内建电场AL组分跃迁
- 半导体仪器在化工企业维护中防静电危害及对策
- 2010年
- 半导体仪表被广泛运用于企业生产监控中,其作用是人无法取代的。绝大多数半导体仪表是静电敏感元器件构成,易受到静电的伤害。静电无处不在,危害程度极其重大,企业必须对静电防护措施给予充分的重视。介绍了在维护中采用防止静电产生、减少静电荷积累和释放静电荷控制原理,从静电泄漏、屏蔽和中和等方面消除静电的危害,对静电采取静电接地、穿戴防静电工作服、使用防静电台面、防静电包装袋等方法,确保了元器件的质量,提高了半导体仪器的使用寿命。
- 郭海峰黄浩李海英
- 关键词：智能仪表静电放电
