郭清 作品数:6 被引量:9 H指数:2 供职机构: 浙江大学信息与电子工程学系微电子与光电子研究所 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 浙江省自然科学基金 浙江省科技计划项目 更多>> 相关领域: 电子电信 自动化与计算机技术 更多>>
一种PDP扫描驱动芯片的HV-PMOS的研究和实现 2010年 对一种适用于106.68cm PDP扫描驱动IC的HV-PMOS器件进行了分析研究。通过使用TCAD软件对HV-PMOS进行了综合仿真,得到了器件性能最优时的结构参数及工艺参数。HV-PMOS器件及整体扫描驱动IC在杭州士兰集成电路公司完成流片。PCM(Process control module)片上的HV-PMOS击穿电压达到了185V,阈值为6.5V。整体扫描驱动芯片的击穿电压达到了180V,满足了设计要求。 韩成功 郭清 韩雁 张斌 张世峰 胡佳贤CMOS磁敏/光敏兼容传感器集成电路的设计 被引量:1 2009年 研制了一种新型的磁敏传感器和光敏象限传感器兼容的集成电路。该传感器采用0.6μm标准CMOS工艺制造,设计并实现了磁敏传感器、光敏象限传感器及其兼容的信号处理电路的单片集成,并采用有源预处理电路和相关二次采样电路进行磁敏和光敏信号的采集和降噪处理,具有较高的磁场灵敏度(0.0361T-1)感光灵敏度(2V/lx.s),实现了在一个芯片上同时传感磁信号和光信号的功能。 郭清 韩雁 朱大中关键词:互补金属氧化物半导体 磁敏传感器 光敏传感器 低功耗高线性度音频Sigma-Delta调制器 被引量:1 2009年 介绍了一种应用于数字音频模数转换器的低功耗、高线性度的Sigma-Delta调制器.采用新型低失真二阶调制器作为级联调制器第一级,降低了系统对于运算放大器非线性的敏感度;采用自举采样开关实现了输入采样信号的高线性度;采用新颖的AB类输出跨导放大器实现积分器电路,使电路功耗比经典折叠共源共栅放大器降低一倍以上.该调制器在中芯国际0.18μm标准CMOS工艺的各种工艺角和温度情况下,信噪失真比(SNDR)和动态范围(DR)分别达到111.8 dB和115 dB.在3 V电源电压下,整个调制器的功耗仅为2.6 mW,符合手持设备对低功耗音频编解码电路的设计要求. 郭清 马绍宇 黄小伟 韩雁关键词:低功耗 模数转换器 自举开关 扇形分裂漏CMOS磁敏传感器集成电路 被引量:2 2006年 介绍了扇形分裂漏磁敏传感器集成电路的设计,并由0.6μm CMOS工艺实现。该集成电路以扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,并包含两次工作模式的开关阵列预处理电路、相关二次取样电路(CDS)和数字控制电路。该传感器集成电路实现了测量磁场的功能,并实现了在屏蔽磁场的工作模式下对噪声信号进行校正的功能,有效地消除了磁敏传感器及其信号处理电路的噪声影响。在工作频率为10 kHz时,磁敏传感器的灵敏度为2.62 V/T。 郭清 朱大中 姚韵若关键词:互补金属氧化物半导体 磁敏传感器 基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路 被引量:1 2006年 研究了基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路,并由0.6μmCMOS工艺实现。该CMOS磁敏传感器集成电路以共源极的扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,使磁敏传感器在参考工作模式和测量工作模式下实现同步取样,测量垂直磁场的同时,实现了在屏蔽磁场的参考工作模式下对磁敏传感信号进行噪声校正的功能.经过集成电路芯片的测试验证,同步取样模式具有较好的噪声校正功能,工作频率为20kHz时,磁敏传感器的灵敏度为2.62V/T. 郭清 朱大中关键词:互补金属氧化物半导体 磁敏传感器 纳米集成电路的静电放电防护 被引量:4 2010年 综述了纳米集成电路片上(On-Chip)静电放电防护(ESD)的研究现状;结合自身流片数据,阐述其ESD防护机理和设计要点。从器件ESD防护机理入手,逐步深入分析阐述了纳米集成电路的新特征、纳米器件的失效机制以及基于体硅CMOS工艺和SOI工艺的基本ESD防护器件。在此基础上,对纳米集成电路ESD主要热击穿失效的热量产生机制、热耗散问题,以及边界热电阻对ESD防护带来的影响进行了分析,提出了利用纵向散热路径和工艺整合方案来提高纳米集成电路中ESD防护器件鲁棒性的有效措施。 李明亮 董树荣 韩雁 杜晓阳 霍明旭 郭维 郭清 黄大海 宋波关键词:集成电路 静电防护