阮学锋
- 作品数：26 被引量：35H指数：4
- 供职机构：武汉大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省“十五”科技攻关项目更多>>
- 相关领域：文化科学建筑科学一般工业技术电气工程更多>>
- 变电站端子箱电缆屏蔽线的材质识别与修复方法
- 2018年
- 变电站端子箱用于接地的电缆屏蔽线本应为纯铜材质，但在施工实践中却常因种种原因错用为黄铜或铜包铝材质，而导致发生快速的腐蚀断裂。因而全面排查存在施工用材隐患的端子箱内的电缆屏蔽线材质，并通过采用新型功能性接头修复错用材质屏蔽线的接地端，防止其腐蚀破坏具有重要意义。采用颜色判定材质的新思路，基于RGB色彩识别原理编制了屏蔽线材质识别软件，配合采用工业内窥镜放大技术，便捷准确地判定了屏蔽线的材质归属类别。最后通过实验研究提出了利用热缩带包覆裸露屏蔽线与纯铜护套接地线接头，并采用专用控温模具快速加热此封闭接头的高效修复新方法。
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- 少台套数大型仪器设备开放共享制度探索与实践被引量：4
- 2021年
- 针对少台套数大型仪器设备管理规范性不足、建设不完善的情况,以武汉大学动力与机械学院电镜室扫描电子显微镜的管理为例,对其开放共享制度建设进行了一定的探索。采用集约化的管理策略,包括精准预约、重点培训、开放共享与配套保障制度的建设,规范了学院电镜室的管理,提高了电镜的使用效益。据统计,年度电镜室开放率和设备机时利用率分别高达90.7%和141.5%。为少台套数大型仪器设备的管理及其制度建设提供了行之有效的参考,并具有现实意义。
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- 关键词：扫描电子显微镜开放共享
- 机械活化对Ti/Al球磨粉放电等离子烧结过程的影响被引量：1
- 2010年
- 将Ti、Al单质粉在行星球磨机中以15∶1的球粉比、180 r/min的转速球磨20 h。将所得的球磨粉以100℃/min的升温速率在440~980℃以及40 MPa的压力下以放电等离子法烧结。通过XRD以及EPMA分析了烧结试样中的相及组织形貌,研究了Ti、Al球磨粉在放电等离子烧结过程中的相变规律,并将其与Ti、Al混合粉的相变规律进行对比。结果表明,Ti、Al球磨粉烧结的相变过程可分为4个阶段：颗粒软化阶段、TiAl3生成阶段、中间相生成阶段以及最终产物生成阶段。机械球磨过程细化了粉体颗粒,并发生点阵畸变,导致球磨粉的烧结过程与混合粉相比,具有反应温度低、反应快、烧结容易实现致密化的特点。由于烧结过程中没有出现液相,且高温时晶粒长大迅速,球磨粉的烧结可以由室温起施压,并需在900℃以下温度进行烧结。
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- 关键词：放电等离子烧结扩散机械活化
- 石墨相氮化碳的制备方法及光催化分解水制氢的催化剂
- 本申请公开了石墨相氮化碳的制备方法及光催化分解水制氢的催化剂。本申请涉及催化剂技术领域，所述石墨相氮化碳的制备方法包括以下步骤：将三聚氰胺煅烧，得第一产物；将第一产物SPS法烧结，得第二产物；将第二产物与水混合球磨、超声...
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- 一种高硬度高电导率CuCr25触头材料及其制备方法和应用
- 本发明公开了一种高硬度高电导率CuCr25合金高压低温SPS（放电等离子烧结）快速制备方法。采用机械球磨法制备CuCr合金粉末，其中原料粉Cu、Cr按质量比3:1置于球磨罐内，抽真空至0.1Pa球磨，球磨转速为60~10...
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- 文献传递
- 一种粉末冶金烧结合金样品电导率测量系统及方法
- 本发明公开了一种粉末冶金烧结合金样品电导率测量系统及方法，包括：步骤1，按照切割线，沿中心轴方向切割合金样品，从而将合金样品等效为长条状样品；步骤2，将切割后合金样品两端分别置于测试台的横U型导电夹头内，并采用压紧件压紧...
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- 文献传递
- 论军地联合建设电子维修工程技术中心的必要性
- 为提高电子维修技术与水平,适应未来信息化战争的需要,在军事“转型”时期,汇集军地双方优势,联合创办电子设备维修工程技术中心,则是十分必要的。
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- 关键词：电子设备维修技术军地联合设备维修
- 文献传递
- 一种粉末冶金烧结合金样品电导率测量系统及方法
- 本发明公开了一种粉末冶金烧结合金样品电导率测量系统及方法，包括：步骤1，按照切割线，沿中心轴方向切割合金样品，从而将合金样品等效为长条状样品；步骤2，将切割后合金样品两端分别置于测试台的横U型导电夹头内，并采用压紧件压紧...
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- 文献传递
- 冷却水路切换智能控制阀
- 本实用新型涉及一种冷却水路切换智能控制阀。它保证了冷却水的连续性和冷却条件，避免仪器设备因此停机而终止实验，甚至造成仪器设备损坏等异常情况的发生。它包括阀体、阀芯、阀盖、电机、光电开关、进水接头和回水接头，所述阀体的上端...
- 阮学锋范家才雷开运霍国良
- 文献传递
- TiO_2及氮掺杂TiO_2的光吸收特性实验及理论被引量：1
- 2013年
- 采用溶胶-凝胶法制备了纯TiO2和N掺杂TiO2纳米颗粒,光吸收特性测量显示,纯TiO2的光吸收主要在紫外部分,N掺杂后,可见光吸收明显增强.能带结构的计算显示:TiO2中不同的晶体缺陷对能带结构都产生影响,从而导致纯TiO2对可见光有一定的吸收;对于N掺杂的TiO2,N取替代位时,杂质能级位于价带顶附近,当浓度足够高时与价带顶重叠,从而导致禁带宽度的减小;当N占据间隙位时,缺陷能级处于禁带深处,容易成为复合中心.因此,N替代掺杂对于提高光催化效率更优越.
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- 关键词：TIO2N掺杂光吸收
