陆妩
- 作品数：221 被引量：313H指数：10
- 供职机构：中国科学院新疆理化技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院西部之光基金模拟集成电路国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学核科学技术电气工程更多>>
- 双极运算放大器在不同电子能量下的辐射效应和退火特性被引量：2
- 2013年
- 介绍了LM837双极运算放大器分别在不同能量(1.8、1 MeV)不同束流、相同能量不同束流电子辐照环境中的响应特性及变化规律。分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数在辐照后3种退火温度(室温,100、125℃)下随时间的变化,并讨论了引起电参数失效的机理。结果表明:与1 MeV辐照相比,1.8MeV电子辐照引起的LM837辐射损伤更明显;辐照过程中正偏条件下的偏置电流变化较零偏时的稍大;LM837辐照后的退火行为与温度有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关。
- 胡天乐陆妩何承发席善斌周东胥佳灵吴雪
- 关键词：双极运算放大器电子辐照偏置条件退火
- 不同偏置下电流反馈运算放大器的电离辐射效应被引量：1
- 2011年
- 在不同偏置条件下,对基于互补双极工艺生产的电流反馈运算放大器(CFA)进行了高低剂量率下的电离辐射效应研究。研究发现,在不同偏置条件下,器件损伤差异明显。在零偏条件下,器件在低剂量率下损伤显著增强,表现为低剂量率损伤增强效应(ELDRS);在小工作电压下辐照时,器件损伤较小,且不同剂量率之间损伤差异不明显;而在大工作电压下辐照时,器件在高剂量率下的损伤明显大于低剂量率下的损伤,在随后的室温退火中,又恢复到与低剂量率损伤相当的程度,表现为时间相关效应。结果表明,双极器件是否具有ELDRS效应与实验偏置条件有重要关系。
- 王义元陆妩任迪远郑玉展高博陈睿费武雄
- 关键词：电离辐射电流反馈运算放大器偏置
- 12位双极数模转换器高低剂量率的辐射效应被引量：2
- 2008年
- 通过对12位双极数模转换器在60Coγ射线的高低剂量率的辐照实验和室温退火实验的对比分析,发现数模混合电路在不同剂量率辐照下的电离辐照响应有很大差异。这种混合电路不但表现出明显的低剂量率损伤增强效应,而且表现出时间相关效应。结合辐射响应测试过程和空间电荷模型,对其损伤模块和辐射损伤机理进行初步探讨。
- 王义元陆妩任迪远郑玉展高博李鹏伟于跃
- 关键词：数模转换器ELDRS
- Si_3N_4/SiO_2复合栅介质电离辐照的电子能谱分析被引量：1
- 2003年
- 采用氩离子刻蚀X光激发电子能谱分析方法对Si3N4/SiO2/Si复合栅介质系统进行电离辐照剖析.实验结果表明存在一个由Si3N4和SiO2构成的界面区及由SiO2和Si构成的界面区,电离辐照能将SiO2/Si界面区中心向Si3N4/SiO2界面方向推移,同时SiO2/Si界面区亦被电离辐照展宽;电离辐照相当程度地减少位于SiO2/Si界面至Si衬底之间Si过渡态的浓度.在同样偏置电场中辐照,随着辐照剂量的增加SiO2/Si界面区中Si过渡态键的断开量也增加,同时辐照中所施偏置电场对SiO2/Si界面区Si过渡态键断开有显著作用.并对实验现象进行了机制分析.
- 范隆郝跃严荣良陆妩
- 关键词：电离辐照
- γ射线在不同材料吸收剂量换算的Monte Carlo模拟
- EGSnrc 蒙特卡罗计算程序计算了60Co 射线由水吸收剂量转换到硅吸收剂量的转换系数,该转换系数是半导体器件辐射效应研究中经常用到的转换系数.应用EGSnrc 程序模拟了辐照源及硅和水模体,确定出60Co 射线在硅和...
- 何承发郭旗陆妩任迪远余学峰文林孙静赵云
- 关键词：Γ射线蒙特卡罗
- 双极器件不同剂量率的辐射效应和退火特性
- 本文对不同类型和型号的国产及进口双极晶体管和运算放大器的不同剂量率的辐照效应及退火特性进行了研究.结果表明:在辐照的剂量率范围内,无论是国产还是进口的双极晶体管,都有明显的低剂量率辐照损伤增强现象,且NPN管比PNP管的...
- 陆妩任迪远余学锋郭旗艾尔肯
- 关键词：双极晶体管双极运算放大器
- 文献传递
- PNP输入双极运算放大器在不同辐射环境下的辐射效应和退火特性被引量：4
- 2013年
- 研究了PNP输入双极运算放大器LM837在1MeV电子和60Coγ源两种不同辐射环境中的响应特性和变化规律.分析了不同偏置状态下其电离辐照敏感参数在辐照后三种温度(室温,100℃,125℃)下随时间变化的关系,讨论了引起电参数失效的机理.结果表明:1MeV电子辐照LM837引起的损伤主要是电离损伤,并且在正偏情况下比60Coγ源辐照造成的损伤大;辐照过程中,不同辐照源正偏条件下的偏置电流变化都比零偏时微大;在不同的辐照源下,LM837辐照后的退火行为都与温度有较大的依赖关系,而这种关系与辐照感生的界面态密度增长直接相关.
- 胡天乐陆妩席善斌郭旗何承发吴雪王信
- 关键词：PNP偏置条件退火
- CMOS 运算放大器的总剂量辐射响应和时间退火特性被引量：7
- 1997年
- 对ＣＭＯＳ运算放大器ＬＦ７６５０进行了１ＭｅＶ电子的电离辐照实验，研究了ＬＦ７６５０的总剂量电离辐射响应特性和抗总剂量辐射水平，并通过研究其辐照后在室温和１００℃高温条件下电离辐照敏感参数随时间的变化关系，分析了在电离辐射环境下ＣＭＯＳ运算放大器的损伤机制及参数失效机理。
- 陆妩郭旗余学锋张国强任迪远严荣良
- 关键词：CMOS运算放大器总剂量退火
- 双极运算放大器ELDRS效应的变剂量率实验室加速模拟方法初探
- 本文采用不同的变剂量宰加速评估方法,研究了在不同辐照温度、不同辐照总剂量条件下,运算放大器电路随高剂量率转换到低剂量率的辐射变化规律．结果表明：辐照时的转换总剂量、辐照温度及辐照剂量率均会对器件的响应特性产生影响,采用合...
- 陆妩任迪远郭旗余学峰
- 关键词：运算放大器
- 文献传递
- 中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺陷被引量：2
- 2012年
- 设计并制作了一种新型双极测试结构,即在常规横向pnp双极晶体管基区表面氧化层上淀积一栅电极,通过扫描栅极所加电压,获得漏极(集电极)电流随栅极电压的变化特性,利用中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管在辐照过程中感生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱电荷.本文对设计的晶体管测试结构和采用的测试方法做了具体介绍.
- 席善斌陆妩王志宽任迪远周东文林孙静
- 关键词：栅控电荷分离
