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陈倩文

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：北京理工大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

主题

  • 3篇深孔
  • 3篇互连
  • 3篇垂直互连
  • 3篇垂直深孔
  • 2篇导电
  • 2篇导电体
  • 2篇电容
  • 2篇直立式
  • 2篇金属
  • 2篇高频通道
  • 2篇衬底
  • 1篇低电阻率
  • 1篇电阻率
  • 1篇淀积
  • 1篇粘附
  • 1篇粘附力
  • 1篇射频
  • 1篇射频芯片
  • 1篇深槽
  • 1篇同轴

机构

  • 5篇北京理工大学

作者

  • 5篇陈倩文
  • 5篇高巍
  • 5篇丁英涛
  • 4篇王士伟

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2013
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种直立式电容结构及其制作方法
本发明涉及一种直立式电容结构及其制作方法，属于微电子无源器件技术领域。其结构具体包括：位于晶圆衬底内的深沟结构、依次淀积于深沟内侧壁的绝缘层和导电层、以及填充于导电层之间的介电层。绝缘层、导电层、介电层与深沟等高。采用基...
丁英涛高巍王士伟陈倩文
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一种垂直互连侧壁绝缘层的制作方法
本发明涉及一种垂直互连侧壁绝缘层的制作方法，属于微电子集成技术领域。本制作方法首先采用真空环境产生压力差的辅助方法，实现高分子聚合物在高深宽比垂直深孔结构内的无缝填充，随后通过高速旋涂技术的离心作用力，去除深孔内大部分高...
丁英涛高巍陈倩文严阳阳
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一种同轴垂直互连导电体的制作方法
本发明涉及一种同轴垂直互连导电体的制作方法，属于微电子集成技术领域。本发明基于圆形深孔和环形深槽的金属填充方法，一次性地实现内垂直导电体和外垂直导电体的制造，实现了同轴的垂直互连。只需要往垂直深孔和深槽结构内淀积一次绝缘...
丁英涛高巍陈倩文王士伟
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一种同轴垂直互连导电体的制作方法
本发明涉及一种同轴垂直互连导电体的制作方法，属于微电子集成技术领域。本发明基于圆形深孔和环形深槽的金属填充方法，一次性地实现内垂直导电体和外垂直导电体的制造，实现了同轴的垂直互连。只需要往垂直深孔和深槽结构内淀积一次绝缘...
丁英涛高巍陈倩文王士伟
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一种直立式电容结构及其制作方法
本发明涉及一种直立式电容结构及其制作方法，属于微电子无源器件技术领域。其结构具体包括：位于晶圆衬底内的深沟结构、依次淀积于深沟内侧壁的绝缘层和导电层、以及填充于导电层之间的介电层。绝缘层、导电层、介电层与深沟等高。采用基...
丁英涛高巍王士伟陈倩文
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