陈海力
- 作品数：5 被引量：4H指数：2
- 供职机构：南京航空航天大学材料科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划江苏省科技支撑计划项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- Fe掺杂CoSb_3化合物的热电性能及电子结构研究
- 2011年
- 采用机械合金化结合冷等静压的方法制备了Co4-xFexSb12化合物,探讨了Fe掺杂对化合物热电性能的影响;利用基于密度泛函理论赝势平面波的方法对Fe掺杂前后的CoSb3的电子结构进行了计算。结果表明：在Co4-xFexSb12化合物中Fe的固溶极限x在0.3-0.5之间;CoSb3的费米面位于导带和价带之间,其电阻率随温度的升高而降低,为非简并半导体;Fe掺杂后费米面进入价带,使其成为p型简并半导体,电阻率较掺杂前大大降低并随温度的升高而增加;本实验条件下,Co3.7Fe0.3Sb12化合物的功率因子在600 K时出现1406.31μW/m.K2的最高值,是未掺杂试样的功率因子最高值的7.4倍。
- 朱云广沈鸿烈陈海力鲁林峰管浩
- 关键词：冷等静压热电性能电子结构态密度
- 背面刻蚀对单晶硅太阳电池性能影响的研究
- 2011年
- 为了减少太阳电池载流子的背面复合,采用离子束对沉积完S iNx减反射膜后的单面扩散和双面扩散的单晶硅片背面进行刻蚀,研究了刻蚀时间对太阳电池性能的影响。采用标准的太阳电池单片测试仪测试电池性能。发现背面经离子束刻蚀后,单面扩散和双面扩散电池片的并联电阻、开路电压、填充因子和转换效率都有所提高,而串联电阻和短路电流的变化则不是很明显。本实验采用的是Ⅱ类单晶硅片,单面扩散电池片通过背面刻蚀后最高转换效率达到15.99%,比不刻蚀样品增加了0.69%;双面扩散电池片通过背面刻蚀后最高转换效率则达到16.4%,比不刻蚀样品增加了0.68%。
- 杨超沈鸿烈吴京波陈海力江丰李斌斌
- 关键词：太阳电池离子束刻蚀开路电压填充因子
- 制备工艺对铝诱导多晶硅薄膜性能影响的研究
- 多晶硅薄膜结合了晶体硅的高转换效率和非晶硅薄膜的低制造成本的优点，被认为是一种性能较为优异的光伏材料。制备多晶硅薄膜的方法有很多，其中铝诱导晶化法是一种较为新颖的制备方法。本文对铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜的工艺进行了深入...
- 陈海力
- 关键词：铝诱导晶化多晶硅薄膜磁控溅射
- 文献传递
- 铝膜沉积温度对铝诱导结晶化多晶硅薄膜性能的影响被引量：2
- 2011年
- 以超白玻璃为衬底,采用热丝化学气相沉积法沉积初始非晶硅膜,经自然氧化形成二氧化硅层,最后利用磁控溅射法在不同衬底温度下沉积铝膜,制备了glass/Si/SiO_2/Al叠层结构并对其进行铝诱导晶化形成多晶硅薄膜。用X射线衍射,光学显微镜和拉曼光谱对样品进行了分析。结果表明,铝诱导晶化制备的多晶硅薄膜的晶粒大小随着铝膜沉积温度的升高而变小,且晶化能力及结晶质量也逐渐变差,当铝膜沉积温度升高至200℃以上时甚至不发生铝诱导晶化现象。
- 陈海力沈鸿烈张磊杨超刘斌
- 关键词：铝诱导晶化多晶硅薄膜磁控溅射
- 铝膜沉积工艺对AIC法制备多晶硅薄膜的影响被引量：2
- 2011年
- 采用真空热蒸发和磁控溅射两种方法沉积铝膜,通过对Glass/Si/SiO2/Al叠层结构进行铝诱导晶化(AIC)制备多晶硅薄膜。采用X射线衍射谱(XRD)、光学显微镜和拉曼光谱对样品进行分析,研究两种铝膜沉积工艺对AIC法制备多晶硅性能的影响。结果表明,采用两种方法沉积的铝膜均能诱导出(111)高度择优取向的大晶粒尺寸(～100μm)的多晶硅薄膜,但与磁控溅射沉积相比,真空热蒸发沉积的铝膜诱导出的多晶硅薄膜应力更小、结晶质量更高,且晶化速率更快。
- 陈海力沈鸿烈唐正霞杨超江丰
- 关键词：铝诱导晶化多晶硅薄膜磁控溅射
