高丽玮
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：哈尔滨工业大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：黑龙江省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学机械工程更多>>
- 铪含量及锂铌比对Hf：Fe：LiNbO<sub>3</sub>晶体缺陷结构和存储性能的影响
- 光学相关识别的应用领域极为广泛,选择合适的存储材料是实现大容量体全息存储和准确识别的关键问题。Hf:Fe:LiNbO<sub>3</sub>晶体在提高响应速度和抗光散射能力的同时仍具有较高的衍射效率和灵敏度,使该晶体更适...
- 高丽玮
- 关键词：全息存储性能
- 铪含量及锂铌比对Hf：Fe：LiNbO/_3晶体缺陷结构和存储性能的影响
- 光学相关识别的应用领域极为广泛,选择合适的存储材料是实现大容量体全息存储和准确识别的关键问题。Hf:Fe:LiNbO/_3晶体在提高响应速度和抗光散射能力的同时仍具有较高的衍射效率和灵敏度,使该晶体更适用于全息图像存储及...
- 高丽玮
- 关键词：全息存储性能
- 文献传递
- 锂铌比对铪铁铌酸锂晶体全息存储性能的影响
- 2010年
- 以掺杂4mol%Hf4+的LiNbO3:Fe:Hf系列晶体([Li]/[Nb]比变化)为研究对象,研究了系列晶体的可见吸收光谱,在632.8nm的写入光下晶体的衍射效率、灵敏度和抗光散射能力在不同[Li]/[Nb]下的变化规律.研究发现Hf4+的浓度达到阈值浓度后,随着[Li]/[Nb]比的增大,晶体的可见吸收边会发生红移,而且晶格中[Fe2+]/[Fe3+]也会增加,这就导致随着[Li]/[Nb]比的增加,样品的衍射效率逐渐减小,写入时间缩短,灵敏度增大.同时,在晶体中,随着[Li]/[Nb]的增大,陷阱中心Fe2Li+数量增大会使得晶体抗光散射能力减弱.
- 高丽玮孟庆鑫石宏新孙秀冬
