高书明
- 作品数：6 被引量：2H指数：1
- 供职机构：桂林电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 溶胶-凝胶法制备Mg_(0.2)Zn_(0.8)O阻变薄膜的研究
- 2012年
- 采用溶胶-凝胶工艺在氧化铟锡(ITO)玻璃衬底上制备Mg0.2Zn0.8O阻变薄膜,研究了退火温度和薄膜层数对Mg0.2Zn0.8O薄膜生长行为、漏电流性能的影响。研究发现,Mg0.2Zn0.8O薄膜是多晶态结晶结构,薄膜的(100)、(002)和(101)晶面所对应衍射峰的强度随镀制薄膜层数的增多和退火温度的升高明显增强。结果表明,随退火温度的升高,高阻态(HRS)和低阻态(LRS)的漏电流减小;然而,HRS时薄膜的漏电流却随Mg0.2Zn0.8O薄膜层数的增多而变大。退火温度和薄膜厚度改变Mg0.2Zn0.8O阻变薄膜中氧空穴和缺陷的数量,进而影响Mg0.2Zn0.8O薄膜的漏电流。
- 高书明王华许积文单旭赵霞妍
- 关键词：溶胶-凝胶工艺漏电流
- 一种Mn-Zn氧化物电致阻变薄膜及其非对称透光阻变电容的制备方法
- 本发明公开了一种Mn-Zn氧化物电致阻变薄膜及其非对称透光阻变电容的制备方法，包括以镀有透明导电氧化物薄膜的玻璃为衬底，采用化学溶液沉积(CSD)工艺方法制备Mn-Zn氧化物电致阻变薄膜，采用直流磁控溅射工艺方法制备金属...
- 王华高书明许积文周尚菊杨玲
- 文献传递
- 一种Mg<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1-x</Sub>O电致阻变薄膜及其非对称结构异质结的制备方法
- 本发明公开了一种Mg<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1-x</Sub>O电致阻变薄膜及其非对称结构异质结的制备方法，它是以镀有ITO、AZO等透明导电氧化物薄膜的玻璃为衬底；将配制好的Mg<Sub>x</Sub>Z...
- 王华高书明许积文杨玲周尚菊
- 文献传递
- 自整流电致阻变异质结的制备与性能研究
- 王华许积文杨玲周尚菊任明放高书明孙丙成李志达张玉佩
- 存储器是计算机、通讯设备等信息处理系统中不可或缺的关键组成部分，已成为其关键技术和经济影响因素之一。然而，当今在快速存取数据存储器中居支配地位的半导体随机存储器(SRAM)存在重大缺陷：电源一消失就会失去所有信息，即挥发...
- 关键词：
- 关键词：存储器
- 氧化物电致阻变薄膜及其电容的制备与性能研究
- 近年来，由于现有半导体存储器的技术缺陷和其物理极限的限制，开发各种新型非挥发性存储器成为全球研究热点。其中，电致阻变存储器(RRAM)因具有结构简单、单元面积小、低功耗及非挥发性等优点，成为该领域的研发重点。ZnO基薄膜...
- 高书明
- 关键词：氧化铟锡溶胶凝胶法
- 溶胶浓度对Ag/Mg_(0.2)Zn_(0.8)O/ITO阻变异质结性能的影响研究被引量：2
- 2013年
- 采用溶胶-凝胶工艺制备了Ag/Mg0.2Zn0.8O/ITO异质结,研究了溶胶浓度对Mg0.2Zn0.8O薄膜生长行为、阻变性能和疲劳特性等的影响。研究表明:Mg0.2Zn0.8O为多晶薄膜,平整致密,且随溶胶浓度的增加结晶度逐步增强,但溶胶浓度过大会导致裂纹产生。阻变行为表明,随着溶胶浓度的增加,Vset电压逐渐升高,高阻态的阻值(RHRS)逐渐下降,低阻态的阻值(RLRS)无明显变化,RHRS/RLRS和无疲劳循环次数逐渐降低。不同溶胶浓度所制备Ag/Mg0.2Zn0.8O/ITO异质结遵循相同的导电机制,但低压区域遵循欧姆传导机制的范围有所不同,浓度为0.3 mol/L的薄膜具有较好的综合性能,其Vset低至1.2 V、无疲劳循环次数达到230次、RHRS/RLRS大于10。
- 高书明王华许积文张小文袁昌来杨玲
- 关键词：溶胶-凝胶工艺
