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高晓强

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇衬底
  • 4篇退火
  • 4篇迁移
  • 4篇迁移率
  • 4篇热退火
  • 4篇离子
  • 4篇快速热退火
  • 4篇化学气相
  • 4篇化学气相沉积
  • 4篇分子束
  • 4篇分子束外延
  • 4篇超高真空
  • 4篇超高真空化学...
  • 4篇弛豫
  • 3篇氢离子
  • 3篇位错
  • 3篇半导体
  • 2篇选择性
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇图形化

机构

  • 11篇中国科学院
  • 1篇兰州大学

作者

  • 11篇高晓强
  • 10篇狄增峰
  • 10篇张苗
  • 6篇薛忠营
  • 4篇王庶民
  • 4篇卞建涛
  • 4篇姜海涛
  • 4篇陈达
  • 4篇刘林杰
  • 2篇王刚
  • 2篇陈龙
  • 2篇叶林
  • 2篇郭庆磊

年份

  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 5篇2013
  • 1篇2011
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
利用RPCVD制备高质量应变SiGe薄膜
硅锗作为新型微电子材料，近年来引起了人们广泛的关注与研究。以二氯硅烷(DCS)和锗烷(CeH4)为源，利用RPCVD在125mm<100>硅片衬底上制备了高质量的锗硅合金薄膜。通过高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、...
陈达贾晓云高晓强刘肃张苗
关键词：半导体薄膜工艺参数
一种直接带隙Ge薄膜的制备方法及层叠结构
本发明提供一种直接带隙Ge薄膜的制备方法及层叠结构，所述制备方法是首先在GaAs衬底上分别外延出In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As层和Ge层，其中，0.223﹤x≤1，并使In<Sub>x<...
张苗刘林杰狄增峰薛忠营陈达卞建涛姜海涛高晓强
文献传递
一种Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法
本发明提供一种Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面形成GaAs层，于所述GaAs层表面形成Ⅲ-Ⅴ半导体层，于所述Ⅲ-Ⅴ半导体层表面形成第一SiO<Sub>2</Sub>层...
狄增峰高晓强恭谦张苗王庶民
文献传递
一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法
本发明涉及一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法，该方法包括以下步骤：提供一GeOI衬底；在该GeOI衬底的顶层锗上外延InxGa1-xAs层，其中，所述InxGa1-xAs层厚度不超过InxGa1-xAs/GeOI...
狄增峰郭庆磊张苗叶林薛忠营陈龙王刚高晓强
文献传递
一种GaAsOI结构及Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法
本发明提供一种GaAsOI结构及Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，先通过外延技术和离子注入技术形成半导体衬底、GaAs层结构，所述半导体衬底中具有H离子或/及He离子注入层，且所述半导体衬底为Ge、Ge/Si、Ge/GeSi/S...
狄增峰高晓强恭谦张苗王庶民
文献传递
一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构
本发明提供一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构，所述制备方法首先在GaAs衬底上分别外延出In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As层和顶层Ge薄膜，所述In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>...
张苗刘林杰狄增峰高晓强陈达薛忠营姜海涛卞建涛
文献传递
一种直接带隙Ge薄膜的制备方法及层叠结构
本发明提供一种直接带隙Ge薄膜的制备方法及层叠结构，所述制备方法是首先在GaAs衬底上分别外延出In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As层和Ge层，其中，0.223﹤x≤1，并使In<Sub>x<...
张苗刘林杰狄增峰薛忠营陈达卞建涛姜海涛高晓强
文献传递
一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构
本发明提供一种张应变Ge薄膜的制备方法及层叠结构，所述制备方法首先在GaAs衬底上分别外延出In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1-x</Sub>As层和顶层Ge薄膜，所述In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>...
张苗刘林杰狄增峰高晓强陈达薛忠营姜海涛卞建涛
文献传递
一种Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法
本发明提供一种Ⅲ-ⅤOI结构的制备方法，至少包括以下步骤：1）提供一半导体衬底，于所述半导体衬底表面形成GaAs层，于所述GaAs层表面形成Ⅲ-Ⅴ半导体层，于所述Ⅲ-Ⅴ半导体层表面形成第一SiO<Sub>2</Sub>层...
狄增峰高晓强恭谦张苗王庶民
文献传递
一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法
本发明涉及一种制备高单晶质量的张应变锗纳米薄膜的方法，该方法包括以下步骤：提供一GeOI衬底；在该GeOI衬底的顶层锗上外延InxGa1-xAs层，其中，所述InxGa1-xAs层厚度不超过InxGa1-xAs/GeOI...
狄增峰郭庆磊张苗叶林薛忠营陈龙王刚高晓强
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