魏来明
- 作品数：9 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学信息科学技术学院合肥微尺度物质科学国家实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- Te元素掺杂Bi_2Se_3拓扑绝缘体纳米线的反弱局域效应（英文）
- 2017年
- 采用Au催化的固-液-气(VLS)方法制备了单晶Bi_2Se_3和Bi_2(Te_xSe_(1-x))_3纳米线,研究了单根纳米线器件的输运性质.在对单根Bi_2(Te_xSe_(1-x))3(x=0.26)纳米线的低温磁输运测试中观察到反弱局域效应,说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.结果表明,Te掺杂可以有效抑制体电导对输运过程的影响.通过对不同温度下的磁电导曲线进行拟合,得到了电子的退相干长度l_φ,l_φ从1.5 K时的389 nm减小至20 K时的39 nm,遵循l_φ∝T^(-0.96)指数变化规律.分析表明,在Te掺杂样品的输运过程中,电子-电子散射和电子-声子散射均起到了十分重要的作用.
- 田锋周远明张小强魏来明梅菲徐进霞蒋妍吴麟章康亭亭俞国林
- 关键词：拓扑绝缘体
- LaAlO_3/SrTiO_3界面导电性的近场成像（英文）
- 2017年
- 铝酸镧/钛酸锶(LaALO_3/SrTiO_3)异质界面被发现具有二维导电性并呈现出其他一些有趣的呈展现象.而此前,LaAlO_3/SrTiO_3异质界面的导电性主要都是通过电学方法进行表征.这里作者首次提出利用散射式扫描近场光学显微镜(s-SNOM)对LaAlO_3/SrTiO_3界面的导电性进行空间成像,这为研究过渡金属氧化物异质界面体系的物理现象提供了一个新的手段.
- 成龙成龙戴思远严跃冬范晓东魏来明魏来明
- 一种用于微波辐照下磁输运测试的样品杆
- 本发明公开了一种用于微波辐照下磁输运测试的样品杆，它用于研究极低温下微波辐照对材料电学特性和自旋特性的影响。样品杆由不锈钢管、波导管及转接口、同轴电缆及转接口、测试引线及插座，样品架、密封套和抽气口等组成。系统的主要特征...
- 俞国林刘新智敬承斌孙雷褚君浩魏来明周远明高矿红林铁
- 文献传递
- 一种用于微波辐照下磁输运测试的样品杆
- 本发明公开了一种用于微波辐照下磁输运测试的样品杆，它用于研究极低温下微波辐照对材料电学特性和自旋特性的影响。样品杆由不锈钢管、波导管及转接口、同轴电缆及转接口、测试引线及插座，样品架、密封套和抽气口等组成。系统的主要特征...
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- 光照对AlzGal-zN／GaN异质结二维电子气系统中拍频效应和WAL效应的影晌
- @@引言： AlXGa1-xN／GaN异质结二维电子气的自旋输运特性是当前自旋电子学的一个研究热点。因为有理论预测基于GaN基的稀磁半导体的居里温度高于室温，这使得制备室温自旋器件成为可能。另外，GaN基稀磁半导体是自旋...
- 周文政沈波唐宁韩奎郭少令桂永胜林铁商丽燕高矿红周远明魏来明俞国林褚君浩
- 文献传递网络资源链接
- HgCdTe薄膜的反局域效应被引量：2
- 2013年
- 利用液相外延法制备了Hg0.77Cd0.23Te薄膜样品,在对样品的低温磁输运测试中观察到反局域效应,说明样品中存在较强的自旋-轨道耦合.通过Hikami-Larkin-Nagaoka(HLN)局域模型加上Drude电导模型拟合磁电导曲线,得到了电子的退相干时间和自旋-轨道散射时间.研究结果表明,电子的退相规律符合Nyquist退相机制.
- 魏来明刘新智俞国林高矿红王奇伟林铁郭少令魏彦峰杨建荣何力戴宁褚君浩
- 关键词：自旋-轨道耦合
- 高迁移率InGaAs／InP量子阱中的有效g因子
- 2012年
- 利用化学束外延法制备了高迁移率的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱样品.在样品的低温磁输运测试中,观察到纵向磁阻的Shubnikov-de Hass(SdH)振荡和零场自旋分裂引起的拍频.本文提出一种解析的方法,即通过同时拟合不同倾斜磁场下SdH振荡的傅里叶变换谱,得到有效g因子的大小.
- 魏来明周远明俞国林高矿红刘新智林铁郭少令戴宁褚君浩Austing David Guy
- 关键词：磁阻
- 一种用于半导体材料磁输运测试的样品杆
- 本实用新型公开了一种用于半导体材料磁输运测试的样品杆，它用于研究极低温下微波辐照对材料电学特性和自旋特性的影响。样品杆由不锈钢管、波导管及转接口、同轴电缆及转接口、测试引线及插座，样品架、密封套和抽气口等组成。系统的主要...
- 俞国林刘新智敬承斌孙雷褚君浩魏来明周远明高矿红林铁
- 文献传递
- HgCdTe反型层的磁输运性质被引量：1
- 2012年
- 利用成本低廉的液相外延技术,成功制备了具有金属-绝缘体-半导体结构的HgCdTe场效应管器件.在该器件中,观察到清晰的Shubnikov-de Hass振荡和量子霍尔平台,证明样品具有较高的质量.测量零场附近的磁阻曲线,在HgCdTe-基器件中观察到反弱局域效应,表明样品中存在较强的自旋-轨道耦合作用.利用Iordanskii-Lyanda-Pikus理论,很好地拟合了反弱局域曲线.由拟合得到的自旋分裂能随电子浓度的增大而增大,最大达到9.06 meV根据自旋分裂能得到的自旋-轨道耦合系数同样随电子浓度的增大而增大,与沟道较宽的量子阱中所得到的结果相反.
- 高矿红魏来明俞国林杨睿林铁魏彦锋杨建荣孙雷戴宁褚君浩
- 关键词：二维电子气HGCDTE
