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鲁颖炜

作品数：6 被引量：11H指数：2
供职机构：天津大学更多>>
发文基金：天津市自然科学基金更多>>
相关领域：理学冶金工程电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇专利

领域

  • 2篇理学
  • 1篇冶金工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇发光
  • 3篇多孔硅
  • 3篇硅基
  • 3篇发光性
  • 3篇发光性能
  • 2篇电化学
  • 2篇电化学刻蚀
  • 2篇电致发光
  • 2篇氢氟酸
  • 2篇硝酸
  • 2篇硝酸银
  • 2篇刻蚀
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光性能
  • 1篇导体
  • 1篇元素半导体
  • 1篇碳化钒
  • 1篇离子注入
  • 1篇离子注入技术
  • 1篇量子

机构

  • 6篇天津大学
  • 1篇天津市硬质合...

作者

  • 6篇鲁颖炜
  • 4篇孙景
  • 3篇杜希文
  • 2篇李竞强
  • 1篇范明德
  • 1篇赵光远
  • 1篇梁福起
  • 1篇郭小南
  • 1篇刘俊朋

传媒

  • 1篇材料导报
  • 1篇磁性材料及器...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 2篇2004
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
电致发光多孔硅材料及其制备方法
本发明公开了一种电致发光多孔硅及其制备方法，属于电致发光多孔硅材料技术。所述的电致发光多孔硅材料由硅基底层，在硅基底层一侧的上方为多孔硅层，多孔硅层之上为平均直径为200－500纳米、长度为2－10微米的硅线层构成。其制...
杜希文鲁颖炜孙景李竞强
文献传递
电致发光多孔硅材料的制备方法
本发明公开了一种电致发光多孔硅及其制备方法，属于电致发光多孔硅材料技术。所述的电致发光多孔硅材料由硅基底层，在硅基底层一侧的上方为多孔硅层，多孔硅层之上为平均直径为200-500纳米、长度为2-10微米的硅线层构成。其制...
杜希文鲁颖炜孙景李竞强
文献传递
无磁硬质合金研究进展被引量：9
2004年
论述了无磁硬质合金研究的重要性及进展情况,重点介绍了近期研究成功的添加VC生产无磁硬质合金。
孙景鲁颖炜郭小南赵光远梁福起范明德
关键词：碳化钒磁导率
新型硅纳米晶材料的制备及其发光性能的研究
自从英国科学家L.T.Canham成功制备出具有可见光发射性能的多孔硅（PS）后，以电子领域最重要的半导体硅（Si）作为发光材料的研究引起了广泛关注。而Si纳米晶作为零维纳米材料以其特有的量子限制效应成为所有Si纳米结构...
鲁颖炜
关键词：发光材料硅纳米晶晶体光学
多孔硅材料制备新方法及其发光性能和机理的研究
多孔硅作为一种硅基纳米发光材料，由于具有与现有硅芯片集成容易、研制成本低以及发射光均匀、多色等优点而被国内外科学家广泛研究，现已成为20世纪90年代以来硅基纳米材料的主要代表。 本论文分别采用化学-电化学二步刻...
鲁颖炜
关键词：多孔硅光致发光性能蓝光发射硅基纳米材料
文献传递
单元素半导体量子点制备及其光致发光性能的研究进展
2004年
单元素半导体量子点的制备成功使光电集成成为可能。介绍了单元素半导体量子点的制备方法，包括射频磁控溅射技术、硅离子注入技术、化学气相沉积法、溶胶-凝胶法等；并且介绍了单元素半导体量子点的发光机理模型，包括量子限制效应模型、与氧有关的缺陷发光、量子限制效应-发光中心复合发光和界面层中的激子效应发光等；另外对单元素半导体量子点的发展前景进行了展望。
刘俊朋杜希文孙景鲁颖炜
关键词：光致发光性能离子注入技术量子限制效应光电集成复合发光
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