您的位置: 专家智库 > >

黄学艺

作品数:12 被引量:27H指数:4
供职机构:广西民族大学更多>>
发文基金:广西壮族自治区自然科学基金广西教育厅科研项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学医药卫生自动化与计算机技术化学工程更多>>

文献类型

  • 8篇期刊文章
  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇理学
  • 3篇医药卫生
  • 2篇化学工程
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 7篇电化学
  • 7篇巴比妥
  • 6篇分子
  • 6篇分子印迹
  • 5篇电化学传感
  • 5篇电化学传感器
  • 5篇氧化铜
  • 5篇纳米
  • 5篇纳米氧化铜
  • 5篇化学传感器
  • 5篇感器
  • 5篇传感
  • 5篇传感器
  • 4篇电聚合
  • 4篇印迹聚合物
  • 4篇分子印迹聚合...
  • 4篇苯巴比妥
  • 3篇转化膜
  • 3篇铝合金
  • 3篇铝合金表面

机构

  • 12篇广西民族大学
  • 4篇广州有色金属...

作者

  • 12篇黄学艺
  • 11篇谭学才
  • 11篇余会成
  • 7篇韦贻春
  • 4篇吴海鹰
  • 3篇陈其锋
  • 2篇李浩
  • 2篇黄雪花
  • 1篇米丹丹
  • 1篇黄小小
  • 1篇孙月新
  • 1篇毛慧娟

传媒

  • 2篇分析试验室
  • 1篇分析化学
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇中国现代应用...
  • 1篇分析测试学报
  • 1篇化学研究与应...
  • 1篇物理化学学报

年份

  • 2篇2015
  • 8篇2014
  • 2篇2013
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
巴比妥类药物的分子印迹电化学传感器的制备与应用
分子印迹电化学分析是新近发展起来的学科,主要采用电化学法来研究有机小分子。本论文在结合分子印迹电化学传感器的科学成果和分子印迹技术所取得的成熟条件的基础上,用简单的方法制备了巴比妥类药物的分子印迹电化学传感器,对此传感器...
黄学艺
关键词:巴比妥类药物纳米氧化铜纳米镍电化学传感器
文献传递
一种铝合金黄绿色三价铬转化膜的制备方法及其成膜液
本发明公开了一种黄绿色铝合金三价铬转化膜的制备方法及其成膜液,该成膜液中加入了镁盐及有机物氨基喹啉类,使用该成膜液处理铝或铝合金工件,能够在铝合金表面形成黄绿色三价铬转化膜。与单一膜层的三价铬转化膜相比,采用本发明可满足...
余会成黄学艺雷福厚谭学才韦贻春陈其锋
基于电聚合的苯巴比妥分子印迹电化学传感器的制备及其应用研究被引量:6
2014年
以马来松香丙烯酸乙二醇酯(EGMRA)为交联剂,甲基丙烯酸为功能单体,在玻碳电极表面电聚合了一种对苯巴比妥分子具有专一性识别的聚合膜。在最佳实验条件下,采用循环伏安法(CV)、差分脉冲伏安法(DPV)及电化学交流阻抗法(EIS)对印迹传感器的性能进行研究。实验结果表明:该印迹传感器对苯巴比妥具有快速响应、专一性识别和高灵敏度的特点,且苯巴比妥的浓度在8.0×10^-7-1.0×10^-4mol/L范围内与DPV电流信号呈良好的线性关系,相关系数(r)为0.9983。检出限(S/N=3)为5.4×10-mol/L。将此印迹传感器应用于实际样品中苯巴比妥的检测,加标回收率为95.7%~105.0%。
余会成黄学艺谭学才雷福厚毛慧娟
关键词:苯巴比妥电聚合电化学传感器分子印迹
纳米镍修饰的氧化铜掺杂的异戊巴比妥电化学传感器制备与应用被引量:1
2015年
先将合成的纳米镍修饰裸玻碳电极,再在修饰电极表面热聚合一种以甲基丙烯酸为功能单体、马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂、纳米氧化铜掺杂的异戊巴比妥分子印迹敏感膜。研究了印迹电极的最佳成膜条件及其最佳实验条件。采用循环伏安法(CV)和电化学交流阻抗法(EIS)对印迹传感器的电化学性能进行表征。使用红外光谱和扫描电镜分别探究此印迹敏感膜的结构及表面形貌。在最佳实验条件下,以K3Fe(CN)6为分子探针的差分脉冲伏安法(DPV)峰电流响应值与异戊巴比妥的浓度在6.5×10-8~1.8×10-4mol/L范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9986);检出限为1.1×10-9mol/L(S/N=3)。传感器能用于猪肉中残留异戊巴比妥的检测,加标回收率在96.5%~103.2%之间。
黄学艺余会成韦贻春李浩雷福厚谭学才米丹丹吴海鹰
关键词:异戊巴比妥纳米氧化铜纳米镍电化学传感器
纳米氧化铜修饰的苯巴比妥分子印迹传感器的制备及其电化学性能被引量:6
2014年
为了改善分子印迹传感器的灵敏度,在四丁基高氯酸铵的支持电解质溶液中,以甲基丙烯酸为功能单体,马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂在纳米氧化铜修饰过的玻碳电极上电聚合了一种苯巴比妥(PB)识别性能的分子印迹传感膜.采用循环伏安(CV)法、差分脉冲伏安(DPV)法及交流阻抗(EIS)法对这种纳米氧化铜修饰过的印迹及非印迹电极的电化学性能进行了研究,结果显示纳米氧化铜修饰过的印迹及非印迹电极的电化学性能完全不同.X射线衍射(XRD)证实纳米粒子为氧化铜.采用扫描电镜(SEM)对纳米氧化铜修饰过的印迹传感器的形貌进行分析,发现纳米氧化铜分散在电极表面,改善了修饰印迹传感器的识别点.差分脉冲伏安法(DPV)表明苯巴比妥的浓度在1.0×10-8-1.8×10-4mol·L-1范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9994);检出限2.3×10-9mol·L-1(信噪比(S/N)=3).研究结果表明纳米氧化铜修饰过的印迹传感器具有较高灵敏度及选择性.此印迹传感器能用于实际样品中苯巴比妥的检测,加标回收率在95.0%-102.5%.
余会成黄学艺李浩雷福厚谭学才韦贻春吴海鹰
关键词:纳米氧化铜苯巴比妥分子印迹聚合物电聚合
纳米氧化铜掺杂的苯巴比妥分子印迹电化学传感器的制备及其识别性能研究被引量:7
2014年
为了提高苯巴比妥分子印迹传感器的灵敏度,以甲基丙烯酸为功能单体,马来松香丙烯酸乙二醇酯为交联剂,热聚合了一种纳米氧化铜掺杂的苯巴比妥分子印迹传感器。分别采用循环伏安法(CV)、电化学交流阻抗法(EIS)、差分脉冲伏安法(DPV)、计时电流法(CA)对这种印迹传感器的电化学性能进行了研究。分别采用红外光谱、扫描电镜对此印迹传感器的结构及形貌进行了表征。结果表明,以铁氰化钾为分子探针的间接检测中,铁氰化钾的峰电流值与苯巴比妥的浓度在1.2×10^-7-1.5×10^-4mol/L范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9984),检出限(S/N=3)为8.2×10^-9mol/L。将此印迹传感器用于实际应用,回收率在96.5%-103.0%之间。
余会成黄学艺韦贻春雷福厚谭学才吴海鹰
关键词:纳米氧化铜苯巴比妥分子印迹聚合物
基于纳米氧化铜修饰的异戊巴比妥的新型电化学传感器的制备与应用被引量:2
2014年
在纳米氧化铜修饰的玻碳电极表面电聚合一种能够快速检测尿液中异戊巴比妥(AMB)的分子印迹敏感膜,研究了该敏感膜的最佳成膜条件及最佳工作条件.通过扫描电子显微镜(SEM)、循环伏安(CV)和电化学交流阻抗法(EIS)研究了印迹膜的表面形貌及性能.电化学实验结果表明,纳米氧化铜能提高传感器对AMB的灵敏度.在最佳实验条件下,铁氰化钾分子探针的差分脉冲伏安(DPV)峰电流响应值与AMB的浓度在1.0×10-7-1.4×10-4mol/L范围内呈现良好的线性关系(线性相关系数R=0.9966);检出限为2.1×10-9mol/L(S/N=3).此印迹传感器可用于尿液中AMB的检测,加标回收率为94.00%-104.67%.
黄学艺余会成韦贻春雷福厚谭学才吴海鹰
关键词:纳米氧化铜异戊巴比妥电化学传感器
一种铝合金深绿色三价铬转化膜的制备方法及其成膜液
本发明公开了一种铝合金深绿色三价铬转化膜的制备方法及其成膜液,该成膜液中加入了铜盐及有机物乙烯基吡啶类,使用该成膜液处理铝或铝合金工件,能够在铝合金表面形成深绿色三价铬转化膜。与单一膜层的三价铬转化膜相比,采用本发明可满...
余会成黄学艺雷福厚谭学才韦贻春陈其锋
文献传递
一种铝合金黄绿色三价铬转化膜的制备方法及其成膜液
本发明公开了一种黄绿色铝合金三价铬转化膜的制备方法及其成膜液,该成膜液中加入了镁盐及有机物氨基喹啉类,使用该成膜液处理铝或铝合金工件,能够在铝合金表面形成黄绿色三价铬转化膜。与单一膜层的三价铬转化膜相比,采用本发明可满足...
余会成黄学艺雷福厚谭学才韦贻春陈其锋
文献传递
新诺明分子印迹传感器的制备及应用研究被引量:1
2014年
目的以吡咯为单体在玻碳电极表面电聚合一种新诺明分子印迹膜。方法研究了聚吡咯、新诺明浓度、扫描圈数及扫描速率对印迹膜制备的影响,并探讨检测液的pH值、乙腈与水的体积比对响应电流的影响。采用循环伏安法及电化学交流阻抗技术对分子印迹膜进行表征。结果在最佳实验条件下新诺明的浓度在2.50×10^-5~7.50×10^-4mol·L^-1及7.50×10^-4~2.00×10^-3mol·L^-1内时,差分脉冲伏安法的峰电流响应值呈现线性关系(线性相关系数分别为0.9958和0.99671,检出限(S/N=3)为2.80×10^-6mol·L^-1。结论印迹电极也显示出较好的选择性、重复性、稳定性。将此印迹传感器对复方新诺明药品中磺胺甲嗯唑的含量进行了测定,回收率在94.2%~105.0%。
覃燕平黄学艺余会成谭学才唐响妹黄雪花
关键词:分子印迹聚合物电聚合聚吡咯
共2页<12>
聚类工具0