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齐瑞生

作品数：18 被引量：4H指数：1
供职机构：杭州电子科技大学更多>>
发文基金：浙江省科技计划项目国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 6篇电子电信

主题

  • 10篇沟道
  • 8篇氧化层
  • 7篇埋层
  • 6篇电极
  • 6篇短路
  • 6篇短路点
  • 6篇阳极
  • 6篇金属
  • 6篇金属电极
  • 4篇杂质浓度分布
  • 4篇反向偏置
  • 3篇电路
  • 3篇电阻
  • 3篇终端
  • 3篇终端技术
  • 3篇扩展电阻
  • 3篇集成电路
  • 3篇功率集成
  • 3篇功率集成电路
  • 3篇硅膜

机构

  • 18篇杭州电子科技...
  • 1篇大连理工大学
  • 1篇杭州汉安半导...

作者

  • 18篇齐瑞生
  • 17篇张海鹏
  • 11篇赵伟立
  • 10篇吴倩倩
  • 10篇刘怡新
  • 10篇汪洋
  • 10篇孔令军
  • 3篇许生根
  • 3篇洪玲伟
  • 2篇陈波
  • 1篇苏步春
  • 1篇林弥
  • 1篇徐丽燕
  • 1篇刘国华
  • 1篇徐文杰
  • 1篇张亮
  • 1篇王德君

传媒

  • 1篇科技通报
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇杭州电子科技...

年份

  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 10篇2011
  • 3篇2010
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元
本实用新型涉及一种具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本实用新型顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区、n型轻掺杂漂移区；n型轻掺杂漂移区顶部两侧嵌入第一p型阱区...
张海鹏齐瑞生孔令军汪洋赵伟立刘怡新吴倩倩
文献传递
一种自偏置预失真线性功率放大器被引量：1
2010年
该文提出了一种用中芯国际0.18μm工艺设计的自偏置预失真AB类功率放大电路电路结构。电路采用两级共源共栅结构,在共栅MOS管上采用自偏置电路,在第二级电路中采用预失真电路。该次设计采用Agilent的ADS软件对电路进行模拟,在2.4GHz频率下,1dB压缩点的输出功率为22.5dBm,此时的PAE是25.1%。
陈波张海鹏许生根齐瑞生
关键词：功率放大器自偏置预失真共源共栅线性化
双槽栅SOI LDMOS器件结构及其制造方法研究被引量：1
2011年
提出了一种具有双槽栅(DTG)SOI LDMOS新结构及其制造方法。与单槽栅(STG)SOI LDMOS相比,DTG SOI LDMOS具有更高的击穿电压,更低的通态电阻,更高的跨导。通过Silvaco TCAD对该结构进行了工艺仿真和器件电学特性模拟,结果表明DTG SOI LDMOS器件不仅具有较好的电学性能,而且可以采用SOI CMOS工艺制造。
许生根张海鹏齐瑞生陈波
关键词：SOILDMOS电学特性
一种厚膜SOI结构
本实用新型涉及一种厚膜SOI结构。本实用新型依次包括半导体衬底、薄隐埋氧化层、P型硅隐埋层和N型顶层硅膜。半导体衬底和N型顶层硅膜中的杂质为均匀分布；半导体衬底厚度为100～300μm，掺杂硼浓度为10<Sup>13</...
张海鹏齐瑞生洪玲伟
文献传递
SOI LIGBT的优化设计方法研究
绝缘栅双极晶体管IGBT(Insulator Gate Bipolar Transistor)是MOS栅器件结构与双极晶体管结构相结合进化而成的复合型功率器件，具有功率MOS器件和BJT器件的双重特点，在通态电流和开关时...
齐瑞生
关键词：功率集成电路SOI材料绝缘栅双极晶体管优化设计
文献传递
具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元的制作方法
本发明涉及一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元的制作方法。现有方法制作的SOI LIGBT器件在高温、大电流环境下急剧退化甚至失效。本发明方法采用具有隐埋p型层的SOI材料制作纵向沟道SOI LIGBT器件...
张海鹏齐瑞生刘怡新吴倩倩孔令军汪洋赵伟立
一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元
本发明涉及一种具有p埋层的纵向沟道SOI LIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区，p埋层区的顶部依次并排设置有金属栅极、n型重掺杂多晶硅栅、栅氧化层...
张海鹏齐瑞生汪洋赵伟立刘怡新吴倩倩孔令军
文献传递
一种具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元
本发明涉及一种具有P埋层的横向沟道SOI LIGBT器件单元。现有产品限制了器件结构与电学特性的改善。本发明顺序包括p型半导体衬底、隐埋氧化层、p埋层区、n型轻掺杂漂移区；n型轻掺杂漂移区顶部两侧嵌入第一p型阱区和n型缓...
张海鹏齐瑞生孔令军汪洋赵伟立刘怡新吴倩倩
文献传递
用于横向高压器件和智能功率集成电路的厚膜SOI材料
本发明涉及一种用于横向高压器件和智能功率集成电路的厚膜SOI材料。本发明依次包括半导体衬底、薄隐埋氧化层、P型硅隐埋层和N型顶层硅膜。半导体衬底和N型顶层硅膜中的杂质为均匀分布；半导体衬底厚度为100～300μm，掺杂硼...
张海鹏齐瑞生洪玲伟
4H-SiC TPJBS二极管器件结构和器件仿真被引量：2
2011年
4H-SiC JBS器件具有通态电压较高、泄漏电流较大、静态功耗较高等缺点。为探索改善这些缺点的理论方法和技术途径,提出一种沟槽P型PN结肖特基势垒复合4H-SiC二极管。采用Silvaco TCAD对该器件的正向导通特性和反向阻断特性进行仿真,仿真结果表明,与具有类似参数的传统4H-SiC JBS相比,该器件具有更低的通态电阻、更小的反向泄漏电流及更低的静态功耗,更适合高频大功率低功耗电力电子系统应用。
张海鹏齐瑞生王德君王勇
关键词：碳化硅功率器件电学特性
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