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龚朝阳
作品数:
1
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供职机构:
南京电子器件研究所
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相关领域:
电子电信
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合作作者
娄书礼
南京电子器件研究所
金毓铨
南京电子器件研究所
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龚朝阳
1篇
金毓铨
1篇
娄书礼
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固体电子学研...
年份
1篇
1993
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微波器件失效率快速试验方法研究
1993年
介绍了微波低噪声GaAsFET恒定应力加速寿命试验结果,沟道温度Tch为145℃时,平均寿命MTTF为9.64×10^6h,最主要的失效模式是源漏饱和电流IDss退化降低。建立了表征GaAsFET稳定性的敏感参数IDss的退化模型InP=α+blnt,分析了IDss退化与温度应力的加速关系。提出了快速推断器件可靠性的建议。
娄书礼
龚朝阳
金毓铨
苏德青
关键词:
可靠性
微波器件
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