丘志仁
- 作品数：37 被引量：76H指数：4
- 供职机构：中山大学更多>>
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- 相关领域：理学机械工程电子电信一般工业技术更多>>
- 自然氧化的多孔硅的光学特性
- 何依婷丘志仁冯哲川
- 结合椭圆偏振光谱与傅里叶红外光谱的宽禁带半导体薄膜光学特性表征(英文)
- <正>Wide band gap semiconductor films,including silicon carbide(Si C),gallium nitride(Ga N),zinc oxide(Zn O)and...
- 谢灯丘志仁万玲玉Chin-CheTin梅霆冯哲川
- 文献传递
- 结合椭圆偏振光谱与傅里叶红外光谱的宽禁带半导体薄膜光学特性表征（英文）
- 2016年
- 宽禁带半导体薄膜,包括碳化硅,氮化镓和氧化锌及其化合物以及异构体,带隙普遍在3.2eV以上,一阶声子特征峰在100至1500cm^(-1)之间。确定能带宽度和声子特征峰有很多方法,比如光致发光、拉曼散射、光学透射谱等,我们提出了一种结合椭圆偏振光谱与红外傅里叶反射谱进行传输矩阵分析的方法,能够同时确定从紫外波段(约250nm)到远红外波段(约22000nm)的薄膜材料色散关系和膜厚。我们构建了基于谐振子的光学函数模型,并论证这个模型很适合用于模拟由各种不同波长入射光波造成的共振吸收。
- 谢灯丘志仁万玲玉TIN Chin-che梅霆冯哲川
- 关键词：椭圆偏振光谱傅里叶红外光谱
- 飞秒激光非线性频率转换的自适应优化过程被引量：1
- 2010年
- 使用闭环控制的自适应控制光学系统对飞秒激光的波前进行调控,可以有效改善激光与物质相互作用中由于相位畸变或光路偏差导致的效率下降。利用可编程纯相位的液晶空间光调制器结合模拟退火算法设计的自适应优化系统,在BBO晶体的飞秒倍频过程中实现了对相位畸变和光路偏差导致倍频效率下降的自动补偿,从而实现飞秒倍频效率的最优化。
- 张培晴关烨锋谢向生丘志仁周建英
- 关键词：自适应光学模拟退火算法
- 飞秒相位差分光谱
- 瞬态相干光学过程一直是激光与物质相互作用研究领域最为活跃的研究课题之一.随着超短激光脉冲技术的发展,现在已经可以方便地在实验得到稳定的飞秒量级的超短脉冲,从而使人们可以研究各种物质形态的相干动力学行为.瞬态相干效应是一种...
- 余向阳罗琦戴德昌丘志仁周建英
- 关键词：干涉图
- 文献传递
- 射频磁控共溅射GaAs/SiO_2纳米颗粒镶嵌薄膜的光学性质被引量：4
- 2002年
- 应用射频磁控共溅射方法和真空退火方法制备了GaAs SiO2 纳米颗粒镶嵌薄膜 .X射线衍射实验结果表明 ,经高温退火的薄膜中形成了面心立方闪锌矿结构的GaAs纳米晶粒 ,晶粒平均直径为 1.5— 3.2nm .吸收光谱展示了由于强量子限域引起的 1.5— 2eV的吸收边蓝移 .室温光致荧光 (PL)光谱显示了电子 重空穴激子与电子 劈裂空穴激子的近紫外和紫外双PL谱峰以及深俘获态的PL谱峰 .对实验吸收边蓝移量与有效质量模型的蓝移量的悬殊差别、俘获态PL谱的形成以及PL谱线的特征作了解释 .应用激光Z扫描技术测量了退火温度为 5 0 0℃的复合膜在非共振条件下的光学非线性 ,结果表明 ,复合膜的非线性折射率系数和非线性吸收系数都比块材GaAs相应的系数增大了 5个数量级 .
- 丁瑞钦王浩于英敏王宁娟佘卫龙李润华丘志仁罗莉蔡志岗W Y CheungS P Wong
- 关键词：射频磁控共溅射光谱光学性质砷化镓半导体纳米材料
- 波面倾斜脉冲泵浦的高效可见光飞秒光参量产生和放大器被引量：1
- 1997年
- 利用脉冲波面倾斜技术补偿三波相互作用的群速度失配，建立了掺钛蓝宝石飞秒再生放大器输出倍频光泵浦共线类匹配ＢＢＯ晶体的光参量产生和放大器，其信号和空闲光输出调谐范围为０．４７～２．７μｍ，脉冲宽度为１００～１７０ｆｓ，重复率为１ｋＨｚ。脉冲最大输出能量为６．５μＪ，总能量转换效率大于１５％。
- 丘志仁黄锦圣汪鸿余振新G.K.L.Wong
- 关键词：飞秒激光脉冲光参量放大器
- 量子波包干涉仪的实验技术研究被引量：1
- 2001年
- 利用双通道飞秒相关测量技术研究了稀土材料中的量子波包干涉现象。测得稀土粉末样品Y2 O3∶Eu3 + 中Eu3 + 离子常温下的退相时间大于 3ps ,并观测到Eu3 + 离子自由感应衰减 (FID)过程的量子波包干涉现象。分析和讨论了实验中的系统误差来源及其消除方法 ,并介绍了相应的实验技术改进措施。
- 陈磊罗莉戴德昌罗琦丘志仁周建英
- 关键词：稀土材料
- CdS/CdTe多晶薄膜的时间光谱特性
- 2012年
- 采用超短皮秒脉冲激光激发制备了SnO2∶F玻璃衬底和石英衬底的CdTe多晶薄膜,在室温下测量其稳态和瞬态荧光光谱。结果表明,随着激发功率的增大,其荧光光谱峰逐渐展宽,并发生蓝移。对于退火处理的样品,其荧光光谱伴随主峰旁出现一个肩峰,是Cl原子与富Cd区存在的空位形成复合体引起的发射。其瞬态荧光光谱寿命呈双指数衰减,即表面效应所引起的慢过程和带边激子态发射的快过程组成。样品退火处理后荧光寿命变长,有利于电子-空穴对在复合发光前分离,提高电子空穴的迁移率,改善其光伏性能。
- 丁罕李泽龙丘志仁江绍基
- 关键词：CDTE退火光致发光荧光寿命
- 双偶氮苯掺杂液晶在光场下的Freedericksz转变被引量：7
- 2000年
- 合成表征了双偶氮苯酚(DAP), 研究了掺杂有少量DAP的5CB液晶体系在光场下发生Freedericksz转变的情况, 发现掺入染料后激励光场强度显著降低, 对于12.5 (m厚沿面排列掺杂液晶发生Freedericksz转变的光强为0.3 mW/mm2, 比纯5CB液晶下降3个数量级. 这一新现象主要是由于光场作用下染料分子的顺反异构导致液晶分子重新取向, 并且产生较强的非线性效应, 对于研究光场下的非线性光学效应有重大意义.
- 王坚项颖林子扬黎昱陈用烈梁兆熙史隆培丘志仁
- 关键词：非线性光学液晶
