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于桐

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：北京科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇线阵列
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米线
  • 3篇纳米线阵列
  • 2篇电子器件
  • 2篇水热
  • 2篇水热法
  • 2篇热法
  • 2篇漏电
  • 2篇漏电流
  • 2篇ZNO纳米
  • 2篇ZNO纳米线
  • 2篇ZNO纳米线...
  • 1篇电器件
  • 1篇性能研究
  • 1篇压电
  • 1篇压电效应
  • 1篇氧化锌
  • 1篇力电性能

机构

  • 3篇北京科技大学

作者

  • 3篇于桐
  • 2篇黄运华
  • 2篇张会会
  • 2篇张跃
  • 2篇林沛
  • 2篇王文铎
  • 2篇张铮

年份

  • 1篇2017
  • 2篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
基于ZnO纳米线阵列的压电场效应晶体管的构建方法
本发明基于ZnO纳米线阵列的压电场效应晶体管的构建方法。具体工艺为：用水热法在绝缘硅片上制备长径比较大的纳米线阵列；用HF将两端的氧化锌及硅的氧化物洗去，分别连出导线作为FET的源极和漏极；ZnO纳米线阵列受力产生的压电...
张跃于桐黄运华张铮王文铎林沛张会会钦辉
文献传递
基于氧化锌纳米线阵列的力电器件构建及性能研究
于桐
关键词：氧化锌纳米线阵列压电效应力电性能
基于ZnO纳米线阵列的压电场效应晶体管的构建方法
本发明基于ZnO纳米线阵列的压电场效应晶体管的构建方法。具体工艺为：用水热法在绝缘硅片上制备长径比较大的纳米线阵列；用HF将两端的氧化锌及硅的氧化物洗去，分别连出导线作为FET的源极和漏极；ZnO纳米线阵列受力产生的压电...
张跃于桐黄运华张铮王文铎林沛张会会钦辉
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