任红霞
- 作品数：45 被引量：46H指数：4
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国防科技技术预先研究基金国家部委预研基金更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>
- 等离子体显示器亮度和光效改进方法
- 1997年
- 本文阐述了提高等离子体显示器（ＰＤＰ）发光亮度和效率的重要性，并就影响大屏幕等离子体显示器发光亮度和效率的因素进行了分析，对显示器亮度和光效的改进方法进行了分类，并对发光亮度和效率改进方面的现状、进展及存在的问题进行了概括和总结。
- 任红霞郑德修孙鉴
- 关键词：等离子体显示器发光亮度光效显示器
- 热处理工艺对ACPDP中MgO保护膜性能的影响被引量：2
- 1999年
- 保护膜的表面特性严重影响ＡＣＰＤＰ的性能。本文以电子束蒸发法制得的ＭｇＯ保护膜为例，有关热处理条件对保护膜表面基本特性，如结晶结构、表面形貌及成分等的影响进行了研究。
- 任红霞胡江峰郑德修郑德修
- 关键词：介质保护膜表面特性ACPDP
- 槽栅MOS器件的研究与进展被引量：2
- 2000年
- 随着ＶＬＳＩ器件尺寸越来越小，槽栅ＭＯＳ器件被作为在深亚微米及亚０．１μｍ范围极具应用前景的理想结构被提了出来。文中介绍了槽栅器件提出的背景，论述了槽栅 ＭＯＳ器件的结构与特点，并就其发展现状和趋势以及存在的问题进行了概括和总结。
- 任红霞郝跃
- 关键词：槽栅MOSFET深亚微米器件小尺寸效应
- 紧凑型节能荧光灯高频工作特性研究
- 任红霞
- 深亚微米槽栅PMOSFET短沟道效应的模拟研究
- 2002年
- 基于流体动力学能量输运模型 ,首先研究了槽栅器件对短沟道效应的抑制作用 ,接着研究了不同衬底和沟道杂质浓度的深亚微米槽栅PMOSFET对短沟道效应抑制的影响 ,同时与相应平面器件的特性进行了对比 .研究结果表明 ,槽栅器件在深亚微米和超深亚微米区域能够很好地抑制短沟道效应 ,且随着衬底和沟道掺杂浓度的升高 ,阈值电压升高 ,对短沟道效应的抑制作用增强 ,但槽栅器件阈值电压变化较平面器件小 .最后从内部物理机制上对研究结果进行了分析和解释 .
- 任红霞马晓华郝跃
- 关键词：深亚微米槽栅PMOSFET短沟道效应场效应晶体管
- 施主型界面态引起深亚微米槽栅PMOS特性的退化被引量：2
- 2004年
- 基于流体动力学能量输运模型 ,对沟道杂质浓度不同的槽栅和平面 PMOSFET中施主型界面态引起的器件特性的退化进行了研究 ,并与受主型界面态的影响进行了对比 .研究结果表明同样浓度的界面态在槽栅器件中引起的器件特性的漂移远大于平面器件 ,且 N型施主界面态密度对器件特性的影响远大于 P型界面态 ,N型施主界面态引起器件特性的退化趋势与 P型受主界面态相似 ,而 P型施主界面态则与 N型受主界面态相似 .沟道杂质浓度不同 。
- 任红霞张晓菊郝跃
- 关键词：槽栅PMOSFET
- 紧凑型荧光灯高频工作特性研究被引量：1
- 1995年
- 利用自行研制的荧光灯高频工作参数测试系统，测试了几种紧凑型荧光灯的高频工作光电参数，阐明了高频电子镇流器的频率、波形对灯的光通、光效、功率因数等光电参数的影响情况，并找出了灯的最佳工作频率，为生产高质量的灯管和电子镇流器提供了理论依据。
- 郑德修任红霞黄运添郑华
- 关键词：光电参数紧凑型荧光灯高频工作特性
- AC PDP介质保护膜研究及放电特性的数值分析
- 4.对充He的AC PDP单元的多脉冲放电特性进行了模拟研究,并对保护膜的二次电子发射系数、电介质层厚度和相对介电常数以及气体间隙距离与压力等参量对放电特性的影响进行了系统全面而详细地分析讨论.考虑了激发态动力学过程和U...
- 任红霞
- 关键词：交流等离子体介质保护膜放电模型计算机模拟
- 槽栅MOSFET's的阈值电压解析模型被引量：2
- 2004年
- 给出了槽栅 MOSFET的阈值电压解析模型 ,该模型反映了器件的阈值电压随不同结构和工艺参数变化的规律 .分析和对比结果显示 ,该模型较好地表征了小尺寸槽栅器件的阈值电压特性 。
- 张晓菊任红霞冯倩郝跃
- 关键词：槽栅MOSFET阈值电压解析模型
- 深亚微米槽栅NMOSFET结构参数对其抗热载流子特性的影响
- 2001年
- 基于流体动力学能量输运模型和幸运热载流子模型 ,用二维器件仿真软件Medici对深亚微米槽栅NMOSFET的结构参数 ,如沟道长度、槽栅凹槽拐角角度、漏源结深等 ,对器件抗热载流子特性的影响进行了模拟分析 ,并与常规平面器件的相应特性进行了比较 .结果表明即使在深亚微米范围 ,槽栅器件也能很好地抑制热载流子效应 ,且其抗热载流子特性受凹槽拐角和沟道长度的影响较显著 。
- 任红霞郝跃许冬岗
- 关键词：热载流子效应结构参数场效应晶体管
