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侯明东

作品数:221 被引量:167H指数:7
供职机构:中国科学院近代物理研究所更多>>
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作者

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年份

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  • 16篇2001
  • 37篇2000
  • 7篇1999
221 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
氦离子辐照非晶态合金的表面损伤研究被引量:3
2002年
用扫描电子显微镜研究了室温下氦离子辐照Fe77Ni5B18等 10种非晶态合金的表面形貌。氦离子的能量为 4 0keV和 6 0keV ,总注量为 1.0× 10 18— 4 .0× 10 18He/cm2 。对于不同的注量和不同的材料 ,观察到了层离、发泡、剥落、发泡破裂、二代发泡和多孔结构等多种表面损伤类型。测量了泡的直径和剥落泡皮的厚度 ,并讨论了表面损伤类型和初现的临界注量与材料种类和离子能量的关系。
侯明东刘杰张庆祥刘刚
关键词:非晶态合金表面形貌聚变堆
高压条件下高能重离子辐照材料研究进展
2009年
高能重离子辐照处于高压条件下材料的研究,是随着高能重离子加速器技术的快速发展而出现的一个新的研究领域,研究结果涉及材料学、地质学、地质年代学、核废料处理学等学科。简要介绍最近几年国内外在高能重离子辐照高压条件下材料研究领域的研究现状及已取得的结果,并对未来在兰州重离子加速器冷却储存环(HIRFL-CSR)上开展相关研究工作的前景作了展望。
翟鹏飞刘杰孙友梅侯明东段敬来
关键词:高能重离子相变
利用HIRFL开展质子单粒子实验的可能性
<正> 近年来,质子引起的单粒子效应越来越受到重视,太阳耀斑和南大西洋磁异常区代表了航天器在空间遇到的最为恶劣的辐射环境,而这两者均起因于高能质子.无论对于地球同步轨道卫星,低太阳同步轨道卫星,还是椭圆轨道卫星,高能质子...
侯明东张庆祥甄红楼刘杰
文献传递
高能Ar离子辐照单晶Si引起的损伤效应研究
刘昌龙侯明东
关键词:低能重离子
Ar离子辐照的非晶态合金表面发泡扫描电镜观测
1995年
150、195和300keVAr离子在室温下辐照非晶态合金Co70.2Fe3.9Nb3.9Si14B8和Co66Fe4.5V2.25Ni2.25Si10B15,扫描电镜在一定的辐照剂量范围观测到了表面发泡形成,发泡形成的临界剂量和直径随离子能量增加而增加。Ar离子能量高于195keV时,发泡和发泡破裂是主要的表面损伤现象,而在150keVAr离子辐照下,未观测到发泡破裂。使用Ar离子的聚集、临界气压的建立和气体从近表面的释放解释了表面发泡效应。
刘昌龙侯明东全明秀孙文声
关键词:离子辐照非晶态合金发泡氩离子
宇航微电子器件的单粒子效应研究及意义
银河宇宙射线、太阳宇宙射线、地球俘获带所构成的空间辐射环境对航天器微电子器件能造成各种辐射损伤效应,严重地威胁着航天器的安全.宇宙射线中的高能重离子在半导体器件中所产生高密度的等离子体,在P-N结局部电场的作用下,可以形...
侯明东刘杰孙友梅尹经敏
关键词:微电子器件单粒子效应
文献传递
快重离子辐照对MoS_2热导率的影响研究
2017年
利用0.97 GeV的209Bi离子辐照二硫化钼(MoS_2)晶体,辐照注量范围为1×1010~1×1012ions/cm^2,结合原子力显微镜(AFM)观测和Raman光谱分析研究了快重离子辐照对MoS_2热导率的影响。实验结果显示,快重离子辐照在MoS_2中产生了潜径迹,较高激光功率下的Raman测试使样品局部温度升高,导致E12g和A1g峰随注量增加向低波数方向移动,且峰形展宽。引入了通过改变激光功率测量Raman光谱得到MoS_2热导率的计算方法,获得了不同辐照注量下MoS_2的热导率的定量分析结果,随注量增加,热导率不断降低,从未辐照样品的563 W/m K下降到1×1012ions/cm^2辐照时的132 W/mK。
郭航孙友梅刘杰翟鹏飞曾健张胜霞胡培培段敬来姚会军莫丹侯明东
关键词:二硫化钼辐照热导率
高能氩离子辐照SiO_2玻璃的正电子寿命谱学研究被引量:1
2001年
用 1.15GeV的氩离子在室温下对二氧化硅玻璃样品进行了辐照 ,并通过正电子寿命测量技术研究了辐照后材料微观结构的变化。结果表明 ,在未辐照二氧化硅玻璃中有近 81%的正电子是以正电子素的形式湮灭的 ;根据o -Ps的撞击湮灭寿命确定出未辐照样品的自由体积分布在0 .0 2— 0 .13nm3的区域里 ,平均自由体积半径约为 2 .5nm。辐照后材料的自由体积分布函数变窄 ,峰位下移 ,显示样品经辐照后有密度增大的现象。随着剂量的增大 ,第二正电子寿命成分的强度逐渐增加 ,而相应于o -Ps的寿命成分的强度逐渐减小 ,这被认为是由于辐照产生的电离电子在自由体积中漫游 ,使正电子与这些漫游电子发生湮灭的几率增大 ,从而减小了正电子素的形成几率。
朱智勇孙友梅金运范李长林侯明东刘昌龙张崇宏孟庆华王志光陈克勤鲁光军
关键词:二氧化硅玻璃正电子寿命微观结构正电子寿命谱
高能氩离子辐照聚酰亚胺时的能量沉积效应对光学吸收及电性能的影响被引量:1
1995年
用22.5MeV/u的高能氩离子辐照叠层聚酰亚胺(Kapton/PI)薄膜,对辐照样品的导电性测量及紫外可见光吸收分析表明,随单位体积中能量沉积的增加,薄膜的导电性增强,光吸收度增大,且光吸收边缘由近UV区向可见区移动.结果显示,单位体积中的电子能损效应在聚合物膜的体改性中起关键作用。
孙友梅李长林马峰刘刚徐荣辉权晶明侯明东刘杰金运范
关键词:电性能光学吸收聚酰亚胺
15.14 MeV/u ^(136)Xe离子引起的单粒子效应(英文)被引量:1
2002年
研究了 1 5.1 4MeV/u136  Xe离子在不同批次的 3 2k× 8bits静态存储器中所引起的单粒子效应 .获得了单粒子翻转和单粒子闭锁截面与入射角度的依赖关系 .将单粒子效应截面与灵敏区中沉积的能量相联系 ,而不是线性能量转移(LET)值 .估计了灵敏体积的深度和死层的厚度 .
侯明东张庆祥刘杰王志光金运范朱智勇甄红楼刘昌龙陈晓曦卫新国张琳樊友诚祝周荣张弋艇
关键词:单粒子效应单粒子翻转静态存储器截面
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