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党涛

作品数:4 被引量:0H指数:0
供职机构:西安交通大学电子与信息工程学院更多>>
发文基金:西安应用材料创新基金国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇纳米
  • 3篇石墨
  • 3篇皱纹
  • 3篇纳米片
  • 3篇纳米石墨
  • 3篇纳米石墨片
  • 3篇
  • 2篇淀积
  • 2篇气相淀积
  • 2篇化学气相淀积
  • 1篇电子显微镜
  • 1篇正交
  • 1篇正交实验
  • 1篇射频
  • 1篇透射电子显微...
  • 1篇显微镜
  • 1篇PECVD法

机构

  • 4篇西安交通大学

作者

  • 4篇党涛
  • 4篇刘卫华
  • 4篇朱长纯

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇第七届中国纳...
  • 1篇第十五届全国...
  • 1篇第十五届全国...

年份

  • 4篇2008
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
多皱纹纳米石墨片的制备及其工艺研究
2008年
在500℃下,采用PECVD法在以玻璃为衬底的多种金属镀层上成功制备出纳米石墨片。SEM分析表明,不同催化剂层上生长的二维纳米石墨片在形态上存在显著区别。在所涉及的工艺参数范围内,Ni/Zn复合金属镀层上二维纳米石墨片的生长效率最高,且在部分区域具有碳纳米墙形貌特征。TEM分析表明,所生长的二维纳米石墨片具有大量皱纹,且皱纹具有指纹形的石墨层状结构。纳米尺度的皱纹随机分布于整个二维纳米石墨片中,与超薄石墨烯自然形成的皱褶存在显著区别。根据指纹形皱纹的最大层数估计,石墨片的厚度在10nm左右,这种多皱纹纳米石墨片反映了催化剂对二维石墨生长的影响。这种材料除了可作为场发射冷阴极外,在催化剂载体以及气敏传感器等领域都可能有重要应用。
刘卫华党涛朱长纯
碳纳米墙制备工艺研究
本论文用射频等离子体增强化学气相淀积法,成功制备出碳纳米墙。以甲烷为碳源,氢气为辅助气体,通过生长气源组份、等离子体功率、反应气压以及生长时间等多个工艺参数的大量正交实验,总结出生长碳纳米墙的工艺条件。对制备出的样品进行...
党涛刘卫华朱长纯
关键词:化学气相淀积正交实验透射电子显微镜
文献传递
一种多皱纹纳米石墨片的制备及其工艺研究
在500℃下,采用PECVD法在以玻璃为衬底的多种金属镀层上成功制备出纳米石墨片。SEM分析表明,不同催化剂层上生长的二维纳米石墨片在形态上存在显著区别。在本文所涉及的工艺参数范围内,Ni/Zn复合金属镀层上二维纳米石墨...
刘卫华党涛朱长纯
关键词:化学气相淀积PECVD法纳米石墨片
文献传递
多皱纹纳米石墨片的制备及其工艺研究
在500℃下,采用PECVD法在以玻璃为衬底的多种金属镀层上成功制备出纳米石墨片。SEM分析表明,不同催化剂层上生长的二维纳米石墨片在形态上存在显著区别。在所涉及的工艺参数范围内,Ni/Zn复合金属镀层上二维纳米石墨片的...
刘卫华党涛朱长纯
文献传递
共1页<1>
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