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刘云飞

作品数：53 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：中国科学院“百人计划”国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 49篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 10篇电子电信

主题

  • 37篇鳍片
  • 25篇沟道
  • 24篇叠层
  • 20篇短沟道
  • 20篇短沟道效应
  • 20篇沟道效应
  • 18篇源区
  • 18篇FIN
  • 17篇衬底
  • 16篇栅极
  • 15篇FINFET
  • 11篇隔离区
  • 11篇穿通
  • 8篇侧墙
  • 7篇栅极结构
  • 7篇空位
  • 6篇半导体
  • 5篇导体
  • 5篇载流子
  • 4篇淀积

机构

  • 53篇中国科学院微...

作者

  • 53篇刘云飞
  • 52篇尹海洲
  • 30篇李睿
  • 6篇张珂珂
  • 3篇许静
  • 2篇蒋葳
  • 1篇刘洪刚
  • 1篇王文武
  • 1篇朱慧珑
  • 1篇张亚楼

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇微电子学
  • 1篇科技创新导报
  • 1篇2013‘全...

年份

  • 4篇2019
  • 12篇2018
  • 1篇2017
  • 19篇2016
  • 10篇2015
  • 4篇2014
  • 3篇2013
共 53 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种FinFET结构及其制造方法
本发明提供了一种FinFET结构及其制造方法，包括：衬底；第一鳍片和第二鳍片，所述第一、第二鳍片位于所述衬底上方，彼此平行；栅极叠层，所述栅极叠层覆盖所述衬底和部分第一、第二鳍片的侧壁；源区，所述源区位于所述第一鳍片未被...
刘云飞尹海洲李睿
文献传递
一种FinFET器件及其制造方法
本发明提供了一种FinFET器件及其制造方法，包括：a.提供衬底，其上有鳍片；b.在所述鳍片两侧的衬底上形成浅沟槽隔离；c.在所述鳍片两侧形成保护掩膜；d.对所述浅沟槽隔离进行减薄，漏出部分鳍片；e.在未被浅沟槽隔离和保...
刘云飞尹海洲李睿
文献传递
一种MOS晶体管结构及其制造方法
本发明提供了一种MOS晶体管的制造方法，包括：a.提供半导体衬底，伪栅叠层，侧墙，以及源漏区；b.形成第一层间介质层，其的高度小于伪栅叠层的高度；c.去除所述第一层间介质层位于远离伪栅叠层的两端的部分，形成第一空位；d....
李睿尹海洲刘云飞
文献传递
Ni/Ti/Si形成硅化物的特性分析
2014年
随着MOSFET的特征尺寸进入20nm技术节点,源漏接触电阻成为源漏寄生电阻的主导部分,后栅工艺对硅化物的高温特性提出了更高的要求。分析了Ni/Ti/Si结构在不同温度退火下形成的硅化物的薄膜特性和方块电阻。分别采用J-V和C-V方法,提取硅化物与n-Si(100)接触的势垒高度。Ni/Ti/Si结构形成的镍硅化物在高温下具有良好的薄膜特性,并且可以得到低势垒的肖特基接触。随着退火温度的升高,势垒高度逐渐降低。研究了界面态的影响,在低于650℃的温度下退火,界面态密度随退火温度升高而逐渐增大,高于750℃后,界面电荷极性翻转。
蒋葳刘云飞尹海洲
关键词：镍硅化物肖特基接触势垒高度界面态
一种FinFET结构及其制造方法
本发明提供了一种FinFET及其制造方法，该方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍片，该鳍片的宽度大于预期沟道宽度；进行浅沟槽隔离；在沟道上方形成伪栅叠层，形成源漏区；淀积层间介质层，进行平坦化，露出伪栅叠层；移除伪栅叠...
尹海洲刘云飞
文献传递
一种非对称FinFET结构及其制造方法
本发明提供了一种非对称FinFET结构，包括：衬底(100)，所述衬底上具有鳍片(200)；位于所述鳍片(200)中部上方的栅极介质层(510)；位于所述栅极介质层上方的栅极叠层(240)；位于所述栅极叠层(240)两侧...
刘云飞尹海洲李睿
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一种FinFET结构及其制造方法
本发明提供了一种FinFET结构及其制造方法，包括：衬底(100)；第一鳍片，所述第一鳍片包括第一沟道区(210)和位于第一沟道区上方的源区(211)，其中所述源区比所述第一沟道区更宽；第二鳍片，所述第二鳍片与第一鳍片平...
刘云飞尹海洲李睿
一种MOSFET结构及其制造方法
本发明提供了一种MOSFET制造方法，包括：a.提供衬底、源漏区、伪栅叠层、层间介质层和侧墙；b.去除伪栅叠层形成伪栅空位，并在伪栅空位中的衬底上形成氧化层；c.在所述半导体结构漏端一侧覆盖光刻胶，露出伪栅空位中靠近源端...
李睿尹海洲刘云飞
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一种FinFET结构及其制造方法
本发明提供了一种FinFET结构及其制造方法，包括：衬底；第一鳍片和第二鳍片，所述第一、第二鳍片位于所述衬底上方，彼此平行；栅极叠层，覆盖所述衬底和部分第一、第二鳍片的侧壁；源区，位于所述第一鳍片未被栅极叠层所覆盖的区域...
尹海洲刘云飞李睿
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半导体器件制造方法
本申请公开了一种制造半导体器件的方法。一示例方法可以包括：在衬底上形成栅堆叠，栅堆叠包括栅介质层和栅导体层；选择性刻蚀栅介质层的端部，从而形成空隙；以及在空隙中填充栅介质层的材料。
刘云飞尹海洲
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