您的位置： 专家智库 > >

刘洪军

作品数：4 被引量：12H指数：3
供职机构：四川大学物理科学与技术学院微电子技术四川省重点实验室更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇理学

主题

  • 4篇6H-SIC
  • 3篇SIO
  • 2篇退火
  • 2篇SIO2
  • 1篇氧化层
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇红外反射
  • 1篇高频
  • 1篇C-V

机构

  • 4篇四川大学

作者

  • 4篇刘洪军
  • 3篇龚敏
  • 2篇邬瑞彬
  • 1篇丁元力
  • 1篇廖伟
  • 1篇王欧
  • 1篇廖勇明
  • 1篇袁菁
  • 1篇刘畅
  • 1篇王鸥
  • 1篇洪根深
  • 1篇钟志亲

传媒

  • 2篇四川大学学报...
  • 1篇光散射学报

年份

  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 1篇2002
共 4 条 记 录，以下是 1-4
全选 清除 导出
排序方式：
通过改变费米能级钉扎效应制备6H-SiC欧姆接触的特性研究被引量：6
2002年
作者通过氧化、刻蚀和沸水处理的方法 ,在n型 6H SiC的C面上制备了线性较好的欧姆接触 .作者对C面和Si面的欧姆接触的退火特性进行了比较和研究 ;并对形成欧姆接触的物理机理进行了讨论 ,研究了这种欧姆接触在大密度电流下的特性 .
洪根深廖勇明廖伟丁元力邬瑞彬刘洪军龚敏
关键词：6H-SIC欧姆接触
利用红外反射光谱法研究6H-SiC表面的SiO_2特性被引量：6
2003年
通过干氧氧化的方法,在6H SiC表面生长一层SiO2层,接着置于N2气氛中经过不同的温度退火,使用红外显微仪分别测量退火前后的红外反射谱,通过观测表面氧化层SiO2的红外反射谱图中特征反射峰位(1090cm-1附近)的变化,以判断退火前后表面氧化层密度的变化情况,进一步推断氧化层的结构变化与杂质类型.
刘洪军王鸥邬瑞彬龚敏
关键词：6H-SICSIO2红外反射退火
红外反射法研究6H-SiC表面热氧化生长的SiO_2特性被引量：3
2004年
本文利用红外反射峰位置与薄膜厚度及密度的关系研究了在SiC衬底上热氧化生长出的SiO2在退火前及在不同温度用高N2退火一小时后的1085cm-1附近红外反射峰的漂移情况,分析了SiO2的密度变化。密度的变化反映了退火中SiO2中的C和CO的扩散以及空位型缺陷的退火过程。
钟志亲刘洪军袁菁王欧刘畅龚敏
关键词：退火
SiO/_2//6H-SiC界面特性及其氧化层缺陷研究
宽禁带半导体碳化硅/(SiC/)材料由于其本身具有各种优异特性，使得在应用于高温、高频、高功率器件方面具有特殊的地位。SiC是唯一可以氧化生长成SiO/_2的化合物半导体材料，这使得它可以运用Si平面工艺条件进行SiC器...
刘洪军
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0