刘胜芳
- 作品数：4 被引量：5H指数：1
- 供职机构：大连理工大学材料科学与工程学院三束材料改性教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金辽宁省教育厅高校重点实验室项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- TMGa流量对玻璃衬底上低温沉积GaN的影响被引量：5
- 2010年
- 采用电子回旋共振-等离子体辅助增强金属有机物化学气相沉积两步生长法在玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜。利用原位反射高能电子衍射、X射线衍射、室温透射光谱和原子力显微镜,研究了不同TMGa流量条件下沉积的GaN薄膜的结晶性、光学性质和表面形貌。结果表明,TMGa流量对GaN薄膜质量影响很大,TMGa流量约为1.4cm3/min(标准状态)条件下沉积的GaN薄膜结晶性较好,呈高度c-轴择优取向,420～1110nm波长光区内透过率超过90%,薄膜表面由大小均匀的亚微米量级表面岛按一致取向堆砌而成。
- 陈伟绩秦福文吴爱民刘胜芳杨智慧姜辛李帅董武军
- 关键词：GAN化学气相沉积玻璃衬底
- 在镀铝玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜的结晶特性研究
- 氮化镓(GaN)作为一种宽直接带隙(室温禁带宽度为3.39eV)半导体材料,具有电子饱和漂移速度高、热导系数高、介电常数小、化学性质稳定和热稳定性好等特性。GaN基器件已经广泛应用于半导体发光二极管(LED)、半导体激光...
- 刘胜芳
- 关键词：氮化镓玻璃衬底
- 文献传递
- 在镀铝玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜的结晶特性
- 2010年
- 采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在镀铝玻璃衬底上沉积了GaN薄膜。RHEED和XRD分析显示,适当增加TMGa流量,薄膜呈现高度c轴择优取向特征;SEM表明,随着TMGa流量增加,薄膜表面逐渐平整致密;对Raman光谱中A1(TO)、E1(TO)两个禁戒模式及281.1cm-1附近宽峰出现的原因进行了探讨,并对E2(high)、A1(LO)模的低频移动进行了分析,分析认为E2(high)模低频移动是薄膜内应力和晶粒尺寸效应共同作用的结果,同时晶粒尺寸效应还导致了A1(LO)模的低频移动。
- 刘胜芳秦福文吴爱民姜辛徐茵顾彪
- 关键词：GAN玻璃衬底ECR-PEMOCVD
- ZnO∶Al衬底上低温生长GaN薄膜
- 2010年
- 利用射频磁控溅射在普通玻璃上制备了(0002)择优取向的ZnO∶Al薄膜。采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在ZnO∶Al薄膜衬底上沉积了厚度为320 nm的GaN薄膜。利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和光透射谱等表征方法,研究了沉积温度对GaN薄膜的结晶性、表面形貌和透射率的影响。
- 杨智慧秦福文吴爱民宋世巍刘胜芳陈伟绩
- 关键词：GAN薄膜
