唐田
- 作品数：4 被引量：13H指数：4
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程更多>>
- 锑化物激光器、探测器MBE生长与物理研究
- 本论文针对2μm波段InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱激光器和InGaAsSbPIN探测器的特性和存在的问题，对激光器和探测器的材料物理、MBE生长和工艺优化进行了系统的研究，取得了如下结果：
计算了2...
- 唐田
- 关键词：分子束外延锑化物微电子学固体电子学
- 文献传递
- InGaAsSb多量子阱材料的光致发光特性研究被引量：4
- 2005年
- 研究了InGaAsSb多量子阱材料光致发光特性。通过实验数据分析和理论计算,发现对于分子束外延(MBE)法生长的InGaAsSb多量子阱材料,生长时的衬底温度决定着材料的质量,合适的衬底温度可以明显的增加其发射的光致发光强度;组分相同时,在一定范围内,随着阱厚的增加,其发射的光致发光波长也随着增加,但是随着阱厚增大,波长增加趋于平缓。
- 唐田张永刚郑燕兰李爱珍
- 关键词：INGAASSB分子束外延多量子阱光致发光
- InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的子带跃迁设计被引量：5
- 2004年
- 采用有效质量框架下一维有限单势阱的Kronig Pency模型对InxGa1-xAsySb1-y/Al0.25Ga0.75As0.02Sb0.98量子阱激光器结构的子带跃迁波长及其和阱宽间的关系进行了设计,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度。结果表明InGaAsSb/AlGaAsSb是制作23μm中红外波段量子阱激光器的良好材料体系,然而在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分及阱宽并对应变总量进行控制是十分重要的。
- 唐田张永刚郑燕兰李爱珍
- 关键词：激光器锑化物
- MBE生长AlGa AsSb/InGa AsSb材料的应变控制被引量：5
- 2004年
- 基于理论计算和实验 ,对采用MBE方法生长的不同组份的AlGaAsSb/InGaAsSb材料的应变进行了研究。结果表明 ,通过对材料中的As组份调节 ,可以对材料中的应变进行控制 ,达到良好的应变补偿效果 ,实验结果和理论计算相当吻合。
- 唐田张永刚郑燕兰唐雄心李爱珍
- 关键词：INGAASSB
