姚光锐
- 作品数：20 被引量：3H指数：1
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术建筑科学更多>>
- 用金刚石粉-铜粉复合材料散热的发光二极管照明装置
- 本发明公开了用金刚石粉-铜粉复合材料散热的发光二极管照明装置，包括金刚石粉-铜粉复合材料制成的散热基板（1）、LED（5）和侧向散热板（9），LED（5）通过导热胶（4）直接粘合在散热基板（1）的上表面上。另外LED照明...
- 姚光锐范广涵张涛郑树文周德涛赵芳贺龙飞
- 文献传递
- GaN基LED溢出电流的模拟
- 2009年
- 通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考虑了LED散热和载流子屏蔽效应对溢出电流的影响,并为减小溢出电流提供了思路.
- 李军范广涵刘颂豪姚光锐杨昊胡胜蓝
- 关键词：多量子阱极化效应
- 用金刚石粉-铜粉复合材料散热的发光二极管照明装置
- 本发明公开了用金刚石粉-铜粉复合材料散热的发光二极管照明装置，包括金刚石粉-铜粉复合材料制成的散热基板（1）、LED（5）和侧向散热板（9），LED（5）通过导热胶（4）直接粘合在散热基板（1）的上表面上。另外LED照明...
- 姚光锐范广涵张涛郑树文周德涛赵芳贺龙飞
- 第一性原理研究Te-N共掺p型ZnO被引量：1
- 2012年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法对Te-N共掺杂ZnO体系的晶格结构、杂质态密度和电子结构进行了理论分析.研究表明,N掺杂引起晶格收缩,而Te的掺入引起晶格膨胀,从而减小晶格应力促进N的掺杂,并且Te由于电负性小于O而带正电,Te在ZnO中作为等电子施主而存在.研究发现,N掺杂体系中在费米能级附件形成窄的深受主能级,而Te-N共掺体系中,N杂质带变宽,空穴更加离域,同时,空穴有效质量变小,受主能级变浅,更有利于实现p型特性.因此,Te-N共掺有望成为一种更为有效的p型掺杂手段.
- 姚光锐范广涵郑树文马佳洪陈峻章勇李述体宿世臣张涛
- 关键词：P型掺杂第一性原理
- 纤锌矿Beo掺Cd的电子结构与能带特性研究
- 2012年
- 采用基于密度泛函理论平面波赝势方法,对纤锌矿BeO掺Cd的Be_(1-x)Cd_xO合金进行电子结构与能带特性研究.结果表明:Be_(1-x)Cd_xO的价带顶始终由O 2p电子态决定,而导带底由Be 2s和Cd 5s的电子态决定.随着Be_(1-x)Cd_xO合金的Cd掺杂量增加,Cd 4d与O 2p的排斥效应逐渐加强,同时Be_(1-x)Cd_xO的带隙逐渐变小,出现"直接—间接—直接"的带隙转变.为了使理论值与实验值相一致,对Be_(1-x)Cd_xO带隙进行修正,并分析了纤锌矿BeO-ZnO-CdO三元合金的带隙和弯曲系数与晶格常数的关系.
- 郑树文范广涵何苗姚光锐陈峻贺龙飞
- 关键词：密度泛函理论电子结构
- 用类金刚石膜-铜复合材料散热的发光二极管照明装置
- 本发明公开了用类金刚石膜-铜复合材料散热的发光二极管照明装置，其包括LED（5）、反射杯(6)和类金刚石膜-铜复合材料做成的散热基板（1），所述散热基板（1）的下表面直接和空气接触，LED（5）通过固晶胶（4）或金属共晶...
- 姚光锐范广涵郑树文张涛龚长春许毅钦贺龙飞
- 一种荧光透明陶瓷透镜封装的白光LED
- 本发明公开了一种荧光透明陶瓷透镜封装的白光LED，包括一个或多个LED芯片、电极接线和反光杯或散光杯，其还包括具有荧光转换和高折射率的荧光透明陶瓷透镜和位于LED芯片底部散热的散热基板，荧光透明陶瓷透镜盖于LED芯片的上...
- 贺龙飞范广涵郑树文姚光锐许毅钦周德涛
- 文献传递
- 界面介质层对GaN基LED漏电流的影响被引量：1
- 2008年
- 在LED电极欧姆接触中,载流子在金属电极和半导体间有不同的传输机制。通过载流子在金属半导体界面传输机制的模拟,讨论了界面介质层及其势垒对器件串联电阻和漏电流的影响,发现介质层电阻比LED的串联电阻小得多,可以忽略不计;但是随着器件的老化,介质层及其所含的缺陷会产生相当大的漏电流,使器件的可靠性和稳定性下降,也为LED的失效机理提供了理论依据。
- 李军范广涵杨昊姚光锐
- 关键词：光电子学发光二极管介质层欧姆接触漏电流
- 散热基板为金刚石粉-铜粉复合材料的大功率发光二极管
- 本发明公开了散热基板为金刚石粉-铜粉复合材料的大功率发光二极管，包括LED芯片、透镜和金刚石粉-铜粉复合材料制成的散热基板；所述散热基板的下表面直接和空气接触，上表面设有凹坑，LED芯片通过固晶胶或金属共晶焊直接安置在散...
- 姚光锐范广涵郑树文张涛周德涛赵芳宋晶晶
- 文献传递
- 大功率LED散热基座封装结构
- 一种大功率LED散热基座封装结构，包括基座、大功率LED芯片和封装组件，所述基座上设置有穿孔，所述穿孔中设置有高导热率绝缘散热材料块，所述大功率LED芯片贴合在高导热率绝缘散热材料块上。本发明由于采用将设置在基座的穿孔中...
- 刘小平范广涵郑树文张涛姚光锐张瀚翔
- 文献传递
