姚明珍
- 作品数：9 被引量：48H指数：4
- 供职机构：同济大学理学院物理系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- PbWO_4电子结构的密度泛函计算被引量：18
- 2000年
- 采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法模拟计算了PbWO4 晶体的本征能级结构 .发现价带主要由O2p轨道组成 ,含有部分W 5d轨道 ;导带主要由W 5d和O2 p的轨道组成 .发现导带底由Pb6 p1/ 2 的狭窄能级占有 .禁带宽度和价带宽度分别约为 4.8和 4eV .计算结果很好地解释了实验得到的反射谱 ,并从理论上分析了PbWO4
- 童宏勇顾牡汤学峰梁玲姚明珍
- 关键词：密度泛函电子结构PBWO4晶体
- 掺铌钨酸铅晶体缺陷的理论研究被引量：3
- 2003年
- 采用基于相对论性密度泛函理论的离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4∶Nb晶体中Nb缺陷态的态密度分布和能量 ,并运用过渡态方法计算了其激发能。通过计算掺Nb缺陷态电子态密度分布 ,发现与VO 相关的F+ 心是晶体掺Nb的主要补偿机制。 (NbO3 +F+ ) 2 -缺陷在掺铌钨酸铅晶体各相关缺陷形式中存在所需能量最低。计算结果表明VO 有关的F+ 的存在是有效消除晶体中 35 0nm吸收的主要原因。而F+ →W5d轨道的跃迁能量为 2 .8eV ,对应晶体中 4 2 0nm吸收。
- 刘峰松顾牡姚明珍梁玲
- 关键词：密度泛函态密度
- 掺镧PbWO_4闪烁晶体的缺陷研究被引量：8
- 2000年
- 利用正电子湮没寿命谱 (PAT)和X射线电子能谱 (XPS)研究了掺镧所引起的PbWO4 晶体缺陷的变化 .结果表明 :掺镧后 ,PbWO4 晶体中的正电子捕获中心铅空位 (VPb)浓度增加 ,并进一步诱导低价氧浓度的增加 .讨论了掺La的作用机制 ,认为掺La将抑制晶体中的氧空位 ,增加铅空位浓度 .
- 汤学峰顾牡童宏勇梁玲姚明珍陈玲燕廖晶莹沈炳浮曲向东殷之文徐炜新王景成
- 关键词：PATXPS
- 掺钇钨酸铅晶体缺陷的理论计算被引量：1
- 2003年
- 采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法,计算了掺钇PbWO_4晶体中多种相关缺陷的电荷分布和不同团簇缺陷结合能,并讨论了相关缺陷的电荷补偿机制。V_(Pb)是掺Y钨酸铅晶体中主要的电荷补偿方式。Y_(Pb^(3+)+V_(Pb)相关缺陷可能是晶体中存在的主要缺陷,其中[2(Y_(Pb)^(3+))-V_(Pb)'']在晶体中更稳定。缺陷态[2(Y_(Pb)^(3+))-V_(Pb)'']和[(Y_(Pb)^(3+))-V_(Pb)'']的态密度分布及其激发能的计算结果表明:掺Y晶体利O_(2p)→W_(5d)的跃迁能量均为4.3eV,使周围WO_4^(2-)禁带宽度增大,可改善420nm与350nm的吸收,并通过减少V_(Pb)-V_O联合空位可有效抑制PbWO_4晶体的本征吸收。晶体中掺Y与掺La对发光影响不同,掺Y可敏化PWO晶体的蓝发光。
- 刘峰松顾牡姚明珍梁玲陈铭南
- 关键词：密度泛函理论PBWO4电荷补偿态密度
- 钨酸铅晶体中与氧空位相关的色心研究被引量：9
- 2003年
- 采用基于相对论性密度泛函理论的离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4 晶体中与氧空位VO 及其相关色心的态密度分布 ,并运用过渡态方法计算了其激发能 .结果表明 :VO 的存在可以使WO42 - 基团的禁带宽度明显变小 ;PbWO4 晶体中VO 可以产生F+ ,并且F+ 的存在可以使晶体引起 4 2 0nm的吸收 ,另外PbWO4 晶体中VO 可能不会产生F心 .
- 姚明珍顾牡
- 关键词：钨酸铅晶体色心PBWO4晶体密度泛函氧空位态密度分布
- PbWO_4晶体吸收中心的研究被引量：1
- 2002年
- 采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4 晶体中与吸收中心相关的本征缺陷态密度分布 ,并运用过渡态方法计算了激发能。结果表明 :PbWO4 晶体中WO3 +Vo 缺陷的O2pW5d跃迁可以引起 35 0nm和 42 0nm附近的吸收 ,并且发现VPb的存在可以使WO2 -4
- 姚明珍顾牡梁玲段勇马晓辉
- 关键词：密度泛函态密度分布钨酸铅晶体
- 掺镧钨酸铅晶体缺陷的理论研究被引量：3
- 2002年
- 采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了掺镧PbWO4 晶体中相对缺陷的电子态密度分布 ,并讨论了相关缺陷的电荷补偿机制。发现VPb是掺镧钨酸铅晶体中主要的电荷补偿方式。缺陷态LaPb+VPb的态密度分布以及其激发能的计算结果表明 :掺镧晶体不会引起 42 0nm和 35 0nm的吸收 ,改善了PbWO4 晶体中的两个本征吸收带。掺杂后晶体中O2p→W5d的跃迁能量为 3.98eV。
- 姚明珍顾牡
- 关键词：晶体缺陷密度泛函态密度分布
- PbWO_4晶体空位型缺陷电子结构的研究被引量：17
- 2002年
- 采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法计算了PbWO4 晶体中与氧空位和铅空位相关缺陷的态密度分布 ,并运用过渡态方法计算了其激发能 .结果表明 :PbWO4 晶体中WO3+VO 缺陷的O2p→W5d跃迁可引起 3 5 0nm和 4 2 0nm附近的吸收 ,并且发现VPb的存在可以使WO42
- 姚明珍顾牡梁玲段勇马晓辉
- 关键词：PBWO4晶体密度泛函态密度分布晶体缺陷电子结构钨酸铅晶体
- 掺钇钨酸铅晶体缺陷的理论研究被引量：3
- 2003年
- 采用基于密度泛函理论的相对论性离散变分和嵌入团簇方法 ,计算了掺钇PbWO4 晶体中多种相关缺陷的电荷分布和不同团簇缺陷结合能 ,由能量最低原理发现 [2 (Y3+Pb) V″Pb]缺陷在各相关缺陷形式中最为稳定 .并运用过渡态方法计算了轨道跃迁的激发能 ,算出掺Y后晶体中O2p→Y4d的跃迁能量为 3 9eV ,表明掺Y不会引起晶体中35 0nm和 4 2 0nm吸收 .从掺Y对PbWO4 晶体电子结构的影响来看 。
- 刘峰松顾牡姚明珍梁玲陈铭南
- 关键词：晶体缺陷激发能密度泛函态密度分布闪烁体探测器
