娄建忠
- 作品数：44 被引量：38H指数：4
- 供职机构：河北大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金河北省高等学校科学技术研究指导项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 一种纳米级三态阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种纳米级三态阻变存储器，其是在Pt/Ti/SiO<Sub>2</Sub>/Si衬底的Pt膜层上依次沉积有nc-Si:H膜和Ag电极膜。本发明同时公开了其制备方法，具体是采用PECVD方法在Pt/Ti/SiO...
- 闫小兵陈英方郝华娄建忠
- 文献传递
- 周期性空间驱动下的复杂斑图
- 2011年
- 采用耦合的反应扩散系统,研究了周期性空间驱动下的图灵模之间的作用以及时空斑图的形成机理.研究发现,通过空间周期性外界驱动,可以引入一个新的图灵模,该模式和系统本征模之间相互作用,可以形成空间上更为复杂的斑图,例如超黑眼斑图和超白眼斑图.此外,结果表明外界驱动的驱动强度也可以改变新斑图的类型.
- 王晓菲娄建忠哈艳
- 关键词：斑图
- 氧气气氛下退火温度对BST薄膜结构及物理性能的影响
- 2011年
- 利用溶胶凝胶法在Pt/TiO2/SiO2/Si(001)衬底上制备了(～70nm)的Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)薄膜,采用磁控溅射法构建了Pt/BST/Pt/TiO2/SiO2/Si(001)电容器,研究了在氧气气氛中不同退火温度对BST薄膜结构及物理性能的影响.结果发现,650℃退火样品具有良好的结晶质量和介电性能.650℃退火样品在电场强度为200kV/cm时漏电流密度为3.06×10-6 A/cm2.
- 娄建忠李俊颖代鹏超孙杰刘保亭
- 关键词：BST薄膜溶胶凝胶
- 一种透明阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种透明阻变存储器，是在透明衬底上依次集成有下电极层、阻变层和上电极层，所述下电极层和上电极层为非晶的铟镓锌氧化物薄膜，所述阻变层为非晶的氧化镓薄膜。本发明同时提供了所述透明阻变存储器的制备方法，采用射频磁控...
- 闫小兵郝华娄建忠刘保亭
- 文献传递
- nc-Si:H薄膜的微结构特征与光学特性被引量：1
- 2012年
- 利用射频等离子体增强型化学气相沉积(RF-PECVD)工艺,以SiH4和H2作为反应气体源,在玻璃和石英衬底上制备了氢化纳米晶硅(nc-Si:H)薄膜.采用Raman散射谱、原子力显微镜(AFM)、透射光谱方法对在不同衬底温度与不同H2稀释比条件下沉积生长薄膜的微结构和光学特性进行了实验研究.结果表明,nc-Si:H薄膜的晶粒尺寸为2.6～7.0nm和晶化率为45%～48%.在一定反应压强、衬底温度和射频功率下,随着H2稀释比的增加,薄膜的沉积速率降低,但晶化率和晶粒尺寸均有所增加,相应光学吸收系数增大.而在一定反应压强、射频功率和H2稀释比下,随着衬底温度的增加,沉积速率增加,薄膜晶化率提高.
- 娄建忠李钗马蕾王峰江子荣
- 关键词：RF-PECVDNC-SI微结构光学特性
- 低限流下含Ag电极的BiFeO_3薄膜的阻变开关特性
- 2015年
- 采用磁控溅射系统在Pt衬底上构建了Ag/BiFeO_3(BFO)/Pt三明治结构的阻变存储器件单元,该器件可以在较低的限制电流下实现阻变行为并显著降低功耗。在0.5μA的低限制电流下,器件具较好双极I-V滞回曲线,开关电阻比值超过1个数量级,有效开关次数达500次以上,阻态保持时间超过1.8×104s,有较好的保持特性。分析了该Ag/BFO/Pt器件的阻变开关机制,主要归因于Ag原子在BFO薄膜内的氧化还原反应引起的金属导电细丝的形成与断开。
- 闫小兵李玉成闫铭杨涛贾信磊陈英方赵建辉李岩娄建忠李小亭
- 基于Al<,2>O<,3>衬底的BST薄膜的制备技术的研究
- 娄建忠陈俊英马蕾刘素平师建英尹文斌
- 以铁电器件与半导体材料的集成作为研究对象，采用低的射频功率，制备了具有强抗扩散金属间化合物非晶阻挡层Ni-Al阻挡层，构建了Pt/Ni-Al/BST/Ni-Al/Pt电容器。应用脉冲激光沉积法制备了外延CeO<,2>缓冲...
- 关键词：
- 关键词：铁电器件半导体材料金属间化合物
- RF磁控溅射沉积压强对InGaZnO4薄膜特性的影响
- 2015年
- 采用射频（RF）磁控溅射沉积方法,在室温不同压强下在石英玻璃衬底上制备出高透光率与较好电学性质的透明氧化物半导体InGaZnO4（IGZO）薄膜,并对薄膜进行X线衍射（XRD）、生长速率、电阻率和透光率的测试与表征.结果表明,实验所获样品IGZO薄膜为非晶态,薄膜最小电阻率为1.3×10^-3Ω·cm,根据光学性能测试结果,IGZO薄膜在200～350 nm的紫外光区有较强吸收,在400～900 nm的可见光波段的透过率为75％～97％.
- 闫小兵史守山娄建忠郑树凯曹智
- 关键词：光学性质电学性质
- 真空退火温度对射频磁控溅射制备非晶In-Ga-Zn-O薄膜性能影响的研究
- 2013年
- 采用射频磁控溅射技术在室温下玻璃衬底上制备了铟镓锌氧（In—Ga—Zn-O）透明导电薄膜，并对该薄膜进行了真空退火。研究了不同退火温度对In-Ga—Zn-O薄膜结构、电学和光学性能的影响。X射线衍射（XRD）表明，在300℃至500℃退火温度范围内，In-Ga-Zn-O薄膜为非晶结构。随着退火温度的增加，薄膜的电阻率先减小后增大。透射光谱显示退火后In-Ga-Zn-O薄膜在500—800nm可见光区平均透过率超过80％，且在350nm附近表现出较强的紫外吸收特性。经过退火的薄膜光学禁带宽度随着退火温度的增加先增大后减小，350℃最大达到3．91eV。
- 闫小兵张二鹏贾长江史守山娄建忠刘保亭
- 关键词：退火温度磁控溅射光学带隙
- 衬底材料对Ba0.6Sr0.4TiO3薄膜介电性能的影响
- 2016年
- 采用脉冲激光沉积系统分别在LaAlO_3(001)和MgO(001)衬底上沉积了Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3(BST)薄膜,以Pt做电极分别构架了Pt/BST/MgO和Pt/BST/LaAlO_3叉指电容器。利用X射线衍射仪、原子力显微镜和Aglient E4980LCR表分别对两种薄膜的结构、表面形貌和介电特性进行表征。研究发现:两种衬底都可以实现BST(001)薄膜的外延生长,MgO和LaAlO_3衬底上BST薄膜的晶粒尺寸分别为52 nm和42 nm。在室温40 V偏置电压下,Pt/BST/MgO和Pt/BST/LaAlO_3的调谐率分别为39.68%和29.55%,最低损耗分别为0.029和0.053。这说明衬底材料的晶格常数不同,最终导致了BST薄膜介电性能的不同。
- 娄建忠李振娜方晓燕代秀红宋安英宋建民刘保亭
- 关键词：脉冲激光沉积介电性能
