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孙聂枫

作品数:214 被引量:72H指数:6
供职机构:中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家科技重大专项浙江省公益性技术应用研究计划项目更多>>
相关领域:电子电信理学金属学及工艺医药卫生更多>>

文献类型

  • 141篇专利
  • 48篇期刊文章
  • 13篇标准
  • 10篇会议论文
  • 2篇学位论文

领域

  • 54篇电子电信
  • 31篇理学
  • 18篇金属学及工艺
  • 3篇医药卫生
  • 2篇化学工程
  • 2篇冶金工程
  • 2篇语言文字
  • 1篇经济管理
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇环境科学与工...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 73篇晶体
  • 69篇磷化铟
  • 60篇半导体
  • 55篇单晶
  • 45篇晶体生长
  • 43篇坩埚
  • 30篇INP
  • 23篇熔体
  • 23篇籽晶
  • 23篇
  • 21篇半导体晶体
  • 20篇化合物半导体
  • 20篇VGF
  • 18篇炉体
  • 17篇位错
  • 17篇金属
  • 17篇化合物
  • 16篇晶片
  • 16篇INP单晶
  • 14篇晶体生长过程

机构

  • 189篇中国电子科技...
  • 22篇河北工业大学
  • 14篇专用集成电路...
  • 10篇中国电子科技...
  • 10篇中国电子科技...
  • 9篇河北半导体研...
  • 9篇天津大学
  • 6篇中国科学院
  • 3篇杭州电子科技...
  • 3篇天津农学院
  • 2篇香港大学
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇信息产业部
  • 2篇中华人民共和...
  • 2篇有色金属技术...
  • 2篇有研国晶辉新...
  • 1篇电子科技大学
  • 1篇澳大利亚国立...
  • 1篇武汉大学
  • 1篇汕头大学

作者

  • 214篇孙聂枫
  • 122篇孙同年
  • 118篇王阳
  • 108篇李晓岚
  • 107篇邵会民
  • 16篇杨瑞霞
  • 13篇卜爱民
  • 12篇王书杰
  • 7篇顾占彪
  • 7篇党冀萍
  • 6篇周晓龙
  • 6篇杨帆
  • 5篇赵有文
  • 5篇刘二海
  • 5篇刘志国
  • 4篇潘静
  • 4篇马春雷
  • 3篇林兰英
  • 3篇邹学锋
  • 3篇谢德良

传媒

  • 21篇半导体技术
  • 8篇微纳电子技术
  • 4篇Journa...
  • 2篇半导体情报
  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇第十三届全国...
  • 1篇电子工艺技术
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇电子工业专用...
  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微波学报
  • 1篇电子元件与材...
  • 1篇武汉大学学报...
  • 1篇中国电子科学...
  • 1篇第三届中国国...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十四届全国...

年份

  • 8篇2024
  • 31篇2023
  • 22篇2022
  • 30篇2021
  • 18篇2020
  • 15篇2019
  • 24篇2018
  • 2篇2017
  • 9篇2016
  • 9篇2015
  • 7篇2014
  • 5篇2013
  • 1篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 5篇2008
  • 2篇2007
  • 4篇2006
  • 2篇2005
214 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
大直径InP单晶生长研究
本文通过对高压液封直拉法InP单晶生长过程的几个重要因素的分析,设计了合适的热场系统,有效地降低了孪晶产生的几率。在自己设计制造的高压单晶炉内首先将铟和磷进行合成,然后采用坩埚随动技术等重复生长了直径为100-142mm...
孙聂枫杨瑞霞周晓龙孙同年
关键词:磷化铟单晶生长孪晶
文献传递
InP在太阳电池中的应用及进展被引量:1
2014年
介绍了国内外InP太阳电池的发展现状,对InP太阳电池的技术及其优势进行了分析。探讨了反向生长和低温键合对InP多结太阳电池质量的影响,指出其不仅可以降低位错等缺陷,提高太阳电池的转换效率,并且可以节约材料,一定程度上降低成本。InP纳米线太阳电池制造工艺简单,发展迅速,通过堆叠多个子电池可以实现高的转换效率,是未来InP太阳电池的发展方向之一。高聚光太阳电池已成为全球太阳电池的焦点,高聚光性结合低温半导体键合技术,更高转换效率的InP太阳电池一定会实现。
李玉茹付莉杰史艳磊孙同年孙聂枫
关键词:键合技术抗辐射
一种离心扩散合成化合物的装置和方法
一种离心扩散合成化合物的装置和方法,属于化合物半导体技术领域,所述装置包括恒温腔、离心扩散系统、气源供气系统、金属滴液系统,所述方法包括:将合成所需的材料分别放置在金属滴液系统和气源供气系统中,将恒温腔升温并保持,将气氛...
史艳磊孙聂枫徐成彦秦敬凯王书杰付莉杰徐森锋康永姜剑刘惠生邵会民王阳李晓岚刘峥张晓丹张鑫李亚旗赵红飞薛静谷伟侠吴中超吴畏高鹏王赫
InP高压直拉单晶炉的热场优化设计与分析被引量:2
2018年
高压直拉单晶炉的热场对磷化铟(InP)晶体生长过程有重要影响,存在缺陷的热场很难生长出合格的InP单晶,因此对InP晶体生长的热场进行优化设计与分析非常必要。提出了采用新型的碳/碳(C/C)复合材料加热器、复合固化硬毡为保温筒的热场结构,并通过仿真设计优化了InP单晶热场,解决了原有的以石墨加热器和碳纤维软毡为基础的InP单晶热场稳定性和对称性差以及使用寿命短的问题。经过实验测试,加热效率提高了25%,使用寿命达到90炉以上。
梁仁和曾周末孙聂枫王书杰孙同年
关键词:晶体生长
一种垂直温度梯度凝固制备磷化铟晶体的装置及方法
一种垂直温度梯度凝固制备磷化铟晶体的装置及方法,涉及半导体材料的制备。装置包括炉体、坩埚、离心电机、注入系统,方法的关键在于,在合成过程中,旋转坩埚,使坩埚中的熔体在离心力的作用下贴在坩埚侧壁上;将气泡注入金属熔体靠近坩...
党冀萍孙聂枫王书杰徐森锋史艳磊刘峥邵会民姜剑李晓岚王阳张晓丹康永刘惠生
一种高纯半导体单晶热等静压连接的装配结构
一种高纯半导体单晶热等静压连接的装配结构,属于半导体材料制备领域,具体涉及将多块小尺寸单晶通过热等静压方式制备成大尺寸单晶的装配结构。结构中包括包套和置于包套内部的晶块单元,所述包套由包套主体和包套上盖组成,所述包套主体...
王书杰孙聂枫孙同年刘惠生徐森锋
文献传递
一种VB/VGF法晶体生长用石英管及装置
本发明提供一种VB/VGF法晶体生长用石英管及装置,涉及化合物晶体生长技术领域,采用的技术方案是:一种VB/VGF法晶体生长用石英管,包括石英管体和石英帽,关键在于,所述石英管体上部沿周向设置开口向上的支撑槽,所述石英帽...
邵会民孙聂枫孙同年刘惠生王书杰史艳磊康永姜剑付莉杰张晓丹
文献传递
一种半绝缘磷化铟的制备方法
一种半绝缘磷化铟的制备方法,属于晶体制备领域,使用半绝缘磷化铟的制备装置完成,所述制备装置包括密闭的炉体及炉体内的坩埚,包括以下步骤:步骤A、加热铟,形成铟熔体;步骤B、炉体内充入0.02‑0.3MPa的氢气,保压1‑5...
王书杰孙聂枫徐森锋孙同年刘惠生
文献传递
一种磷浸入式磷化物合成及生长装置
一种磷浸入式磷化物合成及生长装置,属于半导体材料制备领域,特别是采用磷浸入金属熔体的方式进行半导体磷化物合成及生长的装置。包括主炉体、主炉体内的坩埚、坩埚外围的加热器和保温层,所述合成及生长装置还包括连接驱动装置的注入合...
孙聂枫王书杰徐森锋史艳磊邵会民付莉杰卜爱民李晓岚王阳
InP晶体合成、生长和特性
磷化铟/(InP/)已成为光电器件和微电子器件不可或缺的重要半导体材料。本文详细研究了快速大容量合成高纯及各种熔体配比条件的InP材料;大直径InP单晶生长;与熔体配比相关的缺陷性质;InP中的VInH4相关的缺陷性质和...
孙聂枫
关键词:磷化铟单晶生长
文献传递
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